[发明专利]真空处理装置以及真空处理方法

权利要求书

1.一种真空处理装置，其特征在于，包括：

角筒形处理容器，在其内部对基板进行真空处理，该角筒形处理容器具备在内部保持有基板并且一端开口的容器主体、和以封闭该容器主体的开口部的方式装卸自如地设置的盖体；

调温单元，其被设置在所述盖体以及/或容器主体中与所述开口部相对的面部，用于加热该处理容器；和

真空排气单元，用于对所述处理容器的内部进行真空排气，其中，

所述调温单元为了在所述处理容器升温时抑制所述盖体以及容器主体的接合部的翘曲，而被设置成使设置有所述调温单元的面部的中央部的温度比处理容器的侧壁角部的温度高，或者使设置有所述调温单元的面部的中央部的温度比所述侧壁角部的温度略低。

2.如权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于：

当将所述处理容器加热至设定温度时，在处理容器升温时，在设置有所述调温单元的面部的中央部的温度比所述侧壁角部的温度略低的情况下，设置有所述调温单元的面部的外面的中央部的温度与所述侧壁角部中盖体和容器主体的接合部的外面的温度之差的平均值为不到所述设定温度的9％。

3.如权利要求1或2所述的真空处理装置，其特征在于：

所述调温单元包括：

在所述盖体以及/或容器主体中与所述开口部相对的面部的内部，以迂回所述处理容器的侧壁角部的方式而形成的调温流路；以及

使被调整至设定温度的调温流体在该调温流路中流通的单元。

4.如权利要求1至3中任一项所述的真空处理装置，其特征在于：

所述调温单元包括在所述处理容器的设置有调温单元的面部以外的侧壁部，以围绕该侧壁部的方式而形成的调温流路。

5.如权利要求3或4所述的真空处理装置，其特征在于：

在所述盖体以及/或容器主体中所形成的所有调温流路是一个连续的流路。

6.如权利要求5所述的真空处理装置，其特征在于：

在所述盖体以及/或容器主体中形成的调温流路具有分支的多个通道。

7.如权利要求1至6中任一项所述的真空处理装置，其特征在于：

所述调温单元包括在所述盖体以及/或容器主体中的与所述开口部相对的面部所设置的加热器。

8.如权利要求1至7中任一项所述的真空处理装置，其特征在于：

所述盖体以及/或容器主体的与所述开口部相对的面部的一方是盖体的顶部，另一方是容器主体的底部。

9.如权利要求1至8中任一项所述的真空处理装置，其特征在于：

在所述处理容器的内部具有用来载放四边形基板的载放台；以及

用来对所述基板进行等离子体处理的、在所述处理容器的内部产生等离子体的单元。

10.一种真空处理方法，其特征在于：

其是在包括一端开口的容器主体、以及为了封闭该容器主体的开口部而以装卸自如的方式设置的盖体的各个筒形处理容器的内部，对基板进行真空处理的真空处理方法，该方法包括：

在所述容器主体的内部保持基板的工序；

对在内部保持有基板的处理容器进行真空排气的工序；

为了在所述处理容器升温时抑制所述盖体以及/或容器主体的接合部中的翘曲，利用在所述盖体以及/或容器主体的与所述开口部相对的面部所设置的调温单元，使设置有所述调温单元的面部的中央部的温度比处理容器的侧壁角部的温度高，或者使设置有所述调温单元的面部的中央部的温度比所述侧壁角部的温度略低，由此来加热所述处理容器的工序；以及

在被真空排气并被加热的处理容器的内部，对基板进行真空处理的工序。

11.如权利要求10所述的真空处理方法，其特征在于：

当将所述处理容器加热至设定温度时，在处理容器升温时，在设置有所述调温单元的面部的中央部的温度比所述侧壁角部的温度略低的情况下，设置有所述调温单元的面部的外面的中央部的温度与所述侧壁角部中盖体和容器主体的接合部的外面的温度之差的平均值为不到所述设定温度的9％。

12.如权利要求10或11所述的真空处理方法，其特征在于：

使用调温单元来加热处理容器，其中，该调温单元包括在所述盖体以及/或容器主体中的与所述开口部相对的面部的内部、以迂回所述处理容器的侧壁角部的方式而形成的调温流路，以及使被调整至设定温度的调温流体在该调温流路中流通的单元。