[发明专利]膜上芯片封装结构、及其制造与组装方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种膜上芯片封装结构及其制造与组装方法，尤指一种通过将各具有一个特定图样的两金属箔分别设置于膜上芯片封装结构的基板两侧的结构及相关方法来改善散热以及TCP封装工艺。

背景技术

在过去，薄膜晶体管-液晶显示器(TFT-LCD)的面板是以卷带式芯片载体封装(tape carrier package，TCP)为主，然而，由于考量到低成本、微细间距、易挠性以及可承载无源元件等原因，在大型薄膜晶体管-液晶显示器的驱动集成电路中采用玻璃倒装片(chip on glass，COG)封装以及膜上芯片(chip on film，COF)封装来取代TCP封装的比例已逐渐增加。因此，市面上对于COG封装与COF封装的驱动集成电路的需求也跟着大量增加。

现今的薄膜晶体管-液晶显示器为了配合更高的频率、驱动电压以及更多的显示通道等高标要求下，因此驱动集成电路的散热能力变得愈来愈重要，其中一种解决方式便是通过设置两层金属层于COF封装结构中来加强散热能力。请参考图1与图2，图1(包含有图1A与图1B)为先前技术中的膜上芯片封装结构的示意图，而图2则为显示图1所示的膜上芯片封装结构的散热能力的示意图。如图1A所示，一膜上芯片封装结构100包含一基底110、一第一金属箔120以及一防焊层(solder resist layer)130。基底110由聚亚酰胺膜(polyimide film，PI film)所构成，第一金属箔120设置在基底110的一第一平面112上，而防焊层130则是覆盖于第一金属箔120之上。此外，一驱动集成电路140焊接在膜上芯片封装结构100之上，其中驱动集成电路140的凸块(bump)142焊接在第一金属箔120的一第一特定图样122。如图1B所示，一膜上芯片封装结构150的架构与膜上芯片封装结构100类似，两者不同之处在于膜上芯片封装结构150还包含一第二金属箔160，且第二金属箔160设置于基底110中相对于第一平面112的第二平面114上。如图2所示，使用膜上芯片封装结构150的驱动集成电路140的温度远小于使用膜上芯片封装结构100的驱动集成电路140的温度，由此可知，膜上芯片封装结构150散热能力可通过增加第二金属箔160来改善。

虽然膜上芯片封装结构150散热能力可经由增加第二金属箔160来改善，然而，还是必须考虑到TCP封装工艺的可行性。如图1B所示，由于第二金属箔160完全覆盖于基板110的第二平面114之上，传统的只有单一个电荷耦合装置(charge coupled device，CCD)的内引脚(inner lead)接合器(bonder)便无法看穿膜上芯片封装结构150，所以并不适合膜上芯片封装结构150。因此，膜上芯片封装结构150必需使用一个具有两个电荷耦合装置的新型内引脚接合器，如此一来，会造成TCP封装工艺的成本上升。

发明内容

因此，本发明的目的之一在于提出一种膜上芯片(COF)封装结构及其相关制造与组装方法，以解决上述的问题。

本发明披露一种膜上芯片封装结构。膜上芯片封装结构包含：一基板、一第一导电箔以及一第二导电箔。基板包含一第一平面以及相对于该第一平面的一第二平面。第一导电箔设置于该基板的该第一平面上，其具有用来凸块焊接的一第一特定图样。第二导电箔设置于该基板的该第二平面上，其具有一第二特定图样，其中该第二特定图样的面积不小于该第一特定图样的面积。

本发明另披露一种制造一膜上芯片封装结构的方法，该方法包含有：提供一基底，其包含一第一平面以及相对于该第一平面的一第二平面；将一第一导电箔设置于该基板的该第一平面上，其中第一导电箔具有用来凸块焊接的一第一特定图样；以及将一第二导电箔设置于基板的第二平面上，其中第二导电箔具有一第二特定图样，且第二特定图样的面积不小于第一特定图样的面积。