“C·布鲁克”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]反铁磁耦合的软底层-CN200610139863.2有效
发明人： E·格特;C·布鲁克;A·多宾 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2006-09-21 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：公开了一种依次包含第一磁性层、分隔层、第二磁性层的磁性记录介质，其中分隔层含有非磁性层，并且分隔层的厚度被选择为建立第一磁性层和第二磁性层之间的反铁磁耦合，而第一和第二磁性层的厚度都小于在磁性层中形成带状畴的临界厚度。
反铁磁耦合底层

[发明专利]钴铬薄膜中具有高硼或高碳添加剂的多层垂直介质-CN03806851.6有效
发明人： Q·陈;C·布鲁克;R·Y·兰简 -专利权人：西加特技术有限责任公司
申请日： 2003-03-28 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： G11B5/64 文献下载
摘要：将碳或硼添加到多层垂直磁介质结构的钴铬层中可以减少介质噪音。这种垂直磁介质结构在Co合金层和Pd或Pt层之间拥有明显的分界面并且明显减少结合交换。根据本发明的一个具体实施例，添加有碳或硼的垂直磁介质结构具体为：700FeCo_30.8B₁₂/20TaOx/700FeCo_30.8B₁₂/20TaOx/700FeCo_30.8B₁₂/20TaOx/158FeCo_30.8B₁₂/17Ta/49ITO/33CoCr₃₇Ru₁₀/2.5CO_y/2.5C/[(CoCr₉)C_6.8/Pd]₁₉/50CHN。[(CoCr₉)C_6.8/Pd]₁₉表示19个双层(CoCr₉)C_6.8/Pd的叠层结构。TaO_x表示表面经过氧化处理的钽。CO_y表示碳的氧化物。ITO表示铟锡氧化物，分别由80％克分子的In₂O₃和20％克分子的Sn₂O₅组成。CHN表示经过氢化氮化处理过的碳。
薄膜具有添加剂多层垂直介质

[发明专利]包含HIV－1Tat和/或Nef蛋白的融合蛋白-CN98811432.1无效
发明人： C·布鲁克;S·A·G·戈达特;M·马克汉德 -专利权人：史密丝克莱恩比彻姆生物有限公司
申请日： 1998-09-17 - 公布日： 2001-01-10 - 主分类号： C12N15/49 文献下载
摘要：本发明提供(a)与或者(i)融合配偶体或者(ii)HIVNef蛋白或其衍生物连接的HIVTat蛋白或其衍生物;或(b)与或者(i)融合配偶体或者(ii)HIVTat蛋白或其衍生物连接的HIVNef蛋白或其衍生物;或(c)与HIVTat蛋白或其衍生物和融合配偶体连接的HIVNef蛋白或其衍生物。本发明还提供编码这种蛋白的核酸和用前述核酸转化的宿主细胞,诸如巴斯德毕赤酵母细胞。
包含 hiv tat nef 蛋白融合

[发明专利]疫苗-CN91111514.5无效
发明人： F·范韦南代尔;M·施拉奥伊;C·布鲁克;M·弗朗科特;S·库默特 -专利权人：史密丝克莱恩比彻姆生物有限公司
申请日： 1991-11-09 - 公布日： 1992-09-30 - 主分类号： C12N15/48 文献下载
摘要：本发明提供新的基本不分裂形式的gp160，以及含有gp160或其衍生物，配有3-DMPL佐剂的疫苗制剂。组合物可用于对HIV传染的免疫治疗的和免疫预防的处置。
疫苗