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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种光刻掩膜板-CN202222908337.5有效
  • 辛征航;张梦杰;张孝伟;陆洋;任青;刘晓雨 - 长电集成电路（绍兴）有限公司
  • 2022-10-31 - 2023-03-28 - G03F1/34
  • 本实用新型公开了一种光刻掩膜板，包括透明基板和位于所述透明基板上的遮光膜层，所述遮光膜层的图形包括阵列排布的若干芯片区，所述芯片区大致呈矩形，其四角位置为过渡型边缘；所述过渡型边缘包括弧线段或钝角折线段。本实用新型通过将光刻掩膜板的芯片区的四角位置设置为过渡型边缘，使其用于形成介电层时在临时载板的划片道区域交叉处形成过渡型开口，能够更好地去除显影液。相较于现有技术，本实用新型简化了工艺步骤，降低了生产成本。
  • 一种光刻掩膜板
  • [发明专利]显示面板和显示装置-CN202010115735.4有效
  • 刘如胜;李俊峰;邢汝博;单奇;张萌;辛征航;赵改娜 - 昆山国显光电有限公司
  • 2020-02-25 - 2022-10-25 - H01L27/32
  • 本发明公开了一种显示面板和显示装置。显示面板至少包括第一显示区，第一显示区包括：第一基板，第一基板为透光基板；位于第一基板一侧的多个第一像素单元，第一像素单元包括第一红色子像素、第一绿色子像素和第一蓝色子像素，第一红色子像素包括层叠的第一阳极、第一红色发光层和第一阴极，第一绿色子像素包括层叠的第二阳极、第一绿色发光层和第二阴极，第一蓝色子像素包括层叠的第三阳极、第一蓝色发光层和第三阴极；其中，至少部分第一阳极的一部分为透明阳极和/或部分第一阳极为透明阳极，第二阳极和第三阳极均为非透明阳极。本发明既可保证显示面板整体显示效果的一致性，又可提高显示面板透明显示区的透光率。
  • 显示面板显示装置
  • [发明专利]显示面板及显示装置-CN202010978768.1有效
  • 辛征航;刘如胜;曲德舜;单奇;张萌 - 云谷（固安）科技有限公司
  • 2020-09-17 - 2022-09-23 - H01L27/32
  • 本申请公开了一种显示面板及显示装置。显示面板的第一显示区为透光显示区，第一显示区包括第一子显示区和第二子显示区，显示面板包括阵列基板和发光功能层，发光功能层包括第一子像素及第二子像素；其中，各第二子像素在阵列基板上的正投影形状相同，至少部分第一子像素为目标子像素，目标子像素和第二子像素在阵列基板上的正投影形状相同，且均具有相互垂直的第一中心线和第二中心线，目标子像素的正投影形状的第一中心线与第二子像素的正投影形状的第一中心线相交。根据本申请实施例，能够减弱屏下拍摄的衍射问题，提高成像质量。
  • 显示面板显示装置
  • [发明专利]显示面板及显示装置-CN202010981268.3有效
  • 辛征航;刘如胜;曲德舜;孙增标 - 云谷（固安）科技有限公司
  • 2020-09-17 - 2022-09-20 - H01L27/32
  • 本申请公开了一种显示面板及显示装置。具有第一显示区，第一显示区为透光显示区，第一显示区包括第一子显示区和第二子显示区；显示面板包括：阵列基板，包括第一信号线及第二信号线；发光功能层，包括第一子像素及第二子像素；其中，第一信号线位于第一子显示区且与第一子像素电连接，第二信号线位于第二子显示区且与第二子像素电连接，第一信号线及第二信号线中的至少一者为非透明走线，使得光线透过第一子显示区产生的第一衍射光斑与光线透过第二子显示区产生的第二衍射光斑相交。根据本申请实施例，能够减弱屏下拍摄的衍射问题，提高成像质量。
  • 显示面板显示装置
  • [发明专利]一种显示面板及其制作方法、显示装置-CN202010175173.2有效
  • 赵成雨;辛征航;孙增标 - 昆山国显光电有限公司
  • 2020-03-13 - 2022-09-16 - H01L27/32
  • 本发明实施例公开了一种显示面板及其制作方法、显示装置。其中，显示面板包括：第一显示区和透光率小于第一显示区的第二显示区；第一显示区包括：基底，在基底上层叠设置的驱动阵列层、平坦化层、像素限定层，基底具有第一透光开口；第一透光开口至少贯穿基底远离驱动阵列层的一侧，第一透光开口中填充有透明材料，透明材料的透光率大于基底的透光率；像素限定层上形成若干个容纳发光材料的像素开口；相邻像素开口间形成第二透光开口；第二透光开口在基底上的投影与第一透光开口在基底上的投影部分重叠或完全重叠。本发明实施例提供的技术方案可以实现全面屏显示，并保证屏下摄像头区域的透光率，并避免显示面板产生裂纹。
  • 一种显示面板及其制作方法显示装置
  • [发明专利]显示面板和显示装置-CN202011033336.X有效
  • 辛征航;曲德舜;刘如胜;杜凌霄 - 云谷（固安）科技有限公司
  • 2020-09-27 - 2022-04-19 - H01L51/52
  • 本申请公开了一种显示面板和显示装置，所述显示面板具有第一显示区，第一显示区包括第一透光显示区和第二透光显示区，所述显示面板包括衬底和位于衬底上的发光器件层。该发光器件层包括第一电极层，第一电极层包括位于第一透光显示区的第一子电极层和位于第二透光显示区的第二子电极层。其中，第一子电极层设置有沿第一方向延伸的多个第一镂空图案，第二子电极层设置有沿第二方向延伸的多个第二镂空图案，且第一方向和第二方向相交。外界光线透过第一镂空图案和第二镂空图案时产生相交的第一衍射光斑和第二衍射光斑。后续可对应第一显示区设置两个感光元件，获取分别捕捉到两种衍射光斑的初始图像，并进一步合成两个初始图像，提高拍摄质量。
  • 显示面板显示装置
  • [发明专利]一种发光器件的制备方法-CN201711476491.7有效
  • 张滔;向超宇;李乐;辛征航;王雄志 - 深圳TCL工业研究院有限公司
  • 2017-12-29 - 2021-07-16 - H01L51/56
  • 本发明公开了一种发光器件的制备方法，包括：提供初始像素界定层，所述初始像素界定层包括像素界定区、第一像素界定层和位于第一像素界定层上的第二像素界定层，所述第一像素界定层的横截面呈正梯形，所述第二像素界定层的横截面呈倒梯形，所述第二像素界定层由形状记忆聚合物组成；将横截面呈倒梯形的第二像素界定层变形处理至横截面呈正梯形的第二像素界定层，得变形像素界定层；通过溶液法在变形像素界定层的像素界定区沉积第一功能层；在沉积第一功能层后，将呈横截面正梯形的第二像素界定层恢复至横截面呈倒梯形的第二像素界定层，使变形像素界定层恢复为初始像素界定层，通过蒸镀法在所述初始像素界定层的像素界定区沉积第二功能层。
  • 一种发光器件制备方法
  • [发明专利]一种显示面板及显示装置-CN202110341251.6在审
  • 辛征航;曲德舜;杜凌霄;邓贤柱;黄梦 - 合肥维信诺科技有限公司
  • 2021-03-30 - 2021-07-09 - H01L27/32
  • 本发明实施例公开了一种显示面板及显示装置。显示面板包括：第一显示区和第二显示区；第一显示区和第二显示区均包括基板以及设置于基板一侧的多个发光单元；在第一显示区，基板远离发光单元的一侧设置有光发射传感器；在第二显示区，基板远离发光单元的一侧设置有光接收传感器，光接收传感器用于接收物体反射的设定频段的光，并根据反射光识别物体深度信息；在第二显示区，光接收传感器邻近发光单元的一侧还设置有小孔层；小孔层包括多个透光通孔，透光通孔在基板的垂直投影与发光单元在基板的垂直投影至少部分不交叠，且透光通孔在基板的垂直投影与光接收传感器在基板的垂直投影至少部分交叠。本发明提高了显示面板的深度传感器的识别精度。
  • 一种显示面板显示装置
  • [发明专利]一种量子点薄膜的转印方法-CN201711353711.7有效
  • 张滔;向超宇;李乐;辛征航;王雄志 - TCL科技集团股份有限公司
  • 2017-12-15 - 2021-01-12 - B41M5/382
  • 本发明公开了一种量子点薄膜的转印方法，包括步骤：提供初始印章，所述初始印章的印面设有若干个初始凸型图案和若干个初始凸型图案之间的初始凹型图案；对所述初始印章的初始凹型图案进行表面处理；将经过表面处理的所述初始印章变形处理为印面平整的形变印章；在形变印章的印面上制备量子点初始薄膜；将印面制备有量子点初始薄膜的形变印章恢复成初始印章，形成印面初始凸型图案和初始凹型图案上具有量子点图案化薄膜的初始印章；将印面具有量子点图案化薄膜的初始印章与目标基底接触，使所述初始凸型图案上的量子点图案化薄膜转印于目标基底上。本发明解决了现有的的量子点薄膜转印方法易造成部分薄膜残留，导致转印图案有缺陷的问题。
  • 一种量子薄膜方法
  • [发明专利]薄膜及其制备方法与QLED器件-CN201711007091.1有效
  • 向超宇;邓天旸;李乐;张滔;辛征航;张东华 - TCL科技集团股份有限公司
  • 2017-10-25 - 2021-01-12 - H01L51/50
  • 本发明公开薄膜及其制备方法与QLED器件，所述薄膜包括叠层设置的第一介质组成的第一介质层、第一金属组成的第一金属层、第二金属与第二介质形成的渐变层；自靠近第一金属层向远离第一金属层的方向上，所述第二介质的质量浓度由低到高。本发明所述薄膜中，所述第一金属层的下表面与所述第一介质层形成突变的界面，所述第二金属与所述第二介质形成渐变的界面，金属两侧可以发生双SPE，通过调节金属和介质，两个SPE可以耦合到一起，从而起到增强的效果。本发明在QLED器件中引入薄膜，可以达到增强QLED器件发光的效果。
  • 薄膜及其制备方法qled器件
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