[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具有：

强电介质电容器，其具有下部电极、强电介质膜以及上部电极；

层间绝缘膜，其形成在上述强电介质电容器上，相对于上述下部电极形成有多个接触孔；

布线，其形成在上述层间绝缘膜上，经由上述接触孔与上述下部电极连接；

阻挡金属膜，其形成在上述下部电极和上述布线之间，

上述半导体装置的特征在于，上述阻挡金属膜具有：

第一TiN膜，其与上述下部电极直接接触；

Ti膜，其形成在上述第一TiN膜上；

第二TiN膜，其形成在上述Ti膜上。

2.一种半导体装置，具有：

强电介质电容器，其具有下部电极、强电介质膜以及上部电极；

层间绝缘膜，其形成在上述强电介质电容器上，相对于上述下部电极形成有多个接触孔；

布线，其形成在上述层间绝缘膜上，经由上述接触孔与上述下部电极连接；

阻挡金属膜，其形成在上述下部电极和上述布线之间，

上述半导体装置的特征在于，上述阻挡金属膜具有：

第一TiN膜，其与上述下部电极直接接触；

氧化铱膜，其形成在上述第一TiN膜上。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，上述阻挡金属膜具有形成在上述氧化铱膜上的第二TiN膜。

4.一种半导体装置，具有：

强电介质电容器，其具有下部电极、强电介质膜以及上部电极；

层间绝缘膜，其形成在上述强电介质电容器上，相对于上述下部电极形成有多个接触孔；

布线，其形成在上述层间绝缘膜上，经由上述接触孔与上述下部电极连接：

阻挡金属膜，其形成在上述下部电极和上述布线之间，

上述半导体装置的特征在于，上述阻挡金属膜具有：

第一TiN膜，其与上述下部电极直接接触；

第一Ti膜，其形成在上述第一TiN膜上；

氧化铱膜，其形成在上述第一TiN膜上；

第二Ti膜，其形成在上述氧化铱膜上；

第二TiN膜，其形成在上述第二Ti膜上。

5.一种半导体装置，具有：

强电介质电容器，其具有下部电极、强电介质膜以及上部电极；

层间绝缘膜，其形成在上述强电介质电容器上，相对于上述下部电极形成有多个接触孔；

布线，其形成在上述层间绝缘膜上，经由上述接触孔与上述下部电极连接，

上述半导体装置的特征在于，

上述布线具有Ir膜或者Pt膜。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，具有形成在上述布线上的TiN膜。

7.一种半导体装置的制造方法，包括：

形成强电介质电容器的工序，该强电介质电容器具有下部电极、强电介质膜及上部电极；

在上述强电介质电容器上形成层间绝缘膜的工序，该层间绝缘膜相对于上述下部电极具有多个接触孔；

在上述接触孔的底部及侧部形成阻挡金属膜的工序；

在上述层间绝缘膜上形成布线的工序，该布线经由上述接触孔与上述下部电极连接，

上述半导体装置的制造方法的特征在于，形成上述阻挡金属膜的工序包括：

形成第一TiN膜的工序，该第一TiN膜与上述下部电极直接接触；

在上述第一TiN膜上形成Ti膜的工序；

在上述Ti膜上形成第二TiN膜的工序。

8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在形成上述第一TiN膜的工序中，在中途变更成膜条件，

将变更前的条件设定为相比于变更后的条件容易在上述接触孔的底部发生上述第一TiN膜的堆积的条件，

将变更后的条件设定为相比于变更前的条件容易在上述接触孔的侧壁部发生上述第一TiN膜的堆积的条件。