[发明专利]集成电路基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种集成电路基板及其制造方法，特别涉及一种无焊球的集成电路基板及其制造方法。

背景技术

在传统的球栅阵列(Ball Grid Array，BGA)封装与倒装片封装(Flip-Chip)等芯片封装技术中，会使用焊球20将芯片封装10与电路板30作电连接，如图1所示。一般说来，封装后焊球20使得芯片封装10与电路板30间分隔约350微米(μm)左右，同时球垫40之间距也因此大约在300μm左右。

由于球垫40的间距与封装接点的密度十分相关，若球垫40的间距越小，封装接点的密度就可以越高，因此对于系统单芯片(System on a Chip，SoC)、多芯片模块(Multi-Chip Module，MCM)、多芯片封装(Multi-Chip Package，MCP)、系统封装(System in a Package，SiP)等各式封装技术而言，增加封装接点密度与封装层数的封装技术，以达成较低的封装厚度、良好的连接信赖度、低成本的组装以及小间距、高封装接点密度，便是目前与未来的一重要发展方向。

发明内容

本发明即提供一种新颖的集成电路基板与封装技术，其具有多层封装结构、较低的封装厚度、良好的连接信赖度、低成本的组装以及小间距、高封装接点密度等等诸多优点。

本发明的集成电路基板，包含具有表面与至少第一开口的绝缘层(insulation layer)、位于表面上的至少一介电层，此介电层具有第一表面、第二表面及至少第二开口、曝露于第一开口中以电性连接至少一芯片的至少一接垫(chip-side pad)、位于介电层的第一表面并覆盖第二开口的至少一金属凸块(metal bump)、位于介电层的第二表面以电性连接金属凸块与接垫的至少一线路层、位于接垫上的至少第一金属覆层以及位于金属凸块上的至少第二金属覆层。

本发明另外提供一种制造集成电路基板的方法。首先，提供具有上表面与下表面的金属片，并在下表面上形成第一复合层，其包含第一介电层与第一金属层。其次，在第一复合层中形成至少第一开口，使得第一开口曝露出金属片。之后，设置第一导电材料于第一开口中，使其电性连接第一金属片与第一金属层。接着，选择性移除部分的第一导电材料与第一金属层成为第一图案化金属层，再选择性形成覆盖第一图案化金属层的绝缘层，其具有至少第二开口，以曝露出第一图案化金属层的部分而形成至少一接垫，同时第一图案化金属层未曝露的部分形成线路层。继续，在接垫上形成第一蚀刻阻障层，并选择性在上表面上形成第二蚀刻阻障层。再来，使用第一蚀刻阻障层及第二蚀刻阻障层作为掩模，蚀刻金属片而形成至少一金属凸块，使得金属凸块与接垫及线路层电性连接。

附图说明

图1例示传统芯片封装技术中使用焊球将芯片封装与电路板电连接。

图2-4与图20例示本发明集成电路基板的一优选实施例。

图5-19，例示制造本发明集成电路基板的一优选实施例。

附图标记说明

200集成电路基板            210绝缘层

211表面                    212第一开口

220介电层                  221第一表面

222第二表面                223第二开口

230接垫                    240金属凸块

241顶面                    242侧壁

250线路层                  260第一金属覆层

270第二金属覆层

510金属片                  511上表面

512下表面                  513第二蚀刻阻障层

514金属凸块                515顶面

516侧壁                    520第一复合层

521第一介电层                522第一金属层

523第一开口                  524第一导电材料

525第一图案化金属层          526第二图案化金属层

520’第二复合层              521’第二介电层

522’第二金属层              523’第三开口

524’第二导电材料            525’第二图案化金属层