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[发明专利]III族氮化物外延结构及其生长方法-CN201310339115.9有效
发明人：杜彦浩;叶孟欣;徐宸科;赵志伟;林文禹;叶义信;杨仁君;刘建明 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2013-08-07 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种III族氮化物外延结构及其生长方法，其III族氮化物的外延结构，至少包括：Si衬底，和位于Si衬底之上的III族氮化物层，其特征在于：在所述Si衬底和III族氮化物的界面处并列存在Al原子和原位生成的SixNy，其中Al原子起到浸润Si衬底和衔接III族氮化物层的作用，SixNy用于释放异质外延产生的失配应力。
iii 氮化物外延结构及其生长方法

[发明专利]IBM主机的RMF III数据的收集方法、系统、装置及存储介质-CN201911227735.7有效
发明人：高玉超;滕腾;于鹏 -专利权人：中国建设银行股份有限公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G06F11/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于IBM主机的RMF III数据的收集方法、系统、装置及存储介质，其中，所述收集方法包括：向RMF III组件发送模拟用户访问所述RMF III组件的访问指令；获取所述RMF III采用本发明可以实现RMF III数据的收集与储存，使用户可以更加方便的访问和利用这些数据。
ibm 主机 rmf iii 数据收集方法系统装置存储介质

[发明专利]表面处理方法，晶体基材，和半导体设备-CN200610077029.5无效
发明人：石桥惠二;西浦隆幸 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2006-04-26 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： B24B29/00 文献下载
摘要：III族氮化物晶体膜的表面处理方法，III族氮化物晶体基材，具有外延层的III族氮化物晶体基材，和半导体设备。III族氮化物晶体膜的表面处理方法，包括将III族氮化物晶体膜的表面进行抛光，其中抛光用的抛光液的pH值x和氧化－还原电位值y(mV)同时满足y≥－50x+1,000和y≤－50x+1,900的关系。
表面处理方法晶体基材半导体设备

[发明专利]硬币找零装置-CN200710116292.5无效
发明人：张琳 -专利权人：张琳
申请日： 2007-12-29 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： G07D1/02 文献下载
摘要：一种硬币找零装置，包含有壳体(1)、漏斗(2)、托盘(6)、旋扭I(3)、旋扭II(4)、旋扭III(5)、传送装置I、传送装置II和传送装置III，漏斗(2)设置在壳体(1)的上部并与之固定联接，旋扭I(3)与传送装置I联接，旋扭II(4)通过传动齿轮与传送装置II联接，旋扭III(5)通过传动齿轮与传送装置III联接，旋扭I(3)和传送装置I、旋扭II(4)和传送装置II、旋扭III(5)和传送装置III通过固定轴设置在壳体(1)上，托盘(6)设置在传送装置I、传送装置II和传送装置III的输出端并与壳体(1)固定联接；因此其结构简单，操作方便，不易出缺。
硬币找零装置

[实用新型]一种便携式果实采摘装置-CN201820360732.5有效
发明人：史凤姣;白伟锋;李社辉;王松姣 -专利权人：史凤姣;白伟锋;李社辉;王松姣
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： A01D46/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及果实采摘装置领域，尤其是涉及一种便携式果实采摘装置，包括，支撑杆、支架、转轴I、转轴II、转轴III、齿轮I、齿轮II、齿轮III、链条I、链条II、偏心柱、连接柱、连接皮带、滑板、滑板牙刀、固定板、固定板牙刀，其中，转轴I及转轴II设置于支撑杆上且与支撑杆相连接，所述的转轴III设置于支架上且与支架相连接，所述的齿轮III设置于转轴III上且与转轴III固定相连接，所述的齿轮II通过链条II与齿轮III相连接，本实用新型适合于深山老林等偏远地形环境适应，满足了人们的使用要求。
转轴齿轮果实采摘支撑杆支架本实用新型链条滑板地形环境固定板牙装置领域固定板固定相连接柱偏心柱牙刀皮带

[发明专利]半导体发光元件-CN201380032979.4有效
发明人：川口真生;春日井秀纪;能崎信一郎 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2013-05-27 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：半导体发光元件(100)具备由III族氮化物半导体构成的n型光导层(3)、活性层(4)、以及p型光导层(5)，n型光导层(3)包括，将III族氮化物半导体A和III族氮化物半导体B反复层叠而成的半导体超晶格，在将III族氮化物半导体A以及III族氮化物半导体B的禁带宽度分别设为Eg(A)以及Eg(B)的情况下，成为Eg(A)＞Eg(B)，III族氮化物半导体A，由膜中所包含的氧(O)为1×1018cm‑3以上的AlInN构成，III族氮化物半导体A的膜厚为5nm以下，电流沿着半导体超晶格的层叠方向注入。
半导体发光元件

[发明专利]用于LED制造的改良多腔室分离处理-CN201080019538.7无效
发明人：苏杰 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-10-04 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本文所述实施例大致关于藉由金属-有机化学气相沉积(MOCVD)处理与/或氢化物气相磊晶(HVPE)处理形成III-V族材料的方法。一实施例中，在第一腔室中于基板上执行III1族-N层的沉积，在第二腔室中于基板执行III2族-N层的沉积，并在与沉积III2族-N层的腔室不同的腔室中于基板上执行III3族-N层的沉积。在III2族-N层沉积与III3族-N层沉积之间，于基板上执行一或多个表面处理以降低界面处的非辐射复合并改善生成结构的整体电致发光。
用于 led 制造良多分离处理

[发明专利]一种高岭土搅拌机过滤管道装置-CN201410454592.4在审
发明人：钟保国 -专利权人：湖南宝山高岭土科技开发有限公司
申请日： 2014-09-09 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： B01D29/56 文献下载
摘要：一种高岭土搅拌机过滤管道装置，它包括：第I进水管道、第I管接头、第I水池、第I出水管道、第I过滤网、第II进水管道、第II管接头、第II水池、第II出水管道、第II过滤网、第III进水管道、第III管接头、第III水池、第III过滤网、第III出水管道；第I进水管道位于装置的最左边、第I管接头位于第I进水管道的下方，第I水池位于第I管接头的下方，第I出水管道位于第I水池的下方，第II管接头位于第II进水管道的下方，第II水池位于第II管接头的下方，第II出水管道位于第II水池的下方，第III管接头位于第III进水管道的下方，第III水池位于第III管接头的下方，本发明是由多种管子组成的，它能提高搅拌效率，适用性强
一种高岭土搅拌机过滤管道装置

[发明专利]具有低阀值电流的半导体激光二极管-CN201810962554.8在审
发明人：亚力克斯约丁;谷善彦;瓦莱里·贝里曼-博斯奎特;伊藤茂稔 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：一种III族氮化物基激光发光装置包括：n侧III族氮化物基半导体区域；p侧III族氮化物基半导体区域；以及位于所述p侧III族氮化物基半导体区域和所述n侧III族氮化物基半导体区域之间的III族氮化物基有源区所述III族氮化物基有源区包括第一量子阱层和第二量子阱层，以及位于第一量子阱层和第二量子阱层之间的势垒层，第一量子阱层和第二量子阱层各自的组分包括各自不同的铟含量。所述第一量子阱比所述第二量子阱更靠近n侧III族氮化物基半导体区域，所述第二量子阱比所述第一量子阱更靠近p侧III族氮化物基半导体区域，并且第一量子阱具有比第二量子阱更大的带隙。
半导体区域量子阱层量子阱源区半导体激光二极管激光发光装置阀值电流势垒层带隙

[发明专利]Ⅲ族氮化物基晶体管器件-CN202111578524.5在审
发明人： L·萨亚迪 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：在一个实施例中，提供一种III族氮化物基晶体管器件，其包括III族氮化物基本体和p型肖特基栅极，该p型肖特基栅极包括在p掺杂III族氮化物结构上的金属栅极。p掺杂III族氮化物结构包括：与金属栅极接触且具有厚度d1的上部p掺杂GaN层，具有厚度d2且包括布置在III族氮化物基本体上且与III族氮化物基本体接触的p掺杂GaN的下部p掺杂III族氮化物层，以及布置在上部p掺杂GaN层与下部p掺杂III族氮化物层之间的至少一个p掺杂AlxGaIII族氮化物层的厚度d2大于上部p掺杂GaN层的厚度d1。
氮化物晶体管器件

[发明专利]半导体器件-CN202211032012.3在审
发明人：金炯男;M·伊玛姆;E·佩尔森;A·查尔斯 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：根据实施例，提供了一种III族氮化物晶体管单元，其包括III族氮化物基本体、源极指、栅极指和漏极指,基本上彼此平行地延伸并且位于III族氮化物基本体上，栅极指侧向地布置在源极指和漏极指之间并且包括布置在III族氮化物本体上的p型III族氮化物指和布置在p型III族氮化物指上的栅极金属指，以及保护二极管。保护二极管集成到III族氮化物晶体管单元中并且可操作以在III族氮化物晶体管单元关断时在相反方向上传导电流。保护二极管电耦合在源极指和漏极指之间并且在栅极指和漏极指之间并且与栅极指和漏极指间隔开位于III族氮化物本体上。
半导体器件

[发明专利]提高p型III族氮化物材料空穴浓度的方法及其应用-CN202210066098.5在审
发明人：孙钱;刘建勋;黄应南;孙秀建;冯美鑫;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高p型III族氮化物材料空穴浓度的方法及其应用。所述的方法包括：在p型III族氮化物材料生长过程中和/或生长完成后，使所述p型III族氮化物材料与卤素基活性原子和/或卤素基活性基团接触反应，以移除所述p型III族氮化物材料中的部分III族原子，从而在所述p型III族氮化物材料中产生阳离子空位；以及激活包含有所述阳离子空位的p型III族氮化物材料中的受主杂质。本发明提供的一种提高AlGaN半导体材料空穴浓度的方法，突破了传统p型AlGaN材料面临的受主型Mg原子并入效率低、自补偿效应严重等局限，可利用III族阳离子空位来大幅增加处于III族原子晶格位点的Mg
提高 iii 氮化物材料空穴浓度方法及其应用

[发明专利]一种III族氮化物和硅异质集成衬底及其制作方法-CN201610283432.7有效
发明人：陈龙 -专利权人：上海芯晨科技有限公司
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明提供一种III族氮化物和硅异质集成衬底及其制作方法，所述III族氮化物和硅异质集成衬底包括：硅衬底；形成于所述硅衬底上的III族氮化物叠层结构；形成于所述III族氮化物叠层结构上的绝缘层；以及形成于所述绝缘层上的顶层硅本发明的III族氮化物和硅异质集成衬底及其制作方法将所述顶层硅与所述III族氮化物叠层结构集成于同一硅衬底上，其中，所述硅基叠层结构可以用于制作传统电路，结合所述III族氮化物叠层结构可以实现多种应用，本发明的III族氮化物和硅异质集成衬底中，III族氮化物材料深埋在底部，仅顶层硅及硅衬底面暴露在外面，不会对CMOS工艺造成污染，可以使用CMOS工艺线进行流片。
一种 iii 氮化物硅异质集成衬底及其制作方法

[发明专利]一种多轴变速箱总成-CN201210529489.2无效
发明人：刘海勇 -专利权人：刘海勇
申请日： 2012-12-09 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： F16H3/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种多轴变速箱总成，特征是变速箱体里安装I轴、II轴、III轴、V轴、VI轴、VII轴、输出轴，和安装工作拨杆支架，有I轴拨叉、拨叉轴II、II轴拨叉、拨叉轴III、III轴拨叉、长拨杆、短拨杆、转向拨叉、I轴安装有I轴I齿轮、I轴2齿轮，II轴安装有II轴1齿轮、II轴2齿轮、II轴3齿轮、II轴4齿轮，III轴安装有III轴1齿轮、III轴2齿轮，IV轴安装有IV轴1棘轮、IV轴2齿轮，VI轴、II轴、III轴、IV轴、输出轴安装在变速箱体的同轴心线上，V轴、VI轴、VII轴安装在变速箱体里，II轴、III轴、IV轴在I轴、II轴、III轴、V轴、IV轴、输出轴的底下面成品字形布置。
一种变速箱总成

[实用新型]一种高岭土搅拌机过滤管道装置-CN201420514445.7有效
发明人：钟保国 -专利权人：湖南宝山高岭土科技开发有限公司
申请日： 2014-09-09 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： B01D29/56 文献下载
摘要：一种高岭土搅拌机过滤管道装置，它包括：第I进水管道、第I管接头、第I水池、第I出水管道、第I过滤网、第II进水管道、第II管接头、第II水池、第II出水管道、第II过滤网、第III进水管道、第III管接头、第III水池、第III过滤网、第III出水管道；第I进水管道位于装置的最左边、第I管接头位于第I进水管道的下方，第I水池位于第I管接头的下方，第I出水管道位于第I水池的下方，第II管接头位于第II进水管道的下方，第II水池位于第II管接头的下方，第II出水管道位于第II水池的下方，第III管接头位于第III进水管道的下方，第III水池位于第III管接头的下方，本实用新型是由多种管子组成的，它能提高搅拌效率，适用性强
一种高岭土搅拌机过滤管道装置