[发明专利]一种沟道式电容器的制作方法有效
| 申请号： | 200910077670.2 | 申请日： | 2009-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN101800165A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 吕垚;李宝霞;万里兮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/22;H01L21/311;H01L21/3065;H01L29/92 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 电容器 制作方法 | ||
1.一种沟道式电容器的制作方法，其特征在于，该方法包括：
提供以Si为基底的高掺杂低阻半导体衬底，在衬底上生长一层SiO2作为掩模层、物理保护层以及电学绝缘层；
采用光刻胶掩模并按照所需要的电容量刻蚀SiO2至Si层，开出不同面积的电容窗口；
在该窗口内利用光刻胶作为掩模，通过刻蚀制备出具有沟道的基底以及P型层电极区；
直接利用保留在Si衬底上的SiO2作为掩模，在硅衬底沟道表面形成一层高掺杂的n+层，在其结深处形成PN结结电容；
利用蒸发或溅射在电容表面大面积蒸镀金属，用光刻胶作为掩模，使用湿法腐蚀，在开出的窗口层、N型电极及P型层电极区域形成金属电极；
将制备好的沟道电容在高温下退火，使其P、N两个电极上均形成良好的欧姆接触。
2.如权利要求1所述的沟道式电容器的制作方法，其特征在于，所述以Si为基底的高掺杂低阻半导体衬底，其电阻率为0.01～0.3Ωcm。
3.如权利要求1所述的沟道式电容器的制作方法，其特征在于，所述在衬底上生长SiO2采用PECVD或热氧化方法，SiO2层的厚度为7000～8000埃。
4.如权利要求1所述的沟道式电容器的制作方法，其特征在于，所述刻蚀SiO2采用干法ICP刻蚀。
5.如权利要求1所述的沟道式电容器的制作方法，其特征在于，所述在窗口内刻蚀制备出具有沟道的基底以及P型层电极采用干法ICP刻蚀硅衬底，使之形成具有沟道形状的基底以及P型层电极。
6.如权利要求1所述的沟道式电容器的制作方法，其特征在于，所述在硅衬底沟道表面形成一层高掺杂的n+层，是通过扩散的方法形成的。
7.如权利要求6所述的沟道式电容器的制作方法，其特征在于，所述形成n+层时扩散的杂质源为POCl3。
8.如权利要求1所述的沟道式电容器的制作方法，其特征在于，所述形成的PN结结电容的两个电极均位于硅片同侧。
9.如权利要求1所述的沟道式电容器的制作方法，其特征在于，所述在开出的窗口层、N型电极及P型层电极上蒸镀的金属为Al。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
