[发明专利]内建测试电路的半导体芯片

权利要求书

1.一种内建测试电路的半导体芯片，包括：

一有源电路区域；

一包围该有源电路区域的封环结构；

一第一电路结构，其制作在该半导体芯片位于该封环结构外侧的一角落，并且该第一电路结构不与该封环结构构成电连接组态，其中该第一电路结构具有一第一连接垫；以及

一第二电路结构，其制作在该半导体芯片位于该封环结构外侧的该角落，并靠近该第一电路结构，其中该第二电路结构与该第一电路结构通过形成在硅基底中的扩散导电区域或一第一层金属成电连接组态，且该第二电路结构具有一第二连接垫。

2.如权利要求1所述的内建测试电路的半导体芯片，其中该封环结构是由多层的金属以及介层插塞相互堆叠而成。

3.如权利要求1所述的内建测试电路的半导体芯片，其中该第一电路结构以及该第二电路结构都是直立蛇形状的内连线电路。