[发明专利]包括半导体组件的半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.制造半导体装置的方法，包括下列步骤：

在基板(41)上形成下层绝缘膜(1)；

将多个半导体组件(2)固定到下层绝缘膜上，其中所述半导体组件均具有半导体基片(4)和多个设置在半导体基片下方的外部连接电极(13)；

在下层绝缘膜上围绕半导体组件形成绝缘层(31a)，并将框架状绝缘基片(32)埋在绝缘层的上表面内；

去除所述基板；

在下层绝缘膜下方将下层线路(22，22A)连接到半导体组件的外部连接电极；和

切割半导体组件之间的下层绝缘膜、绝缘层和绝缘基片以获得多个半导体装置，

其中每个半导体装置具有在绝缘基片上形成的上层线路(34)。

2.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中去除所述基板的步骤是通过蚀刻执行的。

3.如权利要求2所述的制造半导体装置的方法，其中所述基板由金属箔制成，而且去除基板的步骤通过使用蚀刻溶液的湿蚀刻方法执行。

4.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中将半导体组件固定到下层绝缘膜上的步骤包括，预先向下层绝缘膜上供应粘结材料并在下层绝缘膜上加热/加压半导体组件的步骤。

5.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中将半导体组件固定到下层绝缘膜上的步骤包括，预先向下层绝缘膜上供应粘结片并在下层绝缘膜上加热/加压半导体组件的步骤。

6.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中所述绝缘基片被预先设置另一下层线路(33)、所述上层线路和将所述另一下层线路连接到所述上层线路的竖向导电部分(36)，所述下层线路连接到下层绝缘膜下方的所述另一下层线路。 

7.如权利要求6所述的制造半导体装置的方法，其中在所述上层线路和绝缘基片上预先形成上层外敷膜(38)，该上层外敷膜在与上层线路的连接盘部分对应的部分具有开口(39)，在去除基板之前，将保护膜(47)附加到所述上层外敷膜上，在形成下层线路之后，撕去所述保护膜。

8.如权利要求6所述的制造半导体装置的方法，其中在去除基板之前，将保护膜附加到上层线路和绝缘基片上，在形成下层线路之后撕去所述保护膜。

9.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中在去除基板后，在下层绝缘膜、所述绝缘层和所述绝缘基片上形成通孔(64)，而且形成下层线路的步骤包括在绝缘基片上形成上层线路(61)以及将竖向导电部分(65)连接到下层线路和上层线路以在所述通孔内形成所述竖向导电部分的步骤。

10.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中在由金属制成的所述基板上形成保护金属层(51)和基层金属层(23a)，所述下层绝缘膜形成在基层金属层上，所述去除基板的步骤包括去除所述保护金属层的步骤。

11.如权利要求10所述的制造半导体装置的方法，其中所述基层金属层的上表面被预先进行粗糙表面加工处理，而且所述下层绝缘膜由包括树脂的材料制成。

12.如权利要求11所述的制造半导体装置的方法，其中形成下层线路的步骤包括在基层金属层下方形成另一基层金属层(23b)并且通过电解镀在该另一基层金属层下方形成下层金属层(24)的步骤，

由此所述下层线路具有由基层金属层、该另一基层金属层和下层金属层组成的三层结构。

13.如权利要求12所述的制造半导体装置的方法，其中所述基板、基层金属层、该另一基层金属层和下层金属层由包括铜的金属制成，所述保护金属层由包括镍的金属制成。