[发明专利]布线及其制造方法、包括所说布线的半导体器件及干法腐蚀方法

权利要求书

1．一种布线，包括钨膜、具有钨化合物作其主要成分的金属化合物膜或具有钨合金作其主要成分的金属合金膜，其中所说布线的锥角(α)为5-85度。

2．一种布线，包括自钨膜、具有钨化合物作其主要成分的金属化合物膜、具有钨合金作其主要成分的金属合金膜中选择的薄膜层叠的层叠结构，其中所说布线的锥角(α)为5-85度。

3．根据权利要求1或2的布线，其中所说金属合金膜是选自Ta、Ti、Mo、Cr、Nb及Si和钨中一种元素或多种元素构成的合金膜。

4．根据权利要求1或2的布线，其中所说金属化合物膜是钨的氮化物膜。

5．根据权利要求2的布线，其中所说布线的最下层是具有导电性的硅膜。

6．一种半导体器件，包括由钨膜、具有钨化合物作其主要成分的金属化合物膜或具有钨合金作其主要成分的金属合金膜构成的布线，其中所说布线的锥角(α)为5-85度。

7．一种半导体器件，包括由选择自钨膜、具有钨化合物作其主要成分的金属化合物膜、具有钨合金作其主要成分的金属合金膜的层叠薄膜的层叠结构的布线，其中所说布线的锥角(α)为5-85度。

8．根据权利要求6或7的半导体器件，其中所说布线是薄膜晶体管的栅布线。

9．根据权利要求6或7的半导体器件，其中所说半导体器件是有源矩阵型液晶显示器件。

10．根据权利要求6或7的半导体器件，其中所说半导体器件是EL显示器件。

11．根据权利要求6或7的半导体器件，其中所说半导体器件是选自视频摄像机、数字摄像机、投影仪、眼镜式显示器、汽车导航系统、个人电脑、或便携式信息终端中的一种。

12．一种半导体器件，包括：

基片上的半导体层，所说半导体层包括邻接所说半导体层中的沟道形成区的轻掺杂区；及

邻近所说半导体层的栅电极，两者间具有栅绝缘膜，

其中所说栅电极包括钨膜、具有钨化合物作其主要成分的金属化合物膜或具有钨合金作其主要成分的金属合金膜，其中所说布线的锥角(α)为5-85度。

13．根据权利要求12的半导体器件，其中所说半导体器件是有源矩阵型液晶显示器件。

14．根据权利要求12的半导体器件，其中所说半导体器件是EL显示器件。

15．根据权利要求12的半导体器件，其中所说半导体器件是选自视频摄像机、数字摄像机、投影仪、眼镜式显示器、汽车导航系统、个人电脑、或便携式信息终端中的一种。

16．一种形成布线的方法，包括以下步骤：

在底膜上形成金属薄膜；

在所说金属薄膜上形成抗蚀剂图形；及

通过腐蚀具有所说抗蚀剂图形的所说金属薄膜，形成所说布线，

其中根据ICP腐蚀装置的偏置功率密度控制所说布线的锥角(α)。

17．一种形成布线的方法，包括以下步骤：

在底膜上形成金属薄膜；

在所说金属薄膜上形成抗蚀剂图形；及

通过腐蚀具有所说抗蚀剂图形的所说金属薄膜，形成所说布线，

其中根据含氟气体的流速控制所说布线的锥角(α)。

18．根据权利要求16或17的形成布线的方法，其中利用包括含氟的第一反应气体和含氯的第二反应气体的混合气体的腐蚀气，进行所说腐蚀，所说底膜和所说金属薄膜之间的所说腐蚀气的特定选择率为2．5以上。

19．根据权利要求16或17的形成布线的方法，其中所说金属薄膜是选自钨膜、具有钨化合物作其主要成分的金属化合物膜、具有钨合金作其主要成分的金属合金的一种薄膜或各薄膜的层叠膜。

20．一种干法腐蚀的方法，包括利用腐蚀气去掉选自钨膜、具有钨化合物作其主要成分的金属化合物膜、具有钨合金作其主要成分的金属合金的薄膜的希望部分，其中所说腐蚀气是含氟的第一反应气体和含氯的第二反应气体的混合气体。