[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括第一金属绝缘体半导体晶体管和第二金属绝缘体半导体晶体管，其特征在于：

上述第一金属绝缘体半导体晶体管包括第一栅极绝缘膜和第一栅极电极，该第一栅极绝缘膜形成在基板的第一活性区域上，该第一栅极电极形成在上述第一栅极绝缘膜上；

上述第二金属绝缘体半导体晶体管包括第二栅极绝缘膜和第二栅极电极，该第二栅极绝缘膜形成在上述基板的第二活性区域上，介电常数低于上述第一栅极绝缘膜，该第二栅极电极形成在上述第二栅极绝缘膜上；

在上述第一栅极电极及上述第二栅极电极各自的侧面上形成有同一结构的绝缘性侧壁隔离物。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述第一栅极绝缘膜的厚度与上述第二栅极绝缘膜的厚度相等或者小于上述第二栅极绝缘膜的厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述第一金属绝缘体半导体晶体管和上述第二金属绝缘体半导体晶体管的导电型相同；

上述第一金属绝缘体半导体晶体管的动作电压低于上述第二金属绝缘体半导体晶体管的动作电压。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述第一栅极绝缘膜的厚度大于上述第二栅极绝缘膜的厚度。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述第一金属绝缘体半导体晶体管为N型金属绝缘体半导体晶体管；

上述第二金属绝缘体半导体晶体管为P型金属绝缘体半导体晶体管。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述第一金属绝缘体半导体晶体管和上述第二金属绝缘体半导体晶体管的导电型相同；

上述第一金属绝缘体半导体晶体管的动作电压与上述第二金属绝缘体半导体晶体管的动作电压相同；

上述第一金属绝缘体半导体晶体管的阈值电压高于上述第二金属绝缘体半导体晶体管的阈值电压。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述第一栅极绝缘膜包含高介电常数绝缘膜。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：

在上述高介电常数绝缘膜上形成有氮化硅膜。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：

上述高介电常数绝缘膜的上部被氮化。

10.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：

在上述高介电常数绝缘膜下形成有缓冲绝缘膜。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述第二栅极绝缘膜为二氧化硅膜或者氮氧化硅膜。

12.根据权利要求1到11中任意一项所述的半导体装置，其特征在于：

上述第一栅极电极为全硅化物电极；

上述第二栅极电极为全硅化物电极或者包含多晶硅电极。

13.根据权利要求1到11中任意一项所述的半导体装置，其特征在于：

上述第一栅极电极及上述第二栅极电极分别为金属栅极电极。

14.根据权利要求1到11中任意一项所述的半导体装置，其特征在于：

上述第一栅极电极为金属栅极电极；

上述第二栅极电极包含与上述第二栅极绝缘膜接触的多晶硅电极。

15.根据权利要求1到11中任意一项所述的半导体装置，其特征在于：

上述第一栅极电极包含与上述第一栅极绝缘膜接触的金属栅极电极；

上述第二栅极电极包含与上述第二栅极绝缘膜接触的多晶硅电极。

16.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征在于：

该半导体装置还包括第三金属绝缘体半导体晶体管；

上述第三金属绝缘体半导体晶体管包括第三栅极绝缘膜和第三栅极电极，该第三栅极绝缘膜形成在上述基板的第三活性区域上，由与上述第一栅极绝缘膜相同的绝缘膜构成，该第三栅极电极形成在上述第三栅极绝缘膜上；

上述第三栅极电极包含与上述第三栅极绝缘膜接触的其它金属栅极电极；

在上述第三栅极电极的侧面上也形成有上述同一结构的绝缘性侧壁隔离物。