[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体结构(2)，具有半导体基底(4)和设置在半导体基底下面的多个用于外部连接的电极(13)；

下层绝缘膜(1)，设置在半导体结构的下面和周围；

多个下层布线(22，22A)，电连接到半导体结构的用于外部连接的电极，并且设置在下层绝缘膜的下面；

绝缘层(31)，设置在下层绝缘膜上，位于半导体结构的周围；

上层绝缘膜(32)，设置在半导体结构和绝缘层上；和

多个上层布线(33，33A)，设置在上层绝缘膜上，

其中下层绝缘膜安装在其上的基板(51)被去除。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，半导体结构通过粘附层(3)结合到下层绝缘膜。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，竖直传导单元(42)设置在通孔(41)中以与下层布线和上层布线电连接，该通孔形成在下层绝缘膜、绝缘层和上层绝缘膜中。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，另一个下层布线(22B)设置成与半导体结构周围的下层绝缘膜的上表面上的每个下层布线电连接，并且另一个上层布线(33B)设置成与上层绝缘膜的下表面上的每个上层布线电连接。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，半导体结构通过粘附层(74)结合到上层绝缘膜的下表面。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括电路基底(81)，该基底设置有另一个下层布线(22C)和另一个上层布线(33C)，并且具有竖直传导单元(83)，电连接所述另一个下层布线(22C)，另一个上层布线(33C)设置在绝缘层(31)的上部上，在半导体结构的周围，其中下层布线(22A)电连接到所述另一个下层布线(22C)，并且上层布线(33A)电连接到所述另一个上层布线(33C)。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，电路基底的上表面与绝缘层(31)的电路基底(81)不设置在其上的上表面部分是齐平的。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括电路基底(81)，该基底设置有另一个下层布线(22C)和另一个上层布线(33C)，并且具有竖直传导单元(83)，电连接所述另一个下层布线(22C)和另一个上层布线(33C)，其设置在绝缘层(31)内，位于半导体结构周围，其中下层布线(22A)电连接到所述另一个下层布线(22C)，并且上层布线(33A)电连接到所述另一个上层布线(33C)。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，绝缘层(31)通过使得多个片层层叠而构成，并且电路基底(81)设置成它的全厚度中间部被允许与绝缘层(31)的全厚度中间部相重合。

10.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，绝缘层(31)通过下面方式构造：将上侧绝缘层片层(31B)和下侧绝缘层片层(31A)层叠，并且电路基底(81)嵌入到上侧绝缘层片层和下侧绝缘层片层中。

11.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括下层保护膜(25)，具有开口(26)，位于与下层布线的连接部相对应的部分中，在包括下层布线的下层绝缘膜的下面。

12.如权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，还包括位于下层保护膜的开口内和下面的焊料层(27)，该焊料层设置成与下层布线的连接焊盘相连。

13.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，下层布线(22A)和上层布线(33A)具有多层布线结构。

14.如权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，下层绝缘膜(1)具有位于其上表面上的第二下层布线(22B)。

15.如权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，下层布线(22A)和第二下层布线(22B)中，仅下层布线(22A)直接连接到竖直传导单元。

16.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上层绝缘膜(32)具有位于其下表面上的第二上层布线(33B)。