[发明专利]基于引线框架的半导体封装件中或与之相关的改进及其制造方法有效
申请号: | 200580052356.9 | 申请日: | 2005-12-21 |
公开(公告)号: | CN101385139A | 公开(公告)日: | 2009-03-11 |
发明(设计)人: | 罗伯特·鲍尔;安东·科尔贝克 | 申请(专利权)人: | 飞思卡尔半导体公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陆锦华;穆德骏 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 引线 框架 半导体 封装 与之 相关 改进 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造半导体封装件的方法,所述封装件包括表面,该表面用于通过接头将该封装件附接到器件,所述接头由连接材料形成在所述表面的接合区域中,所述方法包括下列步骤:
-在所述表面上构图一个或多个沟槽,所述沟槽朝向所述表面的边缘从所述接合区域延伸出;
-将化合物涂覆到所述一个或多个沟槽,所述化合物与所述连接材料相互作用,使得当将所述半导体封装件附接到所述器件时,所述相互作用在所述连接材料中限定一个或多个通路,该一个或多个通路与所述表面上的所述一个或多个沟槽相对应,并且该一个或多个通路允许多余材料从中通过从而离开所述接合区域到达所述表面的外部边缘;
其特征在于,所述方法还包括:将加强元件(408)引入到所述沟槽或每个沟槽(402)中,其中,所述沟槽具有两个细长的侧面,并且将所述加强元件引入在所述两个侧面之间的点处,以防止它们之间的相对运动。
2.如权利要求1所述的方法,还包括:将所述加强元件(408)形成为使从横截面看为拱形且从俯视图看为弓形。
3.如权利要求1或权利要求2所述的方法,其特征在于所述方法还包括:涂覆具有比所述表面可润湿性低的可润湿性的化合物,使得通过所述连接材料与所述化合物的非润湿而形成所述通路。
4.如权利要求1或权利要求2所述的方法,还包括下列步骤:
-在所述封装件和所述器件之间形成所述连接材料的流体层,所述流体层从所述沟槽中的所述化合物流出,以限定所述连接材料中的所述通路;
-使所述流体层固化以形成所述接头;以及
-通过所述通路排出在所述步骤期间形成的任何多余产物。
5.如权利要求1或权利要求2所述的方法,还包括:涂覆所述化合物,作为将模料化合物涂覆到所述封装件以密封该封装件的步骤的一部分。
6.如权利要求5所述的方法,还包括:在所述封装件表面的一个或多个边缘处构图凹口(308),以提供下述表面,所述模料化合物可以贴附到该表面上,从而在表面边缘处提供重叠的密封。
7.如权利要求1或权利要求2所述的方法,还包括:将一个或多个器件附接到所述封装件。
8.如权利要求1或权利要求2所述的方法,还包括下列步骤:
-在任何器件的表面上构图一个或多个另外的沟槽,
-将与所述连接材料相互作用的化合物涂覆到所述一个或多个另外的沟槽,使得当将所述半导体封装件附接到所述器件时,所述连接材料已经在其中限定了一个或多个另外的通路,该一个或多个另外的通路与所述器件的所述表面上的所述一个或多个另外的沟槽相对应,并且所述一个或多个另外的通路允许多余材料从中通过从而离开所述接头。
9.如权利要求8所述的方法,还包括:将所述沟槽以及另外的沟槽形成为彼此相对应,使得所述通路和另外的通路形成扩充的通路。
10.一种半导体封装件,包括表面,该表面用于通过接头而将所述封装件附接到器件,所述接头由连接材料形成在所述表面的接合区域中,其中所述封装件包括:
-所述表面上的一个或多个沟槽(202、204、302、304、402、404等),所述沟槽从所述接合区域延伸出;
-化合物,该化合物与基本位于所述沟槽或每个沟槽中的所述连接材料相互作用,使得当将所述半导体封装件附接到所述器件时,所述连接材料已经在其中限定了一个或多个通路,该一个或多个通路与所述表面上的所述一个或多个沟槽相对应,并且该一个或多个通路允许多余材料从中通过从而离开所述接合区域;
其特征在于,所述沟槽包括一个或多个加强元件(408)。
11.如权利要求10所述的半导体封装件,其特征在于,所述加强元件从横截面看为基本拱形并且从俯视图看为基本弓形。
12.如权利要求10或权利要求11所述的半导体封装件,其特征在于,所述表面是引线框架的一部分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞思卡尔半导体公司,未经飞思卡尔半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200580052356.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。