[发明专利]半导体器件及其制造工艺

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一反相器、第二反相器和连接所述各反相器的内布线，

其中内布线形成电容器元件，且

该电容器元件包括：

半导体衬底上的具有孔的层间绝缘膜；

覆盖孔的底壁和侧壁的下电极，所述底壁是半导体衬底且侧壁是层间绝缘膜的一部分；

布置在下电极和部分层间绝缘膜上的电容绝缘膜，所述电容绝缘膜覆盖孔的上拐角(106a)；以及

电容绝缘膜上的上电极，所述上电极至少覆盖位于所述上拐角(106a)处的电容绝缘膜。

2.根据权利要求1的半导体器件，

其中第一和第二反相器是SRAM单元。

3.根据权利要求1的半导体器件，

其中上电极的宽度大于所述孔的宽度。

4.根据权利要求3的半导体器件，

其中上电极的宽度比所述孔的最小宽度大20％或以上。

5.根据权利要求1的半导体器件，还包括：

导电层，对第一和第二反相器提供源电压或地电压，

其中导电层的表面位于比上电极的表面更靠近半导体衬底。

6.一种半导体器件的制造工艺，包括：

在半导体衬底的一个主平面上淀积层间绝缘膜，该半导体衬底包括MOSFET；

选择性地去除所述层间绝缘膜的至少一部分以便形成孔；

在孔的底壁和至少一部分侧壁上形成下电极；

淀积电容绝缘膜，该电容绝缘膜至少覆盖下电极；以及

在孔中形成上电极，该上电极至少覆盖所述孔的上拐角(106a)处的所述电容绝缘膜。

7.根据权利要求6的半导体器件的制造工艺，

其中形成上电极的步骤包括：

在电容绝缘膜上淀积上电极；

在上电极上淀积光致抗蚀剂，其宽度至少大于所述孔的宽度；并且

利用光致抗蚀剂作为掩模蚀刻上电极。

8.根据权利要求6的半导体器件的制造工艺，

其中光致抗蚀剂的宽度比所述孔的宽度大20％或以上。

9.根据权利要求6的半导体器件的制造工艺，

其中半导体器件包括第一和第二反相器。

10.根据权利要求9的半导体器件的制造工艺，

其中第一和第二反相器是SRAM单元。

11.一种半导体器件，包括：

衬底；

衬底上方具有开口的绝缘膜，该开口具有底部和壁；以及

形成在开口上方的电容器；

其中电容器包括：

覆盖壁的下电极，

覆盖下电极的电容绝缘膜，

覆盖电容绝缘膜并填充开口剩余部分的至少一部分的上电极，并且

其中上电极至少覆盖位于所述开口的上拐角(106a)处的电容绝缘膜。

12.根据权利要求11的半导体器件，

其中上电极的宽度比开口的宽度大。

13.根据权利要求12的半导体器件，

其中上电极的宽度比开口的宽度大20％。

14.根据权利要求11的半导体器件，

其中半导体器件包括第一和第二反相器。

15.根据权利要求14的半导体器件，

其中第一和第二反相器是SRAM单元。