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- [发明专利]半导体器件-CN202211032012.3在审
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金炯男;M·伊玛姆;E·佩尔森;A·查尔斯
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英飞凌科技奥地利有限公司
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2022-08-26
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2023-04-07
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H01L27/02
- 半导体器件。根据实施例，提供了一种III族氮化物晶体管单元，其包括III族氮化物基本体、源极指、栅极指和漏极指,基本上彼此平行地延伸并且位于III族氮化物基本体上，栅极指侧向地布置在源极指和漏极指之间并且包括布置在III族氮化物本体上的p型III族氮化物指和布置在p型III族氮化物指上的栅极金属指，以及保护二极管。保护二极管集成到III族氮化物晶体管单元中并且可操作以在III族氮化物晶体管单元关断时在相反方向上传导电流。保护二极管电耦合在源极指和漏极指之间并且在栅极指和漏极指之间并且与栅极指和漏极指间隔开位于III族氮化物本体上。
- 半导体器件
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