[发明专利]集成电路基板及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路基板，包含：

一绝缘层，其具有一表面与至少第一开口；

至少一介电层，位于该表面上，该介电层具有第一表面、第二表面及至少第二开口；

至少一接垫，曝露于该第一开口中以电性连接至少一芯片；

至少一金属凸块，位于该介电层的第一表面并覆盖该第二开口；

至少一线路层，位于该介电层的第二表面，用以电性连接该金属凸块与该接垫；

至少第一金属覆层，位于该接垫上；以及

至少第二金属覆层，位于该金属凸块上。

2.如权利要求1所述的集成电路基板，其中该金属凸块具有一顶面与一侧壁且该第二金属覆层覆盖该顶面。

3.如权利要求2所述的集成电路基板，其中该第二金属至少覆盖部分该侧壁。

4.如权利要求1所述的集成电路基板，其中该金属凸块的高度约介于200-80μm。

5.一种制造集成电路基板的方法，包含：

提供一金属片，其具有一上表面与一下表面；

在该下表面上形成第一复合层，其包含第一介电层与第一金属层；

在该第一复合层中形成至少第一开口，使得该第一开口曝露出该金属片；

设置第一导电材料于该第一开口中且电性连接该第一金属片与该第一金属层；

选择性移除部分的该第一导电材料与该第一金属层以成为第一图案化金属层；

选择性形成一绝缘层以覆盖该第一图案化金属层，其具有至少第二开口，以曝露出该第一图案化金属层的部分形成至少一接垫，该第一图案化金属层未曝露的部分形成一线路层；

在该接垫上形成第一蚀刻阻障层；

选择性在该上表面上形成第二蚀刻阻障层；以及

使用该第一蚀刻阻障层及该第二蚀刻阻障层作为一掩模以蚀刻该金属片而形成至少一金属凸块，其中该金属凸块与该接垫及该线路层电性连接。

6.如权利要求5所述的方法，其中该第一蚀刻阻障层为第一金属层。

7.如权利要求6所述的方法，其中该第一金属层包含一金层与一镍层。

8.如权利要求5所述的方法，其中该第二蚀刻阻障层为第二金属层。

9.如权利要求8所述的方法，其中该第二金属层包含一金层与一镍层。

10.如权利要求5所述的方法，其中形成该金属凸块后还包含以下步骤：

除去该第二蚀刻阻障层；

在该金属凸块上形成第二金属覆层。

11.如权利要求10所述的方法，其中该金属凸块具有一顶面与一侧壁且该第二金属覆层覆盖该顶面且完全覆盖该侧壁。

12.如权利要求5所述的方法，其中该金属片的厚度约为60-80μm。

13.如权利要求5所述的方法，其中介于选择性移除部分的该第一导电材料与该第一金属层以及形成该绝缘层间进一步包含重复下列步骤至少一次：

形成第二复合层以覆盖该第一图案化金属层，其具有第二介电层与第二金属层，且该第二介电层接触该第一图案化金属层；

在该第二复合层中形成第三开口，使得该第三开口曝露出该第一图案化金属层；

以第二导电材料填满该第三开口使得该第二导电材料与该第一图案化金属层电性连接；以及

选择性移除部分的该第二导电材料与该第二金属层成为第二图案化金属层。