[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

通过从其表面设置有元件形成层且嵌入有电连接到所述元件形成层的第 一布线的第一半导体衬底的背面一侧照射离子，来在离所述第一半导体衬底的 表面有预定深度的区域中形成脆弱层；

通过沿着所述脆弱层分离所述第一半导体衬底的一部分，来形成具有所述 元件形成层及所述第一布线的第一半导体衬底，同时使所述第一布线的一部分 露出；

将具有所述元件形成层及所述第一布线的所述第一半导体衬底和设置有 第二布线的第二衬底以在其间夹住所述第一布线及所述第二布线的方式层叠； 以及

通过利用粘结所述第一布线的一部分和所述第二布线的导电材料，来使所 述元件形成层和所述第二布线电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述导电材料由 银膏、铜膏或焊料形成。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述离子是氢离 子、卤素离子、或者稀有气体离子。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述离子包括H⁺离子、H₂⁺离子、以及H₃⁺离子，并且所述H₃⁺离子的比例比所述H⁺离子及所述H₂⁺离子的比例高。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中在对所述第一半 导体衬底照射离子之前，从所述第一半导体衬底的背面一侧进行磨削处理、研 磨处理或CMP处理。

6.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

通过从其表面设置有第一元件形成层且嵌入有电连接到所述第一元件形 成层的第一布线的第一半导体衬底的背面一侧照射离子，来在离所述第一半导 体衬底的表面有预定深度的区域中形成脆弱层；

通过沿着所述脆弱层分离所述第一半导体衬底的一部分，来形成具有所述 第一元件形成层及所述第一布线的第一半导体衬底，同时使所述第一布线的一 部分露出；

将具有所述第一元件形成层及所述第一布线的所述第一半导体衬底和具 有第二元件形成层及电连接到所述第二元件形成层的第二布线的第二半导体 衬底以在其间夹住所述第一布线及所述第二布线的方式层叠；以及

通过利用粘结所述第一布线的一部分和所述第二布线的导电材料，来使所 述第一元件形成层和所述第二元件形成层电连接。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中所述导电材料由 银膏、铜膏或焊料形成。

8.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中所述离子是氢离 子、卤素离子、或者稀有气体离子。

9.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中所述离子包括H⁺离子、H₂⁺离子、以及H₃⁺离子，并且所述H₃⁺离子的比例比所述H⁺离子及所述H₂⁺离子的比例高。

10.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中在对所述第一半 导体衬底照射离子之前，从所述第一半导体衬底的背面一侧进行磨削处理、研 磨处理或CMP处理。