[发明专利]采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法

权利要求书

1.一种采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法，其特征在 于，该方法包括：

步骤1、在绝缘衬底上涂敷光刻胶；

步骤2、光刻得到栅电极图形；

步骤3、蒸发或沉积金属电极材料；

步骤4、用丙酮剥离不需要的金薄膜得到器件的栅电极图形，该金薄 膜是在蒸发或沉积金属电极材料时形成的；

步骤5、在栅电极上蒸发或沉积一层厚度为300nm的绝缘介质层材料；

步骤6、在绝缘介质层材料上匀胶后光刻得到器件源漏电极的图形；

步骤7、再次蒸发或沉积金属电极材料，剥离后得到器件的源漏电极 图形；

步骤8、沉积生长一层厚度为50nm的有机半导体薄膜，完成有源层 图形化的有机场效应晶体管的制备。

2.根据权利要求1所述的采用有源层图形化制备有机场效应晶体管 的方法，其特征在于，步骤1中所述绝缘衬底是有机塑料衬底，或者是无 机绝缘衬底。

3.根据权利要求1所述的采用有源层图形化制备有机场效应晶体管 的方法，其特征在于，步骤1中所述涂敷光刻胶是通过匀胶台旋涂后85℃ 热板烘烤得到的。

4.根据权利要求1所述的采用有源层图形化制备有机场效应晶体管 的方法，其特征在于，步骤3和步骤7中所述蒸发或沉积金属电极材料是 采用电子束蒸发或者PECVD沉积实现的。

5.根据权利要求1所述的采用有源层图形化制备有机场效应晶体管 的方法，其特征在于，步骤5中所述蒸发或沉积绝缘介质层材料是采用电 子束蒸发或者PECVD沉积实现的。

6.根据权利要求1所述的采用有源层图形化制备有机场效应晶体管 的方法，其特征在于，步骤8中所述有机半导体薄膜的沉积是采用真空热 蒸镀的方法完成的。