[发明专利]真空处理装置以及真空处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种在角筒形处理容器内，在例如FPD(Flat PanelDisplay：平板显示器)基板等四边形基板上进行规定真空处理的真空处理装置以及真空处理方法。

背景技术

例如在FPD基板的制造工序过程中，有在减压氛围下对FPD基板实施蚀刻处理或成膜处理等规定的真空处理的工序，例如这些处理是在具备角筒形处理容器的真空处理装置中进行的。当以进行所述蚀刻处理的装置为例，根据图19对该真空处理装置的一例进行简单的说明时，图19中标号1表示的是四边形处理腔室，该处理腔室1由容器主体11以及能够开合该容器主体的盖体12构成。

在所述处理腔室1的内部设置有用来载放FPD基板S的载放台10，同时，按照与该载放台10相对的方式设置有作为等离子体发生用的上部电极的处理气体供给部13。从处理气体供给部13向处理腔室1内供给处理气体，通过排气通道14对处理腔室1内进行抽真空，另一方面，从高频电源15向处理气体供给部13施加高频电力，于是，在基板S的上方空间形成处理气体的等离子体，以此对基板S进行蚀刻处理。

为了能够进行内部的维修，所述盖体12以相对于容器主体11能够装卸自如的方式而设置，在容器主体11与盖体12的接合面上，如图19所示，设置有可用来将处理腔室1内部抽成真空而形成气密空间的密封部件16，同时，设置有用来使容器主体11与盖体12相互导通的缠绕屏蔽17。

另外，在容器主体11和盖体12的侧壁部11A、12A，如图19、图20所示，以从周向围绕处理腔室1的内部空间的方式分别形成用来使调温流体流通的调温流路18a、18b。通过使被调温至规定温度的调温流体从调温流体供给部19在该调温流路18a、18b中流通，于是，处理腔室1的内部就被调整至规定的温度，例如60℃～120℃。

但是，由于FPD基板S是大型基板，所以，处理腔室1也变成在平面形状中的一边的尺寸分别是2.5m、2.2m的大型角筒形腔室，如果加热该处理腔室1，则如图21所示，在处理腔室1的4个角部，在容器主体11与盖12的接合面上形成缝隙100。对于其原因有如下看法。即，因所述调温流路18在容器主体11和盖体12的侧壁部11A、12A的内部形成，所以在加热时处理腔室1从周边一侧(侧壁部一侧)开始被加热。

因此，在容器主体11以及盖体12中，由于与其中央部相比容器主体11和盖体12的侧壁部先升温，所以，所述容器主体11以及盖体12的接合部的温度比所述中央部高。此处，因温度越高热膨胀导致的拉伸程度越大，所以，与容器主体11的底面以及盖体12的顶部相比，所述接合部因热膨胀导致的拉伸程度更大。因此，如图22所示，产生从所述接合部的角部(以下称“接合角部”)向盖体12(或者容器主体11)的力，所述接合角部分别在盖体12中朝上，在容器主体11中朝下进行移动，所以可推测出在所述接合角部发生盖体12以及容器主体11的翘曲。

此处，当处理腔室1加热时，在容器主体11和盖体12之间形成的缝隙100会在处理腔室1升温时随着腔室温度的升高而变大，随着处理腔室1的温度在整个腔室中变得均匀而逐渐聚拢。但是，即使在处理腔室1的周边部之后中央部的温度到达平衡状态的时刻，仍然存在所述缝隙100，其大小与设定温度成正比。

如果容器主体11和盖体12之间的缝隙100很小，则通过对处理腔室1内进行抽真空，容器主体11和盖体12相互紧贴，于是就能保持规定的真空度，但是，如果所述缝隙100例如是1mm左右以上，那么，即使对处理腔室1内进行抽真空，容器主体11和盖体12也不会相互紧贴，从而无法达到规定的真空度。

可是，当进行所述蚀刻处理时，在处理开始时或因维修等打开处理腔室1使之暂时置于大气中之后再度进行处理的情况下，考虑总处理能力，一般情况下是同时进行处理腔室1的抽真空与处理腔室1的加热。在这种情况下，抽真空先于处理腔室1的加热而完成，但如已述那样，由于在处理腔室1升温时，在容器主体11和盖体12之间形成缝隙100并逐渐变大，因此，设定温度高时，在加热处理腔室1期间，则无法保持抽完真空的处理腔室1的真空度，如果所述缝隙100例如超过1mm，那么，就有可能发生真空破坏(泄漏)。

此外，通过处理，将处理腔室1保持在真空状态不变，有时更改处理腔室1的温度，有时例如在设定温度为60℃的条件下进行蚀刻处理之后，使设定温度上升至90℃或120℃，但在这种情况下，在加热处理腔室1期间，容器主体11和盖体12之间的缝隙100逐渐变大，无法维持处理腔室1的真空度，也有可能发生真空破坏。