[发明专利]半导体封装用环氧树脂组合物及半导体器件

权利要求书

1.用于封装半导体芯片的环氧树脂组合物，其包括：

(A)环氧树脂；

(B)酚醛树脂；

(C)固化促进剂；

(D)无机填料；

(E)脱模剂；

(F)硅烷偶联剂；和

(G)一种化合物，其具有带羟基的芳环，每个羟基与构成所述芳环的分别两个或以上的相邻的碳原子结合，

其中所述的(A)环氧树脂和所述(B)酚醛树脂中的至少一种含有由如下通式(1)所表示的树脂：

其中多个R相同或不同，代表选自由氢原子和具有1～4个碳的烷基组成的组中的官能团；X代表缩水甘油醚基团或羟基；且n代表一个平均值，其数值为1～3范围内的正数，

其中所述(E)脱模剂包括一种或多种选自由(E1)氧化聚乙烯蜡、(E2)三脂肪酸甘油酯和(E3)氧化石蜡组成的组中的化合物，且

其中所述(E)脱模剂的含量为总环氧树脂组合物的0.01wt％～1wt％，包括两个端点值，所述(G)化合物的含量为总环氧树脂组合物的0.01wt％～1wt％，包括两个端点值。

2.如权利要求1所述的用于封装半导体芯片的环氧树脂组合物，其中，所述(G)化合物由如下通式(2)所表示：

其中R1和R5的其中一个是羟基，另一个是氢原子、羟基或除羟基外的取代基，R2、R3和R4各独立为氢原子、羟基或除羟基外的取代基，或R2和R3、R3和R4联合形成芳环。

3.如权利要求1或2所述的用于封装半导体芯片的环氧树脂组合物，其中所述(E)脱模剂是(E1)氧化聚乙烯蜡。

4.如权利要求3所述的用于封装半导体芯片的环氧树脂组合物，其中所述(E1)氧化聚乙烯蜡的滴点为100℃～140℃，包括两个端点值。

5.如权利要求3或4所述的用于封装半导体芯片的环氧树脂组合物，其中所述(E1)氧化聚乙烯蜡的平均粒径为20μm～70μm，包括两个端点值，且粒径等于或大于106μm的颗粒在总(E1)氧化聚乙烯蜡中的含量等于或小于0.1wt％。

6.如权利要求3至5中任一项所述的用于封装半导体芯片的环氧树脂组合物，其中所述(E1)氧化聚乙烯蜡的酸值为10mg KOH/g至50mgKOH/g，包括两个端点值。

7.如权利要求3至6中任一项所述的用于封装半导体芯片的环氧树脂组合物，其中所述(E1)氧化聚乙烯蜡的数均分子量为500～5,000，包括两个端点值。

8.如权利要求3至7中任一项所述的用于封装半导体芯片的环氧树脂组合物，其中所述(E1)氧化聚乙烯蜡的密度为0.94g/cm³～1.03g/cm³，包括两个端点值。

9.如权利要求3至8中任一项所述的用于封装半导体芯片的环氧树脂组合物，其中所述(E1)氧化聚乙烯蜡包括一种或多种氧化物，其选自由通过低压聚合工艺生产的聚乙烯蜡的氧化物；通过高压聚合工艺生产的聚乙烯蜡的氧化物；和高密度聚乙烯聚合物的氧化物组成的组。

10.如权利要求1或2所述的用于封装半导体芯片的环氧树脂组合物，其中所述(E)脱模剂是(E2)三脂肪酸甘油酯。

11.如权利要求10所述的用于封装半导体芯片的环氧树脂组合物，其中所述(E2)三脂肪酸甘油酯的滴点为70℃～120℃，包括两个端点值。

12.如权利要求10或11所述的用于封装半导体芯片的环氧树脂组合物，其中所述(E2)三脂肪酸甘油酯的平均粒径为20μm～70μm，包括两个端点值，且粒径等于或大于106μm的颗粒在总(E2)三脂肪酸甘油酯中的含量等于或小于0.1wt％。

13.如权利要求10至12中任一项所述的用于封装半导体芯片的环氧树脂组合物，其中所述(E2)三脂肪酸甘油酯的酸值为10mg KOH/g至50mg KOH/g，包括两个端点值。

14.如权利要求10至13中任一项所述的用于封装半导体芯片的环氧树脂组合物，其中所述(E2)三脂肪酸甘油酯是甘油与具有20～36个碳原子的饱和脂肪酸的三酯化合物。