[发明专利]SiGeC半导体结晶及其制造方法

权利要求书

1.一种SiGeC半导体结晶的制造方法，其特征是：包括：

在衬底上，使具有用添加了载流子用杂质的Si_1-x-yGe_xC_y(0＜x＜1，0.01≤y＜1)所表示的组成的SiGeC半导体结晶外延成长的步骤(a)；

实施用于使所述SiGeC半导体结晶中的载流子用杂质活性化的热处理的步骤(b)。

2.根据权利要求1所述的SiGeC半导体结晶的制造方法，其特征是：

所述热处理的温度是在700℃以上、1000℃以下的范围内。

3.根据权利要求1或2所述的SiGeC半导体结晶的制造方法，其特征是：

所述外延成长是以Si、Ge、C和B中的至少任意一种材料的氢化物作为原料的化学气相成长法。

4.一种SiGeC半导体结晶，其特征是：

把2组以上的、包含载流子用杂质的Si_1-zGe_z(0＜z＜1)层和载流子用杂质的浓度比该Si_1-zGe_z层更低的Si_1-wC_w(0.01≤w＜1)层交替叠层而构成；

作为具有以Si_1-x-yGe_xC_y(0＜x＜1，0.01≤y＜1)所表示的组成的SiGeC半导体结晶来发挥作用。

5.根据权利要求4所述的SiGeC半导体结晶，其特征是：

所述Si_1-zGe_z层和Si_1-wC_w层的厚度比产生离散的量子化准位的厚度更薄。

6.根据权利要求4或5所述的SiGeC半导体结晶，其特征是：

所述Si_1-zGe_z层和Si_1-wC_w层分别具有1.0nm以下的厚度。