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[发明专利]一种Split Gate-IGBT结构及其制作方法-CN201910988747.5在审
发明人：徐守一;陈思凡;蔡铭进 -专利权人：厦门芯达茂微电子有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种Split Gate‑IGBT结构及其制作方法，其中，Split Gate‑IGBT结构，包括Split Gate结构、Trench Gate结构；所述Split Gate结构之间设有一个或多个Trench Gate结构。本发明提供的Split Gate‑IGBT结构，通过在Split Gate结构中间设置一个或者多个Trench Gate结构，将两者的优点相结合，在拥有较快开关速度的同时，还可进一步提高器件元胞密度，降低饱和压降；另外，还可以通过控制Trench Gate的数量来优化IGBT的开关性能。
饱和压降开关性能器件元胞制备工艺中间设置快开关制备制作优化

[发明专利]一种生产NLDMOS器件的方法及NLDMOS器件-CN202011384103.4在审
发明人：宋利军;张子敏 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该方法包括首先在一提供一低阻P+型衬底；然后在所述低阻P+型衬底形成BN区域、两个STI区域及Nwell层；然后在所述Nwell层两侧分别刻蚀出Trench区域；再在所述Trench区域形成栅极；然后在所述STI区域和所述Trench区域之间生成源极区域；最后在所述Trench区域之间生成漏极区域；本发明提供的方法生产得到的NLDMOS器件面积大大减小，使电流检测功能的器件可集成。
一种生产 nldmos 器件方法

[发明专利]MEMS开关用高升压倍数电荷泵电路及其制造方法-CN201610256375.3有效
发明人：孙俊峰;朱健;郁元卫;李晓鹏 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2016-04-25 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明是MEMS开关用高升压倍数电荷泵电路，其结构是第二Trench结构的版图、第三Trench结构的版图分别包围第一Trench结构的版图，SOI晶片从上到下为顶层硅，二氧化硅层，高阻载片；在SOI晶片的顶层硅上进行Trench结构，实现每个MOS管衬底电学隔离，MOS管和第三电容互连构成电荷泵子电路单元，若干级电荷泵子电路单元和输出级级联构成整个电荷泵电路。
mems 开关升压倍数电荷电路及其制造方法

[发明专利]高压MOS功率器件终端特性仿真等效模型-CN201710492493.9在审
发明人：沈立 -专利权人：上海卓弘微系统科技有限公司
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明对于高压深Trench的MOS器件终端仿真，提出一种等效仿真模型（图1）。其特点是：由与原终端Trench等距等宽度的PN结组成，并且各部分参杂种类和浓度相同，可以大致模拟出原终端横向的崩溃电压。非90度角Trench器件的终端，某一深度的横向崩溃电压，亦可由此模型模拟，此时，等效模型中的PN结宽度由该深度下器件的Trench宽度与距离确定。
崩溃电压等效模型原终端终端等效仿真等效结构仿真程序功率器件距离确定模型模拟时间成本终端仿真终端特性高压MOS 等距节约

[实用新型]一种适用于dummy-trench功率器件的版图-CN201220702762.2有效
发明人：褚为利;朱阳军;胡爱斌;赵佳;喻巧群;田晓丽 -专利权人：中国科学院微电子研究所;江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型涉及版图技术领域，公开了一种适用于dummy-trench功率器件的版图包括：dummy栅极结构刻蚀窗口、trench栅极结构刻蚀窗口、源极金属刻蚀窗口、dummy栅极金属刻蚀窗口、trench栅极金属刻蚀窗口、源极金属接线板刻蚀窗口、dummy栅极接线板刻蚀窗口及trench栅极接线板刻蚀窗口。
一种适用于 dummy trench 功率器件版图

[实用新型]一种Split Gate-IGBT结构及器件-CN201921743997.4有效
发明人：徐守一;陈思凡;蔡铭进 -专利权人：厦门芯达茂微电子有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型提供一种Split Gate‑IGBT结构及器件，其中，Split Gate‑IGBT结构，包括Split Gate结构、Trench Gate结构；所述Split Gate结构之间设有一个或多个Trench Gate结构。本实用新型提供的Split Gate‑IGBT结构，通过在Split Gate结构中间设置一个或者多个Trench Gate结构，在拥有较快开关速度的同时，还可进一步提高器件元胞密度，降低饱和压降；同时方便通过控制Trench Gate的数量来优化IGBT的开关性能。
一种 split gate igbt 结构器件

[发明专利]一种Trench‑RB‑IGBT的制备方法-CN201310616655.7有效
发明人：滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽 -专利权人：上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种Trench‑RB‑IGBT的制备方法，包含制作IGBT的正面结构；在所述IGBT的背面刻蚀形成沟槽；对所述沟槽的槽壁进行B离子注入；向所述沟槽填充SiO2，得到所述Trench‑RB‑IGBT本发明提供的Trench‑RB‑IGBT的制备方法，在IGBT的背面刻蚀形成沟槽，芯片之间划片后的断面为垂直面，不会出现脆弱的尖角，因此相对现有方案更加坚固。
一种 trench rb igbt 制备方法

[发明专利]沟槽型双扩散金属氧化物半导体晶体管的制作方法-CN200910093317.3有效
发明人：马万里;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2009-09-17 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种Trench DMOS的制作方法，用以解决现有技术TrenchDMOS制作效率低、周期长的问题。该方法在栅氧化层处理后的Trench中沉积POLY层，沉积的每个POLY柱子的高度较Trench的水平面高；在BODY层中注入第一类型的离子；根据每个POLY柱子的高度，及相邻的两个POLY柱子的间距，调整离子注入机的注入角度，使第二类型的离子以一定的角度注入SRC层得到Trench DMOS。如本发明提出的方案，使第二类型的离子以一定的角度注入SRC层，由于具有一定的角度注入，因此实现了在BODY层部分阻挡SRC层离子注入的目的，从而省去了做SRC层光刻的工序，从而缩短了Trench DMOS
沟槽扩散金属氧化物半导体晶体管制作方法

[实用新型]一种trench mos器件-CN202123295542.0有效
发明人：李生龙;陈晓芸;王蓉 -专利权人：兰州飞行控制有限责任公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种trench mos器件，所述trench mos器件包括主芯片区和设置在主芯片区之外的外围保护环区，所述主芯片区保护重复设置的晶胞单元，所述晶胞单元包括依次设置的栅极沟槽和两个相同的接触孔本实用新型所提供的trench mos器件将现有技术中的单个大尺寸接触孔替换成两个小尺寸的接触孔，小尺寸接触孔的钨淀积后不会产生较为明显的凹陷，后续刻蚀工艺中不会将钨刻蚀到接触孔的硅表面，铝层溅射后不会形成尖楔该trench mos器件生产流程与传统trench mos器件的生产流程相同，不增加产品制程成本，产品各方面的电性参数同时满足要求。
一种 trench mos 器件

[发明专利]一种提高Trench肖特基抗沾污能力的方法-CN202111489479.6在审
发明人：曲亮 -专利权人：厦门吉顺芯微电子有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高Trench肖特基抗沾污能力的方法。在原有Trench肖特基生产基础上增加一步新的流程，解决接触孔层沾污对势垒的影响，有效提高期间可靠性。
一种提高 trench 肖特基抗沾污能力方法

[实用新型]适用于金属丝键合的trench肖特基芯片-CN201620789822.7有效
发明人：王永彬;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2016-07-25 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：适用于金属丝键合的trench肖特基芯片。涉及肖特基芯片，尤其涉及适用于金属丝键合的肖特基芯片。提供了一种在芯片区域内增加平面键合区域，避免沟槽损伤的适用于金属丝键合的trench肖特基芯片。所述trench区域上还设有平面键合区，所述平面键合区为光滑平面，所述平面键合区上敷设表面金属。所述trench区域的边缘和平面键合区的边缘分别设有保护环。所述沟槽的内壁经过氧化处理，形成二氧化硅层。
适用于金属丝 trench 肖特基芯片

[发明专利]一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管-CN201710600062.X在审
发明人：甘朝阳;董少华;刘江;朱涛;金锐;温家良;潘艳 -专利权人：全球能源互联网研究院
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供的技术方案中倒T形P岛延伸至trench底部，可以降低trench底部电场，保护trench底部不被击穿，而且可以为漂移区提供空穴载流子，从而增大P‑well下方的空穴载流子浓度，增强电导调制效应，降低导通电阻，且距离P‑well较近，关断时多余的空穴载流子可以迅速被扫出，关断电流较小；T型P岛为一体，充满整个dummy trench底部，可以平衡电场，保证器件耐压。
一种沟槽绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]一种芯片防伪微码识别结构及其识别系统和制备方法-CN202010942447.6在审
发明人：冯骅 -专利权人：冯骅
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明的芯片防伪微码识别结构包括支撑垫层、金属层、设置于金属层表面的光学识别码层；金属层包括Dummy金属的发射极金属刻蚀窗口、trench栅极金属刻蚀窗口、栅极PAD、trench栅极连接总线、trench本发明芯片防伪微码识别结构具有内部为旋涡型的trench栅极连接总线，增强对金属层结构的保护作用，从而增大了器件的击穿电压；设计简单明了，实用性强；射频矩阵读取和光学设备读取两种识读方法相互依存，互为校验
一种芯片防伪微码识别结构及其系统制备方法

[发明专利]一种抗辐照硅基雪崩光电二极管的制备方法及结构-CN202210147022.5在审
发明人：杨强;谢儒彬;陈全胜;张明;葛超洋;吴建伟 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：在P‑雪崩区、N+有源区的两侧引入Trench隔离结构，并在Trench隔离结构边缘的Si内进行抗辐照加固注入。Trench隔离结构可阻断辐照引起的漏电通道，提高了硅基APD器件抗辐照能力；另一方面，Trench隔离结构可隔离掉常见APD器件中N保护环与P外围环结构，使得器件结构更简单、尺寸更小，一片晶圆上可得到更多器件
一种辐照雪崩光电二极管制备方法结构

[发明专利]纵向BCD器件及制备方法-CN202310777048.2在审
发明人：李小红;余远强;杨世红;徐永年;苗东铭 -专利权人：陕西亚成微电子股份有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种纵向BCD器件及制备方法，纵向BCD器件包括：N型衬底、第一N型外延层、第二N型外延层、P型埋层、BCD结构和Trench VDMOS结构；第一N型外延层外延生长于N型衬底的表面，第二N型外延层外延生长于第一N型外延层的表面；BCD结构设置于第二N型外延层和P型埋层上，Trench VDMOS结构是形成于第二N型外延层上的；BCD结构设置有VBB引出端和GND引出端，Trench VDMOS结构设置有源极引出端，N型衬底下端面设置有漏极引出端，通过将Trench VDMOS结构与BCD结构集成于一体，有效地提升了BCD工艺与VDMOS的兼容性。
纵向 bcd 器件制备方法