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[实用新型]能转向的双排齿轮传动机构-CN200920127638.6无效
发明人：曾翔;兰显发 -专利权人：曾翔;兰显发
申请日： 2009-06-12 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： F16H3/08 文献下载
摘要：一种能转向的双排齿轮传动机构，包括由轴承安装在传动箱体一端至另一端的I轴、II轴和V轴，安装在I轴和II轴上的变速齿轮，安装在II轴至V轴之间的III轴和IV轴，III轴驱动齿轮与II轴传动齿轮啮合，设置在III轴驱动齿轮两边的III轴左离合爪、III轴左传动齿轮和III轴右离合爪、III轴右传动齿轮；IV轴左驱动齿轮和IV轴右驱动齿轮分别与III轴左传动齿轮和III轴右传动齿轮啮合，在IV轴左驱动齿轮和
转向齿轮传动机构

[发明专利]Ⅱ类/Ⅱ类混合游戏机、系统及方法-CN200580039992.8无效
发明人：宾·尼古因;詹姆斯·斯托克代尔;布莱恩·沃尔夫 -专利权人： IGT公司
申请日： 2005-09-20 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： G07F17/32 文献下载
摘要：本发明提供一种既可以玩II类也可以玩III类游戏的游戏机。某些实施方式提供一种游戏机，其具有启动III类游戏和中止II类游戏的某些特征(例如，真随机数发生器或“RNG”)。本发明的某些方案提供用于确定何时III类游戏可用的方法。本发明的其它方案允许当玩家在同一游戏机上进行如II类游戏或其它III类游戏的另一游戏的同时“排队(line up)”等待想要的III类游戏，直到想要的III类游戏可用。本发明的替代方案以其它方式分配可用的III类游戏，例如，通过玩一个II类游戏作为玩一个III类游戏的机会、通过抽奖、或者别的方式。II类和III类游戏可以共享和/或结合玩家追踪信息并且可以用于确定游戏历史纪录。
混合游戏机系统方法

[发明专利]用于硅CMOS相容半导体器件中的缺陷扩展控制的具有倾斜侧壁刻面的纤锌矿异质外延结构-CN201480081257.2有效
发明人： S·达斯古普塔;H·W·田;B·舒-金;M·拉多萨夫列维奇;S·K·加德纳;H·宋;R·皮拉里塞泰;R·S·周 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-09-18 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：描述了包括具有倾斜侧壁刻面的升高的III‑N半导体结构的III‑N半导体异质结构。在实施例中，促成半极性倾斜侧壁刻面的横向外延过生长用于使晶体缺陷从竖直扩展弯曲到水平扩展。在实施例中，具有低缺陷密度表面的任意大的合并的III‑N半导体结构可以从暴露硅衬底的(100)表面的沟槽过生长。诸如III‑N晶体管的III‑N器件可以进一步形成在升高的III‑N半导体结构上，而基于硅的晶体管可以形成在硅衬底的其它区中。
用于 cmos 相容半导体器件中的缺陷扩展控制具有倾斜侧壁锌矿外延结构

[发明专利]在半绝缘Ⅲ族氮化物中用于费米能级控制的共掺杂-CN200480039949.7有效
发明人： A·W·萨克斯莱尔 -专利权人：克里公司
申请日： 2004-09-28 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：半绝缘III族氮化物层及制造半绝缘III族氮化物层的方法，包括：利用浅能级p型掺杂剂掺杂III族氮化物层，和利用深能级掺杂剂如深能级过渡金属掺杂剂掺杂III族氮化物层。这样的层和/或方法也可以包括利用浓度小于约1×10¹⁷cm^－3的浅能级掺杂剂掺杂III族氮化物层，和利用深能级过渡金属掺杂剂掺杂III族氮化物层。
绝缘氮化物用于费米能级控制掺杂

[发明专利]第III族氮化物晶体、其制造方法和在超临界氨气中制造块状第III族氮化物晶体的方法-CN201580065613.6有效
发明人：桥本忠朗 -专利权人：希波特公司;首尔半导体股份有限公司
申请日： 2015-12-02 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：在一个例子中，本发明提供一种第III族氮化物晶体，其具有暴露单晶或高度定向多晶第III族氮化物的氮极性c平面的第一侧面和暴露第III族氮化物的第III族极性表面多晶相或非晶相的第二侧面。此类结构适用作用于块状第III族氮化物晶体的氨热生长的晶种。本发明还公开制造此类晶体的方法。本发明还公开使用此类晶体通过氨热方法制造第III族氮化物块状晶体的方法。
第III族氮化物晶体第III族氮化物制造多晶氨气极性表面块状晶体侧面第III族超临界氮极性非晶相晶体的热生长暴露单晶晶种

[发明专利]一种从羊踯躅提取物中制备闹羊花素III的方法-CN201110450609.5有效
发明人：梁爽;熊智;鞠家星;王源;冯怡;阮克锋 -专利权人：上海张江中药现代制剂技术工程研究中心
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： C07D303/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种从羊踯躅提取物中制备闹羊花素III的方法，包括步骤：（1）大孔吸附树脂纯化；（2）反相色谱纯化。本发明是一种制备闹羊花素III的简化工艺，能极大地提高闹羊花素III的得率，可用于闹羊花素III的工业制备。
一种踯躅提取物制备闹羊花素 iii 方法

[发明专利]利培酮晶III型物质及制备方法与在药品和保健品中应用-CN201110128497.1有效
发明人：吕扬;杜冠华;陈芊茜;孙加琳;孟凡瑞 -专利权人：中国医学科学院药物研究所
申请日： 2011-05-18 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： C07D471/04 文献下载
摘要：本发明公开了式(I)所示的利培酮的一种新晶III型物质状态；利培酮晶III型样品的制备方法；以利培酮晶III型物质作为活性成分制备的产品，所述产品包括药品和保健品，以及利培酮晶III型防治疾病和保健中的应用
利培酮晶 iii 物质制备方法药品保健品应用

[发明专利]制备互补器件的方法-CN201680018686.4在审
发明人：拉尔斯-埃里克·维尔纳松;约翰内斯·斯文松;阿尼尔·戴伊 -专利权人：拉尔斯-埃里克·维尔纳松
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种在一个生长过程中使用金颗粒来生长至少一组III‑Vn型纳米线和至少一组III‑Vp型纳米线的制备方法，其中，所述金颗粒具有对于III‑Vn型纳米线的一个尺寸和对于III‑Vp型纳米线的一个尺寸。
制备互补器件方法

[发明专利]III族氮化物层选择性外延生长的方法-CN201711328017.X在审
发明人：梁琥;Y·萨里帕里 -专利权人： IMEC非营利协会
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种形成III族氮化物材料层的方法，该方法包括提供具有主表面的基板，所述主表面包含第一III族氮化物材料层。所述基板在其主表面上还包括具有暴露所述第一III族氮化物材料的开口的电介质层。在对基板施加包含含氮气体的气体混合物的同时进行热处理工艺，从而使基板的温度升高到适于第二III族氮化物材料层生长的温度。随后将至少一种III族金属有机前体气体在生长温度引入气体混合物中，从而通过选择性外延生长至少在暴露的III族氮化物材料上的开口中形成第二III族氮化物材料层，特征在于所述气体混合物不含氢气。
主表面基板选择性外延生长气体混合物开口热处理工艺电介质层含氮气体引入气体有机前体氢气对基板混合物暴露生长施加

[发明专利]用于有机发光器件的发光性金(III)化合物-CN201880060075.5在审
发明人：任咏华;C-H.李;邓敏聪;陈美仪 -专利权人：香港大学
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本申请描述了用作有机发光器件(OLED)中的发射体的根据式(I)的金(III)化合物及所述化合物的制备和使用方法。该金(III)化合物包括含第15族元素的三齿配体和一种芳基辅助配体，二者均与金(III)金属中心配位以形成一系列热稳定和高发光的金(III)复合物。本申请所公开的金(III)化合物可用作制造OLED的发光材料。可使用溶液加工技术或真空沉积工艺将金(III)化合物以层的形式或作为层的组分沉积。金(III)化合物坚固并且能提供高效和高亮度的电致发光。
用于有机发光器件 iii 化合物

[发明专利]III族氮化物半导体材料的制备方法-CN202111651536.6在审
发明人：吴华龙;何晨光;张康;贺龙飞;赵维;廖乾光;刘云洲;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明公开一种III族氮化物半导体材料的制备方法，其包括在生长完第M层III族氮化物材料层后的升温阶段或降温阶段，在保持反应腔内氮源气体和反应载气的持续通入的同时，至少将生长第M层III族氮化物材料层所用的III族原料源中的与氮原子成键键能最弱的III族原料源通入反应腔中，其中，M≥1，M为整数。由此，可以提高制得的第M层III族氮化物材料层的界面处键能较弱原子的浓度，减弱键能较弱原子的分解，使界面处金属原子比例维持不变，进而防止第M层III族氮化物材料层的界面处的组分发生畸变。
iii 氮化物半导体材料制备方法

[发明专利]用于干式蚀刻化合物材料的方法-CN202080054139.8在审
发明人：彼得·文特泽克;阿洛科·兰詹 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：该基底包括布置在该基底上的III‑V膜层。该III‑V膜层包括暴露表面，该暴露表面下面的内部部分，以及以下中的一种或多种：Al、Ga、In、N、P、As、Sb、Si或Ge。该方法进一步包括：使用基于氢的等离子体处理改变该III‑V膜层的该暴露表面和该内部部分的一部分的化学组成，以形成该III‑V膜层的经改变部分；使用基于氯的等离子体处理去除该III‑V膜层的该经改变部分；以及重复该III‑V膜层的该改变和去除，直到从该基底去除该III‑V膜层的预先确定量为止。
用于蚀刻化合物材料方法

[发明专利]一种重组人源化III型胶原蛋白、制备方法及应用-CN202210550416.5在审
发明人：肖建喜;付彩虹 -专利权人：胶原蛋白（武汉）生物科技有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C07K14/78 文献下载
摘要：本发明属于基因工程技术领域，具体涉及一种重组人源化III型胶原蛋白、制备方法及应用。本发明所述的重组人源化III型胶原蛋白包括与人III型胶原蛋白100％相同序列的肽段，100％严格遵守Gly‑X‑Y重复序列模式，同源性高，生物安全性好；并且，所述的重组人源化III型胶原蛋白具有多个人III型胶原蛋白的重要功能位点，生物活性高；而且本发明构建了重组人源化III型胶原蛋白的表达体系，表达量高，易于纯化，制备的重组人源化III型胶原蛋白水溶性好，可广泛应用于护肤品、皮肤修复敷料、医学美容
一种重组人源化 iii 胶原蛋白制备方法应用

[发明专利]一种提高电化学反应效率的催化层结构-CN202110543971.0在审
发明人：宋微;衣宝廉;俞红梅;邵志刚 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01M4/92 文献下载
摘要：本发明提出了一种提高燃料电池电化学反应效率的阴极催化层结构，所述催化层包括三层，分别为靠近质子交换膜的层I、靠近扩散层的层III和位于层I和层III之间的层II，层II的催化剂中活性组分含量高于层I和层III，层II的催化剂担载量高于层I和层III，层III中树脂的EW值高于层I和层II，层I、层II和层III的I/C比依次降低，本发明通过上述改进，降低了层I中活性金属浓度和改善质子传导，提高了催化层中心区域即层II的活性金属浓度和改善质子传导，降低了层III中活性金属浓度和改善气体传输。
一种提高电化学反应效率催化结构

[发明专利]一种芳纶III的表面处理方法-CN201010108510.2有效
发明人：王凤德;彭涛;陈超峰;彭开云 -专利权人：中蓝晨光化工研究院有限公司
申请日： 2010-02-10 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： D06M13/395 文献下载
摘要：本发明提供一种芳纶III的表面处理方法，包括表面处理剂的配制、表面处理、干燥等步骤。本发明提供的方法能够提高芳纶III的柔软度，改善手感，减少后序操作过程中由于弯折等因素造成的强度损失，更重要的是能够提高芳纶III纤维的表面极性，从而提高芳纶III/环氧复合材料的界面粘结性能，进而提高芳纶III/环氧复合材料的层间剪切强度，达到45-55Mpa。而且该方法操作简单，安全，溶剂可以回收使用，容易实现在线连续处理；性能不衰减，处理过的芳纶放置较长一段时间后，制成的芳纶III/环氧树脂和刚处理过的芳纶III/环氧树脂具有相同的剪切强度。
一种 iii 表面处理方法