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[发明专利]一种制备高开关比TaOx阻变随机存储器的方法-CN201810069096.5在审
发明人：王伟;高磊雯;贺洋 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备高开关比TaOx阻变随机存储器的方法，包括以下步骤：1)选用低阻的P型硅作为基片，对基片进行清洗和干燥处理；2)通过直流反应磁控溅射法在步骤1)所得基片上沉积TaOx阻变层；3)在步骤2)所得TaOx阻变层上通过磁控溅射法沉积Ag电极，得到存储器基体；4)对步骤3)所得到的存储器基体进行退火处理提高TaOx阻变层的含氧量及改善其结晶程度，得到高开关比TaOx阻变随机存储器。本发明通过直流反应磁控溅射结合氧气退火的方式获得TaOx阻变层，在施加偏压测试时，能够使阻变随机存储器的漏电电流显著减小，开关比显著提升，不易发生永久性击穿，循环周次增加。
随机存储器开关比阻变层存储器沉积制备直流反应磁控溅射法直流反应磁控溅射退火磁控溅射法永久性击穿干燥处理漏电电流退火处理含氧量循环周电极低阻减小氧气清洗施加测试

[发明专利]RRAM Cell stack TaOx制作方法和结构-CN202011362522.8在审
发明人：徐灵芝;张志刚 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种RRAM Cell stack TaOx制作方法，包括以下步骤：在MxVx层形成RRAM Cell stack的下层TiN，第一次淀积预设厚度T的Ta；在第一预设条件下形成未完全氧化的渐变TaOx层；在第二预设条件下形成过氧化Ta层；再次淀积Ta和TiN，通过光刻工艺和刻蚀工艺形成RRAM Cell Stack结构。本发明还公开了一种RRAM Cell stack TaOx结构。本发明采用改变对Ta的氧化方式来获得TaOx的渐变结构，通过分步控制氧化条件来获得TaOx阻变材料，能避免Ta过氧化难于控制造成氧空位进而满足器件设计要求。
rram cell stack taox 制作方法结构

[发明专利]一种TaO_x@Ta₂O₅核壳纳米颗粒的制备方法-CN201110236472.3无效
发明人：梁长浩;李强;张和民;刘俊;田振飞 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究所
申请日： 2011-08-17 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： B01J13/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种TaOx@Ta2O5核壳纳米颗粒的制备方法，包括：把钽单质靶材浸没在无水乙醇中，采用Nd:YAG脉冲激光，烧蚀钽单质靶材半个小时，得到TaOX@Ta2O5的胶体溶液；离心、干燥得到TaOx本发明方法具有制备周期短，实验装置简单，制备的胶体溶液非常稳定等优点；这种非常规的方法能够得到稳定存在的TaOx@Ta2O5核壳结构纳米颗粒材料，该结构的纳米材料更有利于光生电子与光生空穴的分离，降低它们的复合
一种 tao sub ta 纳米颗粒制备方法

[发明专利]基于TaO_x的自整流阻变存储器及其制备方法-CN201310141859.X有效
发明人：黄如;余牧溪;蔡一茂;黄英龙;白文亮;方亦陈;黎明 -专利权人：北京大学
申请日： 2013-04-22 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于TaOx的自整流阻变存储器及其制备方法，制备方法为：1）在衬底制备底电极，通过光刻形成底电极图形；2）对底电极图形区域进行n+/p+离子重掺杂形成底电极；3）在底电极上制备TaOx薄膜，根据底电极的掺杂类型和TaOx杂质能级范围，选择顶电极材料；4）在氧化薄膜上溅射并图形化顶电极，完成制备，得到图形化的衬底部分经过n+/p+重掺杂处理形成的底电极，在顶电极和底电极间的阻变薄膜上有一肖特基接触面和一欧姆接触面的阻变存储器本发明采用重掺杂Si做基于TaOx的RRAM底电极，并合理选择顶电极和采用合适的操作方法，实现适用于高密度集成的与CMOS工艺完全兼容的自整流存储器。
基于 tao sub 整流存储器及其制备方法

[发明专利]基于TaOx的金纳米周期性线阵列的可调控光电忆阻器-CN202211078901.3有效
发明人：倪海彬;田俊;沈依;高绪之;张思嘉;平安;倪波;常建华 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及电子信息技术领域，具体是基于TaOx的金纳米周期性线阵列的可调控光电忆阻器，包括键合有硅片的玻璃基板，所硅片的表面采用纯氩气磁控溅射沉积而成氧化铟锡膜，所述氧化铟锡膜的表面采用纯氩气磁控溅射沉积而成有铝膜，且铝膜为多孔氧化铝结构，所述铝膜的孔洞内填充有第一金纳米线，所述铝膜的上表面采用纯氩气磁控溅射沉积而成有TaOx薄膜阻变层，所述TaOx薄膜阻变层的表面电沉积有多个间隔设置的第二金纳米线，所述TaOx
基于 taox 纳米周期性阵列调控光电忆阻器

[发明专利]钴铬薄膜中具有高硼或高碳添加剂的多层垂直介质-CN03806851.6有效
发明人： Q·陈;C·布鲁克;R·Y·兰简 -专利权人：西加特技术有限责任公司
申请日： 2003-03-28 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： G11B5/64 文献下载
摘要：根据本发明的一个具体实施例，添加有碳或硼的垂直磁介质结构具体为：700FeCo_30.8B₁₂/20TaOx/700FeCo_30.8B₁₂/20TaOx/700FeCo_30.8B₁₂/20TaOx/158FeCo_30.8B_12<
薄膜具有添加剂多层垂直介质

[发明专利]一种阻变式存储单元及其形成方法-CN201210572687.7有效
发明人：李辛毅;吴华强;钱鹤 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-12-25 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提出一种阻变式存储单元及其形成方法，其中该方法包括：提供硅衬底；形成隔离层；形成底电极；在室温下通过磁控溅射以形成阻变材料层，其中，进一步包括：在第一压强、第一氛围中，通过磁控溅射在底电极之上形成TaOx和在第二压强、第二氛围中，通过磁控溅射在在第一阻变层之上形成TaOy的第二阻变层，其中0TaOx
一种阻变式存储单元及其形成方法

[发明专利]一种量子点发光二极管器件及其制备方法-CN201611091220.5有效
发明人：张东华;向超宇;张滔;李乐;辛征航 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开一种量子点发光二极管器件及其制备方法，所述器件依次包括衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层以及顶电极，其特征在于，所述衬底表面沉积有一减反层，所述减反层是由TaON或其掺杂物和TaOx本发明通过在衬底表面沉积一由TaON或其掺杂物和TaOx或其掺杂物组成的减反层；根据光的干涉原理，所述减反层可有效减少量子点发光层发出的光的反射，增加光的透射，从而达到增强量子点放光二极管器件的出光效率的目的
一种量子发光二极管器件及其制备方法

[发明专利]一种通过直流磁控溅射法制备氧化钽薄膜的方法-CN201710089165.4有效
发明人：王海钱;苏豪凯;温刘平;吴智升;王伯宇;王晓强 -专利权人：东北大学秦皇岛分校
申请日： 2017-02-20 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供的一种通过直流磁控溅射法制备氧化钽薄膜的方法，所得TaOx薄膜具有优良的离子传输性能、低的电导率和较高的透过率。氧化钽膜层致密性良好。
一种通过直流磁控溅射法制氧化薄膜方法

[发明专利]一种基于传输机制的阈值转变忆阻器的建模方法-CN202210167709.5在审
发明人：吴祖恒;邹建勋;李星;代月花 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G06F30/33 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于传输机制的阈值转变忆阻器的建模方法，利用空间电荷限制电流机制SCLC对阈值转变忆阻器进行建模；其中，所述阈值转变忆阻器包括TaOx、VOx、NbOx已被实验证明有阈值特性的忆阻器；利用直接隧传到福勒
一种基于传输机制阈值转变忆阻器建模方法

[发明专利]非易失性存储装置及其制造方法-CN201180002804.X无效
发明人：二宫健生;藤井觉;早川幸夫;三河巧 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-07-13 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：该非易失性存储装置(10)包括：第1电极层(105)，形成在半导体基板(100)上；缺氧型的第1钽氧化物层(106x)，形成在第1电极层(105)上，具有用TaOx(0.8≤x≤1.9)表示的组成；第2
非易失性存储装置及其制造方法

[发明专利]旋涂沉积金属氧化物的方法-CN201780013847.5在审
发明人：尼哈尔·莫汉蒂;利奥尔·胡利;杰弗里·史密斯;理查德·法雷尔 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-01-26 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：这包括有效旋涂沉积TiOx、ZrOx、SnOx、HFOx、TaOx等。这样的材料可有助于提供材料蚀刻耐性的差异以进行差异化。
旋涂金属硬掩模填充材料沉积填充沉积物开口沉积金属氧化物金属材料材料蚀刻浮雕图案液体形式表面能差异化接触角无间隙无空隙有效地自对准侧壁多线狭缝阻挡创建

[发明专利]一种基于氧化钽/二维黒砷磷/氧化钽的三层异质阻变存储器及其制备方法-CN201910166030.2有效
发明人：张楷亮;李闯;王芳;魏俊青;沈稼强;邸希超 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：一种基于氧化钽/二维黒砷磷/氧化钽的三层异质阻变存储器及其制备方法，由上电极Ru、阻变层氧化钽/二维黒砷磷/氧化钽和下电极TiN构成，上下氧化钽层成分均为TaOx，其中2x2.5,氧化钽介质层厚度为10
一种基于氧化二维黒砷磷三层异质阻变存储器及其制备方法

[发明专利]电阻变化型元件、不挥发性切换元件和电阻变化型存储装置-CN200880000315.9有效
发明人：村冈俊作;小佐野浩一;藤井觉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-03-27 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：上述电阻变化层由包含TaOx(1.6≤X≤2.2)的材料构成；通过在第一电压的第一电压脉冲加在上述第一电极和第二电极之间施加具有第一电压的第一电压脉冲，使上述第一电极和上述第二电极之间的电阻降低；通过在上述第一电极和上述第二电极之间施加具有与上述第一电压的极性相同的第二电压的第二电压脉冲
电阻变化元件挥发性切换存储装置

[发明专利]非易失性存储元件、非易失性存储装置、非易失性半导体装置和非易失性存储元件的制造方法-CN201080005463.7有效
发明人：藤井觉;有田浩二;三谷觉;三河巧 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-02-02 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：105)之间的电信号可逆地变化，该电阻变化层(104)由含有第一钽氧化物的第一钽氧化物层(107)和含有含氧率与第一钽氧化物不同的第二钽氧化物的第二钽氧化物层(108)层叠构成，并且当将第一钽氧化物表示为TaOx
非易失性存储元件装置半导体制造方法

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