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[发明专利]功率器件失效率评估方法、计算机设备以及存储介质-CN202010613779.X有效
发明人：彭超;雷志锋;张战刚;何玉娟;黄云;恩云飞 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G06F30/33 文献下载
摘要：本申请涉及一种功率器件失效率评估方法、计算机设备以及存储介质。功率器件失效率评估方法包括：获取重离子的阈值能量；模拟沉积能量大于或者等于阈值能量的重离子入射至待测态功率器件的过程，确定功率器件的敏感区域；模拟辐射粒子入射至待测态功率器件而产生次级重离子的过程，获取辐射粒子产生的进入敏感区域的次级重离子的沉积能量；根据进入敏感区域的次级重离子的沉积能量与阈值能量的关系，获取待测态功率器件发生单粒子烧毁事件的次数；根据单粒子烧毁事件的次数，评估辐射粒子导致待测态功率器件的失效率情况。本申请可以有效降低测试成本。
功率器件失效评估方法计算机设备以及存储介质

[发明专利]α粒子有效通量的分析方法、装置及计算机存储介质-CN202010431029.0有效
发明人： 张战刚;雷志锋;黄云;彭超;何玉娟;肖庆中;路国光;恩云飞 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种α粒子有效通量的分析方法、装置及计算机存储介质，分析方法包括：根据放射源辐照试验平台构建分析仿真模型，分析仿真模型包括放射源和半导体器件，放射源位于半导体器件上方；进行仿真试验，以使放射源发射α粒子，并记录到达半导体器件表面的有效α粒子数量；根据有效α粒子数量和放射源发射的α粒子数量获取有效因子；根据有效因子和放射源的α粒子发射率获取到达半导体器件表面的α粒子有效通量。由于所获得的α粒子有效通量是根据有效因子确定，而该有效因子考虑了放射源与半导体之间的空间几何效应和气体层的屏蔽效应，因而可以保证所获得的α粒子有效通量的准确度，大大减小了半导体器件α粒子软错误率试验的误差。
粒子有效通量分析方法装置计算机存储介质

[发明专利]大气中子导致的功率器件的失效率评估方法及装置-CN202010626408.5有效
发明人：彭超;雷志锋;张战刚;何玉娟 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G01R31/265 文献下载
摘要：本申请涉及一种大气中子导致的功率器件的失效率评估方法及装置。方法包括：获取功率器件在单能粒子源辐照下发生单粒子效应时功率器件的漏端偏压与单能粒子源的能量的对应关系，其中，功率器件偏置在关态，且功率器件的漏端连接漏端偏压，源端和栅端接地；根据功率器件的漏端偏压与单能粒子源的能量的对应关系，获取功率器件在散裂中子源辐照下的不同漏端偏压对应的单粒子效应截面；根据单粒子效应截面和功率器件应用时的环境数据获取功率器件工作在不同漏端偏压下的失效率。采用本方法能够提高评估失效率的准确性。
大气中子导致功率器件失效评估方法装置

[发明专利]单粒子效应评估方法和装置-CN201811357662.9有效
发明人：彭超;恩云飞;雷志锋;张战刚;何玉娟;黄云 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本公开涉及一种单粒子效应评估方法和装置。该方法包括：构建目标电路的三维电路模型，所述三维电路模型包含敏感区域；将所述三维电路模型输入核反应计算仿真软件中，获取在预定单粒子能量下所述敏感区域中产生的核反应次级离子；通过器件仿真软件获取所述核反应次级离子作用在所述敏感区域上输出的单粒子瞬态脉冲波形；将所述单粒子瞬态脉冲波形以等效电流源的形式加载到所述目标电路上，获取电路响应信息；以及通过所述电路响应信息对所述目标电路的单粒子效应进行评估。本公开中的方法能够精确量化产生大气中子单粒子效应的各个物理过程，并在此基础上对目标电路的单粒子效应进行评估。
粒子效应评估方法装置

[发明专利]测试结构及功率器件在线测试装置-CN202210534452.2在审
发明人：彭超;雷志锋;张战刚;何玉娟;肖庆中 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请涉及一种测试结构及功率器件在线测试装置。所述测试结构包括：多条并联的测试支路，各所述测试支路均包括串联电阻及待测功率器件，所述待测功率器件与位于同一所述测试支路的所述串联电阻串接；供电检测装置，与所述测试支路相连接，用于向所述待测功率器件施加偏置电压，使得所述待测功率器件处于阻断状态，并实时监测干路中的电流。采用本测试结构能够提高试验效率。
测试结构功率器件在线装置

[发明专利]D触发器-CN202210586273.3在审
发明人：彭超;雷志锋;张战刚;何玉娟;肖庆忠 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H03K3/356 文献下载
摘要：本发明涉及一种D触发器，包括时钟输入模块，用于接收外部时钟信号，并根据所述外部时钟信号生成延时时钟信号和直通时钟信号，生成第一时钟信号和第二时钟信号；数据输入模块，与所述时钟输入模块连接，用于接收外部数据信号，响应于所述第一时钟信号和所述第二时钟信号，根据所述外部数据信号输出第一数据信号和第二数据信号；置位复位模块，用于接收置位信号和复位信号，根据所述置位信号生成置位控制信号，根据所述复位信号生成复位控制信号；锁存器模块，与所述时钟输入模块、所述数据输入模块、所述置位复位模块连接，用于基于所述置位控制信号、所述复位控制信号对所述外部数据信号进行锁存。采用本申请提供的D触发器可以抗单粒子辐射。
触发器

[发明专利]GaN基HEMT器件潜径迹表征用测试结构及表征方法-CN202010611079.7有效
发明人：彭超;雷志锋;岳少忠;张战刚;何玉娟 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种GaN基HEMT器件潜径迹表征用测试结构及表征方法，结构包括底座、导电连接层及扫描探针。底座用于放置GaN基异质结构，GaN基异质结构包括沿远离底座方向依次层叠设置的GaN缓冲层、势垒层以及欧姆接触层，其中，GaN缓冲层和势垒层之间形成有二维电子气，欧姆接触层与二维电子气连通；导电连接层连接底座与欧姆接触层；扫描探针由底座引出，并连接势垒层，以在扫描探针与底座之间形成电回路，扫描探针用于沿势垒层表面扫描并在预设的偏压条件下获取势垒层中潜径迹的表征结果。通过上述测试结构能够快速准确地验证GaN基异质结构的势垒层中是否存在潜径迹，当存在潜径迹，可获取其表征结果，实现对潜径迹的有效表征。
gan hemt 器件径迹表征测试结构方法

[发明专利]柔性直流换流阀功率单元的大气中子加速辐照试验方法-CN202210697645.X在审
发明人：杨柳;彭超;周月宾;张战刚;饶宏;熊岩;雷志锋;徐义良;赵晓斌 -专利权人：南方电网科学研究院有限责任公司;中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了柔性直流换流阀功率单元的大气中子加速辐照试验方法，包括：在预设的第一数量的试验温度下，对多个待测功率单元注入中子束流并施加预设的第二数量的试验电压，对多个待测功率单元进行试验，功率单元为功率器件或功率器件内的芯片；监测并记录试验过程中的中子注量和各待测功率单元的泄漏电流，根据预设的失效条件判断各待测功率单元是否失效，预设的失效条件与泄漏电流相关；当满足预设的结束条件时，停止注入中子束流并结束试验，预设的结束条件与中子注量、柔性直流换流阀使用地的海拔高度相关。本发明针对高海拔地区的工作环境，测试效率高，能准确评估功率单元因大气中子引起的失效率，获得功率单元的安全工作电压边界。
柔性直流换流功率单元大气中子加速辐照试验方法

[发明专利]半导体器件总剂量辐射试验装置与方法-CN202210379063.7在审
发明人：何玉娟;雷志锋;张战刚;彭超;肖庆中;黄云;谭旭 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体器件总剂量辐射试验装置与方法，包括与控制模块连接的真空试验箱、辐射应力模块与温度应力模块，被试验器件设置于真空试验箱；控制模块根据被试验器件的器件类型获取被试验器件所需的预设总剂量辐射应力与预设温度应力，并根据预设总剂量辐射应力输出辐射试验指令至辐射应力模块，根据预设温度应力输出温度试验指令至温度应力模块；辐射应力模块根据辐射试验指令对被试验器件进行总剂量辐射试验；温度应力模块根据温度试验指令对被试验器件进行高低温试验，为复杂辐射环境下的半导体器件提供更准确的地面模拟评估试验环境，避免过高估计其在复杂辐射环境下的寿命而导致使用时提前进入磨损期，发生性能参数异常与失效。
半导体器件剂量辐射试验装置方法

[发明专利]纳米场效应晶体管的总剂量辐射试验方法及装置-CN202010405988.5有效
发明人：何玉娟;高汭;雷志锋;张战刚;彭超 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米场效应晶体管的总剂量辐射试验方法和装置，该试验方法包括如下过程：提供具有统计学意义数量的场效应晶体管器件，进行第一电参数测试，获取其第一阈值电压；对场效应晶体管进行若干次辐射处理至达到预设的总辐射剂量，在每次辐射处理后均进行第二电参数测试；对辐射处理至总辐射剂量后的场效应晶体管进行偏置处理，然后进行第三电参数测试，获得第三阈值电压；根据数据处理所得的缺陷分布值判断所述场效应晶体管器件是否符合产品要求。该试验方法提供了一种针对纳米场效应晶体管的分析方法，其有效解决了纳米场效应晶体管的量子效应及涨落效应导致的波动幅度大，传统技术无法准确分析的问题。
纳米场效应晶体管剂量辐射试验方法装置

[发明专利]电子器件的软错误评估方法、装置和计算机设备-CN202210137442.5在审
发明人： 张战刚;黄云;雷志锋;彭超;何玉娟;肖庆中;路国光;来萍 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G06F30/25 文献下载
摘要：本申请涉及一种电子器件的软错误评估方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：获取将面源通过降能片组合照射电子器件的情况下，所述电子器件的单粒子翻转截面值组合；通过对体源照射电子器件的情形进行仿真，获得表面粒子通量组合，所述表面粒子通量组合与将面源通过降能片组合照射电子器件的情况下，获得的所述单粒子翻转截面值组合对应；基于所述单粒子翻转截面值组合和所述表面粒子通量组合，确定所述电子器件的软错误率。采用本方法能够提高电子器件的软错误率的评估精度。
电子器件错误评估方法装置计算机设备

[发明专利]纳米MOSFET器件的总剂量辐射试验方法、装置和设备-CN202010299625.8有效
发明人：何玉娟;高汭;雷志锋;张战刚;彭超 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G06F17/18 文献下载
摘要：本申请涉及一种纳米MOSFET器件的总剂量辐射试验方法、装置和设备。其中，纳米MOSFET器件的总剂量辐射试验方法以多个总剂量试验点对同批器件中的多个器件进行总剂量辐射试验，得到各器件的试验数据；对各试验数据进行处理，得到各总剂量试验点的参数标准差和参数均值；根据各总剂量试验点的参数标准差和参数均值，得到各总剂量试验点上的单个器件栅氧化层的缺陷平均个数；根据泊松分布以及各缺陷平均个数，确定同批器件的缺陷分布情况。基于此，可针对存在涨落效应的纳米MOSFET器件进行辐射后离散数据的统计分布分析，确定单个器件栅氧化层中的缺陷平均个数，最终确定同批器件中栅氧化层内部的缺陷分布情况，为同批器件的总剂量辐射评估和考核提供有效数据。
纳米 mosfet 器件剂量辐射试验方法装置设备

[发明专利]用于降低ECC存储器的存储区实际软错误率的方法和装置-CN201811442659.7有效
发明人： 张战刚;雷志锋;彭超;何玉娟;黄云;恩云飞 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本发明涉及用于降低ECC存储器的存储区实际软错误率的方法和装置。提供了一种用于降低ECC存储器的存储区实际软错误率的方法，该方法包括：获取ECC存储器的存储区实际软错误率的函数关系；根据函数关系确定对ECC存储器的存储架构进行拆解的拆解级别k；根据拆解级别k确定对ECC存储器的存储架构进行k级拆解后的存储区的字数和单个字内的位数；根据函数关系和获得的拆解后的存储区的字数和单个字内的位数确定ECC存储器在进行k级拆解后的存储区实际软错误率。上述方法将存储区的单个字拆解为多个字，降低了ECC存储器的软错误率，有效提高了ECC存储器的存储区抗软错误能力，且增强了ECC存储器的可靠性。
用于降低 ecc 存储器存储实际错误率方法装置

[发明专利]大气中子辐射效应测试方法和装置-CN201911080572.4有效
发明人：何玉娟;雷志锋;张战刚;彭超;黄云;李键坷 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： G01T3/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种大气中子辐射效应测试方法、系统和装置，其中一种大气中子辐射效应测试方法，通过采用待测电子系统整体辐射与辐射敏感部件辐射相结合的方法来确定待测电子系统的辐射效应试验结果，使得辐射效应试验结果能够准确地评估大气中子辐射对待测电子系统的影响，为电子系统大气中子辐射效应测试提供了试验方法；同时还可根据辐射效应试验结果确定大气中子辐射分别对辐射敏感部件和整个待测电子系统的影响程度，以便于对待测电子系统进行评估，并提供大气中子辐射加固方向。
大气中子辐射效应测试方法装置

[发明专利]系统级样品试验系统及试验方法-CN202111486993.4在审
发明人：李键坷;雷志锋;张战刚;何玉娟;彭超;黄云;路国光;谭旭 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G01N23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种系统级样品试验系统及试验方法，屏蔽体用于屏蔽辐射，屏蔽体内设有试验空间，屏蔽体包括用于开启或关闭试验空间的屏蔽门体，样品位移台可移动设置，使样品位移台能够进入或离开试验空间，样品位移台包括基座、样品台及调整机构，调整机构用于调整样品台相对基座的高度。可将样品位移台置于屏蔽体外，并将样品置于样品台上固定，利用调整机构预调整样品台上样品的高度，随后可将样品位移台移动至试验空间内，样品位移台移动至试验空间内后不再调整或只需进行细微调整样品的位置，可减少操作人员及样品位移台在试验空间内的停留时间，能够减少辐射试验对人体及样品位移台的伤害，具有更好的安全性。
系统样品试验方法

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