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[实用新型]一种梗丝复切装置-CN201821446607.2有效
发明人： 王培仁;韩照林;王维持 -专利权人：青岛维克粉末冶金有限责任公司
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： A24B5/16 文献下载
摘要：一种梗丝复切装置，包括吸丝装置、旋转切割装置、出丝通道和筛选装置，吸丝装置包括固定吸管和伸缩吸管，固定吸管与伸缩吸管之间设置有控制伸缩吸管上下移动的伸缩油缸，伸缩吸管的下端设置有喇叭状的吸丝口，吸丝装置固定安装在固定支架下端位置，在固定支架的上端安装有旋转切割装置，旋转切割装置包括切割电机以及与切割电机通过皮带连接的旋转切刀，旋转切割装置的上端连接出丝管道，出丝管道的另一端与筛选装置连接，筛选装置的下端设置有漏斗，将原生产出来的较长较宽梗丝复切成较短较窄梗丝，以适合于细烟支生产，梗丝复切装置安装后与原梗丝生产线形成粗烟支和细烟支两个生产通道，可根据生产要求开启或关闭某个通道，生产所需梗丝。
梗丝旋转切割装置伸缩吸管筛选装置吸丝装置切装置固定吸管固定支架切割电机上端出丝细烟下端出丝通道皮带连接上下移动伸缩油缸生产通道生产要求下端位置旋转切刀喇叭状吸丝口烟支漏斗生产

[实用新型]一种智能化配料系统-CN201821454582.0有效
发明人： 王培仁;王维持;韩照林;周长亮;张春梅 -专利权人：山东冠信烟草机械有限公司
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： B65G1/04 文献下载
摘要：一种智能化配料系统，包括机架，机架上固定设置有空箱存取机构、空箱置位机构、实箱间歇举升机构、实箱提取机构和转轮机构，空箱存取机构一端与转轮机构顺序连接，另一端与空箱置位机构顺序连接，空箱存取机构包括空箱存取装置和空箱横向输送装置，所述的空箱存取装置包括空箱存取电机、空箱存取转轴、空箱存取皮带和空箱存取固定架，所述的空箱横向输送装置包括空箱横向输送电机、空箱横向输送带和空箱翻转装置，本系统与原生产线无缝对接，配料存取自如，多条通道有序运行，保证了原生产线的节拍，解决了人工配料中存在的配料不准确、工人劳动强度大、生产效率低、安全隐患大等问题。
空箱存取存取机构智能化配料系统横向输送装置存取装置转轮机构置位电机横向输送带安全隐患多条通道翻转装置固定设置横向输送机构顺序举升机构人工配料生产效率顺序连接提取机构无缝对接固定架转轴节拍皮带保证

[实用新型]一种烟片筛选打叶处理装置-CN201821446657.0有效
发明人： 王培仁;韩照林;王维持 -专利权人：青岛维克粉末冶金有限责任公司
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： B07B1/28 文献下载
摘要：一种烟片筛选打叶处理装置，包括通道切换装置和筛打分切装置，所述的通道切换装置与输送带连接，所述的通道切换装置包括切换通道和切换油缸，所述的切换通道通过转轴与输送带连接，在切换通道与输送带之间还设置有切换油缸，所述的筛打分切装置包括六角锣筛和分切打刀，所述的六角锣筛与锣筛转轴固定连接，所述的分切打刀与打刀转轴固定连接，所述的打刀转轴通过打刀转轴轴承活动安装在锣筛转轴上，所述的打刀转轴的一端设置有打刀带轮，所述的锣筛转轴的一端设置有锣筛带轮，所述的锣筛转轴的一端安装有球面轴承，有效的解决了烟厂细烟支制丝生产中长期存在的上述技术问题，保证了烟厂卷烟工序的质量稳定，提高了卷烟生产效率。
转轴打刀输送带通道切换装置处理装置一端设置切装置打叶分切六角烟厂烟片油缸筛选活动安装卷烟生产球面轴承制丝生产质量稳定转轴轴承带轮筛带细烟卷烟保证

[发明专利]一种智能化配料系统-CN201811036433.7在审
发明人： 王培仁;王维持;韩照林;周长亮;张春梅 -专利权人：山东冠信烟草机械有限公司
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： B65G1/04 文献下载
摘要：一种智能化配料系统，包括机架，机架上固定设置有空箱存取机构、空箱置位机构、实箱间歇举升机构、实箱提取机构和转轮机构，空箱存取机构一端与转轮机构顺序连接，另一端与空箱置位机构顺序连接，空箱存取机构包括空箱存取装置和空箱横向输送装置，所述的空箱存取装置包括空箱存取电机、空箱存取转轴、空箱存取皮带和空箱存取固定架，所述的空箱横向输送装置包括空箱横向输送电机、空箱横向输送带和空箱翻转装置，本系统与原生产线无缝对接，配料存取自如，多条通道有序运行，保证了原生产线的节拍，解决了人工配料中存在的配料不准确、工人劳动强度大、生产效率低、安全隐患大等问题。
空箱存取存取机构智能化配料系统横向输送装置存取装置转轮机构置位电机横向输送带安全隐患多条通道翻转装置固定设置横向输送机构顺序举升机构人工配料生产效率顺序连接提取机构无缝对接固定架转轴节拍皮带保证

[实用新型]推出式叶片垂直分切机-CN201320356887.9有效
发明人： 王培仁;韩照林;邱铭 -专利权人：青岛维克粉末冶金有限责任公司
申请日： 2013-06-20 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： A24B7/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种烟草加工领域的机械设备，本实用新型公开了一种推出式叶片垂直分切机，其中，切刀固定在机架上部，支架组件固定在机架中部，料斗组件、砧板组件通过轴安装在支架组件上，推板安装在气缸的滑块上，气缸和推板安装在料斗组件上，推板在气缸的驱动下将切后小烟块推出料斗，推料板安装在机架上，推料板位于进料输送带上方，出料输送带位于进料输送带的下方，连接输送带位于出料输送带的端部，限位组件安装于机架上，在推出式叶片垂直分切机上设有若干个传感器，控制装置分别与若干个传感器电连接。本实用新型能使切后小烟块完整地、均匀地输送到下一道工序，消除因烟块自由下落而带来的异响、粉尘、造碎、堵塞及流量的不均匀性。
推出叶片垂直分切机

[发明专利]一种旋转式卸料装置及分切机-CN201010584172.X无效
发明人： 王培仁;杨金雄;孟庆华;姜占古;董志刚;周兆庄;丁雪枫;董军;孙琳;崔健 -专利权人：山东中烟工业有限责任公司青岛卷烟厂
申请日： 2010-12-07 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： A24B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种旋转式卸料装置及分切机，所述旋转式卸料装置包括：机架，所述机架上通过轴承设有旋转轴；可绕所述旋转轴旋转的托板和输送部件，所述托板在初始状态下水平设置，用于承载要卸下的物料，在初始状态下，所述输送部件纵向设置，所述输送部件的输送表面与所要卸下的物料的侧面相对；设置在所述机架上的第一气缸，所述第一气缸驱动所述输送部件绕所述旋转轴旋转；设于所述托板与所述输送部件之间的第二气缸，所述第二气缸用于带动或驱动所述托板旋转。本发明的旋转式卸料装置的减少了切后物料的造碎率，并将切后物料整齐、均匀地输送到下一道工序，同时消除了卸料过程中的异响和粉尘。
一种旋转卸料装置分切机

[发明专利]一种插分机-CN201010551187.6无效
发明人： 王培仁;杨金雄;孟庆华;姜占古;董志刚;周兆庄;丁雪枫;董军;孙琳;崔健 -专利权人：山东中烟工业有限责任公司青岛卷烟厂
申请日： 2010-11-16 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： A24B3/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种插分机，包括机架、设在机架上的气缸以及在所述气缸驱动下进行往复运动从而将所述烟块插分为均匀的片状的插刀及用来输送烟块的输送装置。该插分机克服了烟块回潮不不均匀的缺点，提供一种可将50千克的切后烟块，插分成为多个小的片状烟块的插分机，从而使得烟块在回潮工艺中，回潮的强度更加均匀。
一种分机

[实用新型]一种插分机-CN201020614873.9无效
发明人： 王培仁;杨金雄;孟庆华;姜占古;董志刚;周兆庄;丁雪枫;董军;孙琳;崔健 -专利权人：山东中烟工业有限责任公司青岛卷烟厂
申请日： 2010-11-16 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： A24B3/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种插分机，包括机架、设在机架上的气缸以及在所述气缸驱动下进行往复运动从而将所述烟块插分为均匀的片状的插刀及用来输送烟块的输送装置。该插分机克服了烟块回潮不均匀的缺点，提供一种可将50千克的切后烟块，插分成为多个小的片状烟块的插分机，从而使得烟块在回潮工艺中，回潮的强度更加均匀。
一种分机

[实用新型]一种旋转式卸料装置及分切机-CN201020652905.4无效
发明人： 王培仁;杨金雄;孟庆华;姜占古;董志刚;周兆庄;丁雪枫;董军;孙琳;崔健 -专利权人：山东中烟工业有限责任公司青岛卷烟厂
申请日： 2010-12-07 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： A24B7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种旋转式卸料装置及分切机，所述旋转式卸料装置包括：机架，所述机架上通过轴承设有旋转轴；可绕所述旋转轴旋转的托板和输送部件，所述托板在初始状态下水平设置，用于承载要卸下的物料，在初始状态下，所述输送部件纵向设置，所述输送部件的输送表面与所要卸下的物料的侧面相对；设置在所述机架上的第一气缸，所述第一气缸驱动所述输送部件绕所述旋转轴旋转；设于所述托板与所述输送部件之间的第二气缸，所述第二气缸用于带动或驱动所述托板旋转。本实用新型的旋转式卸料装置的减少了切后物料的造碎率，并将切后物料整齐、均匀地输送到下一道工序，同时消除了卸料过程中的异响和粉尘。
一种旋转卸料装置分切机

[发明专利]多晶硅线、半导体器件以及存储器电路-CN200910195977.2有效
发明人：李志国;杨帆;蒙飞;林竞尧;王培仁 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-09-18 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅线、半导体器件以及存储器电路，其中，多晶硅线包括：形成于第一电路区上的多晶硅线第一部分；由所述多晶硅线第一部分向第一电路区外延伸，并且与第二电路区连接的多晶硅线第二部分；所述多晶硅线第二部分的线宽大于多晶硅线第一部分的线宽。本发明通过增大延伸出存储器阵列区的多晶硅线的线宽，提高该部分多晶硅线在退火工艺中加热时的受光照辐射的面积，提升加热效果，从而获得与存储器阵列区内的多晶硅线相一致的升温速度，使得高温退火后，存储器阵列区边缘部分的多晶硅线表面所形成的金属硅化物层致密稳固，避免多晶硅线电阻的提高，从而保证了器件的电学性能。
多晶半导体器件以及存储器电路

[发明专利]形成自对准硅化物区域阻挡膜图案的方法-CN200910055435.5有效
发明人：杨帆;张海英;林竞尧;王培仁 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-07-27 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成自对准硅化物区域阻挡膜SAB图案的方法，该方法包括：沉积SAB膜，所述SAB膜同时覆盖浅沟槽隔离区STI和接触孔位置；在所述SAB膜上涂布光阻胶层；曝光显影，形成图案化的光阻胶层，所述图案化的光阻胶层在STI处分段；以所述图案化的光阻胶层为掩膜刻蚀SAB膜，形成SAB膜图案。采用该方法在后续制作形成接触孔之后，有效防止了漏电现象的发生。
形成对准硅化物区域阻挡图案方法

[发明专利]栅极制造方法-CN200910054582.0无效
发明人：李志国;蒙飞;林竟尧;王培仁;司伟 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-07-09 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明揭露了一种栅极制造方法，该方法包括：提供一基底；在所述基底上形成栅极，所述栅极包括介电层及位于该介电层上的导电层；对所述栅极执行腔内水蒸气氧化工艺，在所述栅极表面形成氧化层，并在所述导电层的底部角落处形成修复氧化层。该方法工艺简单，通过对所述栅极执行腔内水蒸气氧化工艺，在所述栅极上形成氧化层，能够修复栅极侧壁刻蚀损伤，并在所述导电层的底部角落处形成修复氧化层，所述修复氧化层和介电层中的顶部氧化层共同作为阻挡氧化层，避免电子穿透介电层的边缘位置，提高了存储器件的可靠性，并可节约生产成本。
栅极制造方法

[发明专利]快闪存储器制造方法-CN200910052805.X有效
发明人：蒙飞;李志国;林竞尧;王培仁 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-06-09 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明提出一种快闪存储器制造方法，包括下列步骤：提供一包括半导体衬底、绝缘介质层、多晶硅层、氮化硅层和氧化层侧墙的结构；对上述结构进行第一类型离子注入，对应每个凹槽形成一条位线；对上述结构进行退火处理；每间隔预定数量条位线设置一条隔离位线，所述隔离位线通过对进行过第一类型离子注入的位线进行第二类型离子注入而形成。本发明提出的快闪存储器制造方法，能够达到使用浅沟道隔离的相同效果，同时还不会产生机械应力。
闪存制造方法

[发明专利]掩模板以及应用其进行浅沟道隔离结构制造的方法-CN200910047572.4有效
发明人：蒙飞;李志国;林竞尧;王培仁 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-03-13 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明提出一种掩模板以及应用其进行浅沟道隔离结构制造的方法，在定义掩膜层图案前进行光学近似修正处理，在原有掩模板的长方形掩模开孔的四个角上各增加一个长方形的开孔。本发明提出的掩模板以及应用其进行浅沟道隔离结构制造的方法，其制造形成的浅沟道隔离结构有效地减少了器件的漏电现象。
模板以及应用进行沟道隔离结构制造方法

[发明专利]防止位线之间穿通电压降低的方法及半导体存储器-CN200810201792.3有效
发明人： 王培仁;闫锋;司伟;林竞尧;杨帆;衣冠君 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-10-24 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种防止位线之间穿通电压降低的方法及半导体存储器，其中，所述防止位线之间穿通电压降低的方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有字线；在相邻存储器阵列内的最接近的字线之间的区域形成离子掺杂区，所述离子掺杂区的导电类型与形成于半导体衬底内的源/漏极的导电类型相反。本发明通过在相邻存储器阵列内的最接近的字线之间的区域形成离子掺杂区，进一步加大了离子掺杂区的半导体衬底内的掺杂浓度，与半导体衬底内位线之间的电阻加大，从而避免了现有技术的位线之间穿通电压降低的缺陷。
防止之间通电降低方法半导体存储器

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