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[发明专利]浮栅型闪存SAB制作方法以及浮栅型闪存结构-CN201711278180.X有效
发明人：罗清威;李赟;周俊 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供了浮栅型闪存SAB制作方法以及浮栅型闪存结构，所述浮栅型闪存SAB制作方法包括在分布有非SAB覆盖区域以及SAB覆盖区域的基底上形成多层SAB薄膜，所述多层SAB薄膜包括在所述基底表面依次叠加的第一氧化层、氮化层以及第二氧化层，其中，第一氧化层的厚度小于；接着分别进行三次湿法刻蚀，以去除非SAB覆盖区域的多层SAB薄膜。由于第三次湿法刻蚀仅对厚度较薄的第一氧化层进行刻蚀，相较于现有工艺中一次性对较厚的单层SAB薄膜进行刻蚀，可以减少位于基底上的隔离氧化层的损失。本发明提供的浮栅型闪存结构，其包括在SAB覆盖区域设置的多层SAB薄膜。
浮栅型闪存 sab 制作方法以及结构

[发明专利]自对准硅化物膜制程及结构-CN200710045077.0无效
发明人：孙昌;王艳生;廖奇泊;王蕾;郭君 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-08-21 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明揭示了一种自对准硅化物SAB制程，用于制作需要使用非自对准硅化物器件的制程中，该SAB制程包括：沉积SAB膜，该SAB膜为ONO结构；对SAB膜进行光刻；进行非自对准硅化物器件的制作；对SAB膜进行干法刻蚀，其中该干法刻蚀过程为端点控制过程；对SAB膜进行湿法刻蚀。本发明还揭示了一种自对准硅化物SAB膜结构。发明采用ONO结构的SAB膜，具有良好的光刻特性，此外，由于SiO₂层和SiON层之间具有显著的光反射特性的差异，本发明利用这种特点，采用端点控制的方式对干法刻蚀过程进行精确的控制
对准硅化物膜制程结构

[发明专利]半导体器件的SAB工艺方法-CN201711178355.X有效
发明人：赵君红;彭宇飞;孙昌 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的SAB工艺方法，包括步骤：步骤一、形成半导体器件的栅极结构和源漏区；步骤二、确定SAB膜层需要的厚度并结合多晶硅栅的间距对SAB膜层的形成工艺进行拆分：每一层SAB子膜层的厚度保证不在多晶硅栅之间形成空隙；之后对SAB子膜层进行光刻刻蚀，将需要形成金属硅化物的区域的SAB子膜层去除并实现对多晶硅栅之间的SAB子膜层进行充分的刻蚀，防止在后续的薄膜形成工艺中出现空洞；本发明能在形成SAB膜层过程中不在半导体器件的多晶硅栅之间产生空洞，从而能使多晶硅栅之间的SAB膜层内被充分刻蚀，使得SAB工艺不对多晶硅栅的间距产生影响，从而有利于厚度薄膜的填充。
半导体器件 sab 工艺方法

[发明专利]一种自对准硅化物区域阻挡膜SAB的处理方法-CN201110366258.X无效
发明人：徐强;张文广;郑春生;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明提出一种自对准硅化物区域阻挡膜SAB的处理方法，包括下列步骤：提供包括栅极结构和源漏极结构的半导体基底；在所述半导体基底上沉积SAB薄膜；利用紫外光对所述SAB薄膜进行处理；对所述SAB薄膜进行高温退火处理；对所述SAB薄膜进行光照显影和湿法蚀刻处理；在所述半导体基底上形成自对准硅化物层。本发明提出的自对准硅化物区域阻挡膜SAB的处理方法，能够对SAB薄膜进行致密化处理，使得有源区中注入的杂质离子在SAB高温退火处理的过程中不容易扩散出来，从而减小其对器件性能的影响。
一种对准硅化物区域阻挡 sab 处理方法

[发明专利]SAB层图形结构的制造方法-CN201710695103.8在审
发明人：沈冬冬;王乐平;隋建国 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-08-15 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明公开了一种SAB层图形结构的制造方法，包括步骤步骤一、在硅衬底表面形成SAB层。步骤二、在SAB层表面涂布光刻胶。步骤三、光刻形成光刻胶图形定义出金属硅化物形成区域。步骤四、以光刻胶图形为掩模对SAB层进行干法刻蚀，干法刻蚀不将金属硅化物形成区域的SAB层完全去除而保留部分厚度。步骤五、在金属硅化物形成区域保留有部分厚度的SAB层的条件下去除光刻胶图形。步骤六、采用湿法刻蚀工艺将金属硅化物形成区域保留的SAB层完全去除并形成SAB层图形结构。本发明能降低工艺成本，防止光刻胶剥离以及能满足应用需求。
sab 图形结构制造方法

[发明专利]形成自对准硅化物区域阻挡膜图案的方法-CN200910055435.5有效
发明人：杨帆;张海英;林竞尧;王培仁 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-07-27 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成自对准硅化物区域阻挡膜SAB图案的方法，该方法包括：沉积SAB膜，所述SAB膜同时覆盖浅沟槽隔离区STI和接触孔位置；在所述SAB膜上涂布光阻胶层；曝光显影，形成图案化的光阻胶层，所述图案化的光阻胶层在STI处分段；以所述图案化的光阻胶层为掩膜刻蚀SAB膜，形成SAB膜图案。
形成对准硅化物区域阻挡图案方法

[发明专利]用于增加SAB PH制程冗余度的方法以及系统-CN200710173153.6有效
发明人：何军;于世瑞;程小华;王健鹏 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2007-12-26 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供一种用于增加SAB PH制程冗余度的方法以及系统，其包括：提供一预设参数单元，供使用者根据所需要达到的制程冗余度，预先设定并存储在浅沟道隔离衬底上的SAB孤立间隔的相关参数；提供一搜索单元，用于在版图的图形库中搜索出符合所述预定的在浅沟道隔离衬底上的SAB孤立间隔相关参数要求的所有图形；提供一执行单元，用于将所搜索出的所述符合要求的所有图形中填满SAB。采用本发明的用于增加SAB PH制程冗余度的方法以及系统通过消除版图上所有的在浅沟道隔离衬底上的SAB孤立间隔，从而大幅提高SAB PH制程的冗余度。
用于增加 sab ph 冗余方法以及系统

[发明专利]SAB氮化硅膜制造方法及SAB工艺控制模块-CN202010877976.2在审
发明人：刘哲郡;林聪;徐莹 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明公开了一种SAB氮化硅膜制造方法，包括如下步骤：形成半导体器件的栅极结构、源区和漏区，栅极结构包括依次形成于半导体衬底表面的栅介质层和多晶硅栅，源区和漏区形成于对应的所述多晶硅栅的两侧；沉积SABSiN形成SAB膜层；执行SAB膜层刻蚀；执行步骤S2时，沉积条件为：沉积源SiH4气体流量调节范围为100sccm～200sccm，沉积源NH3气体流量调节范围为0sccm～150sccm，沉积源He本发明还公开了一种用于半导体机台控制SAB工艺参数的SAB工艺控制模块。本发明能克服现有技术的缺陷，能提高栅极间SAB氮化硅膜覆盖率，提高SAB氮化硅膜均一性，防止SAB刻蚀中出现过刻蚀造成硅损耗，避免造成漏电增大，提高产品良率。
sab 氮化制造方法工艺控制模块

[发明专利]SAB工艺器件的制作方法及SAB工艺器件-CN201010100504.2无效
发明人：陈琛;左燕丽;徐丹;孙庭辉 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-01-25 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明公开了一种SAB工艺器件的制作方法，在MOS器件栅极侧墙制作完成以及源漏区形成后，依次进行：在器件表面淀积一层氮化硅层；然后在氮化硅层上面淀积一层SAB膜；在器件表面涂布光刻胶，通过曝光保留部分MOS器件结构上的光刻胶；先后刻蚀掉未覆盖光刻胶的SAB膜和氮化硅层；去除剩余的光刻胶，以常规步骤完成后续工艺。本发明还公开了一种采用上述方法得到的SAB工艺器件，包括并排排列的多个晶体管结构，其中部分晶体管结构上方覆盖有SAB膜，在所述SAB膜与其所覆盖的晶体管结构之间还有一层氮化硅层。本发明通过在SAB膜下多加一层氮化硅层，消除了SAB膜刻蚀对侧墙造成的影响，使得SAB工艺器件中的侧墙形貌非常均匀，保证了后续工艺的顺利进行。
sab 工艺器件制作方法

[发明专利]一种SOI体接触器件结构及其形成方法-CN202110461246.9在审
发明人：陈宏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供的一种SOI体接触器件结构及其形成方法中，所述SOI体接触器件结构包括SOI衬底，所述SOI衬底具有有源区，所述SOI衬底的有源区上形成有SAB层和栅极结构，所述SAB层和栅极结构垂直且呈T字型设置，所述SAB层和栅极结构将所述有源区划分为位于所述SAB层上方的体接触区，位于SAB层下方且被有源区间隔设置的源区和漏区；其中，所述SAB层的厚度远小于所述栅极结构的高度。本发明采用所述SAB层替代原有的栅极，可以降低位于第一区域和第二区域之间上方结构的厚度，同时没有了侧墙，其不影响源区和漏区上方的钴硅化物层的形成效果，避免了漏电的现象，提高了SOI体接触器件的电性性能。
一种 soi 接触器件结构及其形成方法

[发明专利]丹酚酸B在制备预防或缓解水母蜇伤药物中的应用-CN202211196554.4在审
发明人：肖良;蒯文豪;吴建华;王庭芳;王玉莲;杨积顺;王永芳;王毅超;朱伊娜;耿晓宇 -专利权人：中国人民解放军海军军医大学
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： A61K31/343 文献下载
摘要：本发明涉及医药技术领域，提供了丹酚酸B(SAB)在制备预防或缓解水母蜇伤药物中的应用。通过实验验证，SAB混合给药和提前腹腔给药均有效的抑制了水母触手提取物引起的小鼠足掌肿胀；SAB可以拮抗TE对人角质形成细胞HaCaT的细胞毒性，提高HaCaT的细胞存活率，为SAB预防或缓解水母蜇伤后引起的皮肤炎症性肿胀等中毒症状及细胞损伤提供了新的理论依据此外，SAB具有安全无副作用的抗炎和抗氧化损伤作用，注射用丹参酚酸及其衍生产品等已得到临床认可，因此本发明提供的SAB的新适应症可较快实现临床转化。由于SAB在水母蜇伤造成的损伤防护应用上具有巨大潜力，本发明也为预防或缓解水母蜇伤后引起的全身性中毒反应及细胞损伤提供了新的临床治疗手段。
丹酚酸制备预防缓解水母药物中的应用

[发明专利]PMOS器件自对准硅化物阻挡膜制程方法-CN200910200985.1无效
发明人：赵林林;张力群 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-23 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明公开了一种PMOS器件自对准硅化物阻挡膜SAB制程方法，应用于覆盖非自对准金属硅化物器件的制程中，该方法包括：在半导体衬底上定义有源区和隔离区；在有源区的表面依次形成栅氧化层、多晶硅栅极，以及位于栅氧化层和多晶硅栅极两侧的侧壁层；以多晶硅栅极和侧壁层为掩膜，对有源区进行掺杂，离子注入氟化硼BF2，形成源漏区；进行高温热退火处理，对源漏区掺杂之后的晶格进行修复；利用化学气相沉积方法形成SAB膜，该SAB膜覆盖有源区、隔离区及多晶硅栅极，其厚度为150～250埃；刻蚀所述SAB膜，形成SAB膜图案。该方法有效防止在PMOS器件SAB膜表面出现bubble defect，及金属硅化物U型缺陷。
pmos 器件对准硅化物阻挡膜制程方法

[发明专利]一种通过改变SAB膜质降低CIS器件噪声的方法-CN201610218970.8有效
发明人：秋沉沉;曹亚民;何亮亮;杨大为;王艳生;魏峥颖 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-04-11 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过改变SAB膜质降低CIS器件噪声的方法，通过采用HARP工艺制备具有疏松膜质的SAB层，改变了以往由PECVD工艺制备的SAB层致密膜质，可大大减少Si‑SiO₂界面附近陷阱，同时降低声子的散射，并可利用HARP工艺制备的SAB层较厚的厚度，在后续带有等离子体的工艺中减少等离子体损伤对栅氧化层的影响，从而可有效降低CIS产品的各类噪声。
一种通过改变 sab 降低 cis 器件噪声方法

[发明专利]二氧化硅SAB的去除方法-CN201310631394.6在审
发明人：徐友峰;宋振伟;陈晋 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氧化硅SAB的去除方法，其包括提供一闪存晶片，其上的器件由二氧化硅SAB覆盖；用NH3与HF蒸汽与闪存晶片上的二氧化硅SAB反应，生成(NH4)2SiF6；对反应后的闪存晶片加热，使(NH4)2SiF6挥发，得到去除二氧化硅SAB后的闪存晶片。本发明先用NH3与HF蒸汽于闪存晶片上的二氧化硅SAB薄膜进行反应，生成(NH4)2SiF6，接着对闪存晶片加热，将其去除，从而减少底切，避免漏电风险。
二氧化硅 sab 去除方法

[发明专利]一种单有源桥变换器的电磁暂态等效建模方法-CN202010603693.9有效
发明人：许建中;高晨祥;王晓婷;赵成勇 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：active bridge converter)，主要针对输入并联输出串联(input parallel output series,IPOS)型单有源桥(single active bridge，SAB本发明的核心技术方案是：1、根据SAB工作原理，对SAB工作模式进行分类。2、分析各模式下SAB单元电感电流波形特征，计算电感的电流过零点，实现对其等效处理，同时确定不同工作模式区分条件。3、将IGBT开关组等效为二值电阻，并对储能元件进行离散化处理，利用Ward等值方法，建立IPOS型SAB变换器的等效电路。
一种有源变换器电磁等效建模方法

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