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[发明专利]一种利用高温生长SiO2-CN202010848774.5有效
发明人：秦国轩;杨晓东;魏印龙;刘家立;魏俊青;游子璇 -专利权人：天津大学
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用高温生长SiO2栅介质层的硅纳米柔性薄膜晶体管制备方法，步骤依次包括PET柔性塑料衬底表面镀ITO底栅电极、采用SOI材料制作由多孔硅纳米薄膜与SOI硅基底构成双层硅贴合体、制作利用高温生长的SiO2栅介质层翻转后与硬质硅基底表面连接、N型离子注入掺杂多孔硅纳米薄膜表面制作源极与漏极金属钛电极及利用高温生长的SiO2栅介质层同硬质硅基底表面分离与ITO底栅电极连接；本发明一种利用高温生长SiO2栅介质层的硅纳米柔性薄膜晶体管制备方法制备的SiO2栅介质层的硅纳米柔性薄膜晶体管具有电学性能好、稳定性高的特点。
一种利用高温生长 sio base sub

[发明专利]一种硅纳米薄膜柔性底栅晶体管的制备方法-CN202010848331.6有效
发明人：秦国轩;魏印龙;杨晓东;魏俊青;游子璇;刘家立 -专利权人：天津大学
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅纳米薄膜柔性底栅晶体管的制备方法，步骤依次包括PET柔性塑料衬底表面依次沉积ITO底栅电极与BMN栅介质层、采用SOI材料制作由多孔硅纳米薄膜与SOI硅基底构成的双层硅贴合体、N型离子注入掺杂多孔硅纳米薄膜表面制作源极漏极金属钛电极及热释放胶带法从SOI硅基底表面转移N型离子注入掺杂多孔硅纳米薄膜与BMN栅介质层连接；本发明一种硅纳米薄膜柔性底栅晶体管的制备方法具有制备的硅纳米薄膜柔性底栅晶体管性能好、对准精度高、适于大规模生产的特点。
一种纳米薄膜柔性晶体管制备方法

[发明专利]一种基于氧化钽/二维黒砷磷/氧化钽的三层异质阻变存储器及其制备方法-CN201910166030.2有效
发明人：张楷亮;李闯;王芳;魏俊青;沈稼强;邸希超 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：一种基于氧化钽/二维黒砷磷/氧化钽的三层异质阻变存储器及其制备方法，由上电极Ru、阻变层氧化钽/二维黒砷磷/氧化钽和下电极TiN构成，上下氧化钽层成分均为TaOx，其中2x2.5,氧化钽介质层厚度为10‑50nm，且上下氧化钽层厚度相同；黒砷磷介质层成分为b‑AsP，厚度为0.85‑10nm。本发明优点：1)该结构将新型二维材料黒砷磷引入阻变层，丰富了阻变存储中的介质层材料体系，拓展了二维黒砷磷的应用领域；2)该阻变器件为单纯的垂直叠层结构，工艺简单、成本低廉并且易于集成。
一种基于氧化二维黒砷磷三层异质阻变存储器及其制备方法

[实用新型]一种高效降温低压动力配电柜-CN202020933375.4有效
发明人：魏严杰;王业坤;周浩;荆锡林;魏俊青 -专利权人：山东中联电气有限公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H02B1/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高效降温低压动力配电柜，该装置包括柜体，柜体外部一侧的中间位置设置有风冷机构，柜体远离外部远离风冷机构一侧的中间位置开设有通风口；柜体内壁一侧的上方安装有温度监测器，柜体内壁远离温度监测器一侧的上方安装有湿度监测器；柜体内部的中间位置设置有水冷机构。本实用新型通过监测器控制电器元件运行，自动化程度高，电器元件运行更精确，降温效果好；通过风冷、水冷和铝板散热三种方式对柜体内部降温冷却，降温速度快、冷却效果好；通过设置的滑动连接的横向支板、纵向支板与置物架，可以将水冷机构灵活安装在柜体内部，方便用户检修，同时用户可以根据需要增加或者减少置物架的数量，便于使用。
一种高效降温低压动力配电柜

[发明专利]一种基于氮化硼/硫化钼/氮化硼三明治结构作为阻变功能层的阻变存储器-CN201710783863.4在审
发明人：张楷亮;魏俊青;王芳;李毅;张志超;吴仕剑 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2017-09-04 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种基于氮化硼/硫化钼/氮化硼三明治结构作为阻变功能层的阻变存储器，其阻变层为氮化硼介电薄膜和硫化钼薄膜构成的三明治结构。本发明的优点是阻变层采用氮化硼/硫化钼/氮化硼三明治结构，相比于单独氮化硼或其他氮化物介电层的阻变存储器件而言，硫化钼的插入提供了空位和缺陷，使得电荷的俘获与释放容易实现，从而降低了器件的操作电压和功耗，有利于阻变存储器件的高密度集成化，并且硫化钼的插入对单独氮化物作为介电层的阻变存储器件的开关比和数据保持能力不会产生影响。在阻变层的制备方法上，本发明给出了离子束溅射与化学气相沉积法共制备硫化钼薄膜的方法，从而可以获得大面积并且厚度可控的硫化钼薄膜。
一种基于氮化硫化三明治结构作为功能存储器

[发明专利]以蕨麻为原料制备蕨麻粗多糖的方法及用途-CN201310307660.X无效
发明人：郭涛;张飞;李永辉;魏俊青;王雅;陈晓前 -专利权人：兰州理工大学
申请日： 2013-07-22 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： A61K31/715 文献下载
摘要：以蕨麻为原料制备蕨麻粗多糖的方法及用途，其方法的步骤为：取蕨麻药材，粉碎，得蕨麻粉末；取蕨麻粉；加入5-20倍量的60-95%乙醇浸泡或者回流提取0.5-2h，重复2-3次，过滤，除去乙醇溶液；将蕨麻药渣加入至少为蕨麻粉末重量4倍的水，加热提取，提取结束后降温至室温，过滤，得滤液，提取重复2-3次；合并滤液；将滤液减压浓缩至原有滤液体积的1/6-1/3。浓缩液加4倍量95%乙醇在4℃下静置24-72h，离心得到粗多糖沉淀物。沉淀物分别用乙醇和丙酮洗涤多次，并将其冷冻干燥得到蕨麻多糖提取物；制备的多糖具有镇咳的用途。
原料制备蕨麻粗多糖方法用途