[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：第一金属绝缘体半导体晶体管和第二金属绝缘体半导体晶体管，其特征在于：

所述第一金属绝缘体半导体晶体管包括：

半导体衬底的被元件隔离区域包围的第一活性区域、

形成在所述第一活性区域上的第一栅极绝缘膜、以及

由形成在所述第一栅极绝缘膜上的第一金属膜和与所述第一金属膜上接触形成的第一硅膜构成的第一栅电极；

所述第二金属绝缘体半导体晶体管包括：

所述半导体衬底的被所述元件隔离区域包围的第二活性区域、

形成在所述第二活性区域上且由与所述第一栅极绝缘膜不同的绝缘材料形成的第二栅极绝缘膜、以及

由形成在所述第二栅极绝缘膜上的第二金属膜和与所述第二金属膜上接触形成的第二硅膜构成的第二栅电极；

所述第二活性区域设置为：与所述第一活性区域在栅极宽度方向上相邻，且与该第一活性区域之间夹持有所述元件隔离区域，

所述第一栅电极和所述第二栅电极在位于所述第一活性区域与所述第二活性区域之间的所述元件隔离区域上延伸，且所述第一硅膜和所述第二硅膜一体形成而相互电连接，所述第一金属膜和所述第二金属膜夹着由与所述第一栅极绝缘膜相同的绝缘材料形成的侧壁绝缘膜而彼此分开。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述第一金属膜与所述第二金属膜由材料或者组成比相互不同的金属材料形成。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

进一步包括：

形成在所述第一栅电极上的第一硅化物层、以及

形成在所述第二栅电极上的第二硅化物层。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于： 

所述第一栅极绝缘膜由电介质膜构成；

所述第二栅极绝缘膜由氧化硅膜或者氮氧化硅膜构成。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：

所述电介质膜由金属氧化膜构成。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：

所述电介质膜中含有铪、钽、锆、钛、铝、钪、钇以及镧的氧化物中的至少一种氧化物。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述第一栅极绝缘膜由第一电介质膜构成；

所述第二栅极绝缘膜由第二电介质膜构成；

所述第一电介质膜和第二电介质膜由材料或者组成比相互不同的绝缘材料形成。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

进一步包括第三金属绝缘体半导体晶体管，该第三金属绝缘体半导体晶体管具有所述半导体衬底的被所述元件隔离区域包围的第三活性区域、形成在所述第三活性区域上的第三栅极绝缘膜以及形成在所述第三栅极绝缘膜上的第三栅电极；

所述第三栅极绝缘膜的膜厚比所述第二栅极绝缘膜的膜厚厚，且所述第三栅极绝缘膜由与所述第二栅极绝缘膜相同的绝缘材料形成。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

进一步包括：

形成在所述第一栅电极的侧面上的第一侧壁、

形成在所述第一活性区域的所述第一侧壁的外侧的第一源极·漏极区域、

形成在所述第二栅电极的侧面上的第二侧壁、以及

形成在所述第二活性区域的所述第二侧壁的外侧的第二源极·漏极区域。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于：

进一步包括：

形成在所述第一源极·漏极区域上的第三硅化物层、以及 

形成在所述第二源极·漏极区域上的第四硅化物层。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述侧壁绝缘膜与所述第一栅极绝缘膜形成为一体。