[发明专利]MOS晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 200910056276.0 | 申请日： | 2009-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101996885A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 张艳红 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/266;H01L29/78;H01L29/36 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 及其 制作方法 | ||
1.一种MOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
提供带有栅极结构的半导体衬底，所述栅极结构包含栅极介电层、栅极和金属硅化物层；
形成包围栅极结构的氧化层；
以栅极结构为掩模，在栅极两侧的半导体衬底内进行离子注入，形成浅掺杂源/漏极延伸区，所述离子注入的方向与垂直半导体衬底表面方向之间有角度；
在栅极结构两侧形成侧墙后，在栅极结构及侧墙两侧的半导体衬底内形成源/漏极。
2.根据权利要求1所述MOS晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述氧化层的方法为热氧化法或快速热退火氧化法。
3.根据权利要求2所述MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为30埃～200埃，材料为二氧化硅。
4.根据权利要求1所述MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述离子注入的角度为0度～90度。
5.根据权利要求1所述MOS晶体管的形成方法，其特征在于，在离子注入之后，进行退火处理。
6.根据权利要求1所述MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述MOS晶体管的源/漏极延伸区导电类型为n型，注入离子是n型离子。
7.根据权利要求6所述MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述n型离子为磷离子或砷离子。
8.根据权利要求1所述MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述MOS晶体管的源/漏极延伸区导电类型为p型，注入离子是p型离子。
9.根据权利要求8所述MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述p型离子为硼离子。
10.一种MOS晶体管，包括：
带有栅极结构的半导体衬底；
位于栅极结构两侧半导体衬底中的浅掺杂源漏极延伸区；
位于栅极结构两侧半导体衬底之上的侧墙；
位于栅极结构和侧墙两侧半导体衬底中的源/漏极；
其特征在于，还包括：包围栅极结构的氧化层。
11.根据权利要求10所述MOS晶体管，其特征在于，所述氧化层的厚度为30埃～200埃，材料为二氧化硅。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910056276.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
