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[发明专利]左旋可利霉素、其药物组合物、制备方法及应用-CN201110136228.X有效
发明人：姜洋;郝玉有 -专利权人：沈阳同联集团有限公司
申请日： 2011-05-25 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： A61K31/7048 文献下载
摘要：左旋可利霉素是以异戊酰螺旋霉素III、II、I三个组分为主的混合物，含有一定量的异丁酰螺旋霉素III、II，丁酰螺旋霉素III、II，丙酰螺旋霉素III、II和乙酰螺旋霉素III、II，其中异戊酰螺旋霉素III的含量不低于30wt％，异戊酰螺旋霉素III、II、I的总含量不低于60wt％，酰化螺旋霉素的含量为80～98wt％，该左旋可利霉素在温度25℃、0.02g/ml氯仿溶液中的比旋度为[α]D＝-52还涉及异戊酰螺旋霉素III、II或I为晶体化合物的左旋可利霉素和含所述左旋可利霉素的药物组合物。本发明的左旋可利霉素或其药物组合物中活性成分有旋光性，抗感染效果优良。
左旋可利霉素药物组合制备方法应用

[发明专利]一种III族氮化物纳米线柔性发光二极管及其制备方法-CN202010933632.9有效
发明人：朱玲;吴懿平;吕卫文;祝超 -专利权人：深圳远芯光路科技有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种III族氮化物纳米线柔性发光二极管及其制备方法，所述III族氮化物纳米线发光二极管依次顺序包括PDMS基层、金属反射层、p型接触层、III族氮化物纳米线和顶层金属接触点层，所述III族氮化物纳米线覆盖有抗蚀剂本发明的III族氮化物纳米线发光二极管用PDMS及金属反射层替代硅作为衬底，提高了III族氮化物纳米线发光二极管的输出功率，同时可提高III族氮化物纳米线发光二极管的可拉伸性。本发明的III族氮化物纳米线发光二极管实现了高亮度无磷LED，具有高稳定的白光发射和高达98的显色指数。
一种 iii 氮化物纳米柔性发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种高精度机械被动无热化全硅镜头-CN202011388633.6有效
发明人：金腾;张冰锐;李景;王泷仪;张瑞旺;陶玉;张晨钟 -专利权人：天津津航技术物理研究所
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G02B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高精度机械被动无热化全硅镜头，结构为：镜筒为变内径结构，内壁上由前至后设置有四处环形台阶，透镜I装入镜框I中，镜框I安装在第一台阶处；透镜II装入镜框II，镜框II安装在镜框I后端开设的安装台阶上；透镜III装入镜框III，镜框III布置在第二台阶和第三台阶之间，第二台阶处安装压圈III，压圈III和镜框III前端面之间设置弹簧；第四台阶和镜框III后端面之间设置伸缩隔圈；透镜IV装入镜框IV，镜框IV安装在镜筒后端开口处本发明通过控制弹簧压缩量精确控制弹力和伸缩隔圈的变形，利用车床定心技术实现透镜高精度装配，可实现镜头高低温时透镜III高精度补偿焦面的漂移，实现高低温清晰成像。
一种高精度机械被动热化镜头

[实用新型]三片式叶轮水泵-CN201320045713.0有效
发明人：姜泳;淳健;卢德福;袁华 -专利权人：重庆大久科技发展有限公司
申请日： 2013-01-28 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： F04D29/22 文献下载
摘要：该三片式叶轮水泵的叶轮包括：轮盘和与轮盘一体成形的叶片I、叶片II、叶片III，其中叶片I、叶片II和叶片III固定在轮盘上，叶片I、叶片II和叶片III的均包括：弧部I、弧部II和弧部III，其中弧部II位于弧部I和弧部III之间且与弧部I和弧部III一体成型，弧部III延伸到轮盘的边缘，且弧部I的半径大于等于20mm且小于等于25mm、弧度角大于等于50°且小于等于54°，弧部II的半径大于等于55mm且小于等于60mm、弧度角大于等于38°且小于等于42°，弧部III的半径大于等于60mm且小于等于65mm。
三片式叶轮水泵

[实用新型]一种新型蓄热式热力氧化装置-CN201620262734.1有效
发明人：潘国祥 -专利权人：扬州岱发环保科技有限公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： F23G7/06 文献下载
摘要：包括燃烧室、蓄热室I、II、III、鼓风机和出风机，蓄热室I、II和III并列安装在燃烧室下端，燃烧室的顶部设有燃烧机，蓄热室I、II、III内均设有蓄热床和热电偶，鼓风机和出风机通过进气管和出气管分别与蓄热室I、II、III相连接，蓄热室I、II、III的进气端上分别设有进气换向阀I、II、III，蓄热室I、II、III的出气端上分别设有出气换向阀I、II、III，进气管上设有位于鼓风机出风端的进气阀。
一种新型蓄热热力氧化装置

[实用新型]一种十字夹具-CN201721741882.2有效
发明人：刘兆华 -专利权人：青岛市平度度威台钳有限责任公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： B25B1/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种十字夹具，底座I的上面两侧设置导轨I，底座II设置在底座I的导轨I上，丝杠I设置在底座I上，与底座II丝母螺纹连接；底座II的上面设置导轨II，导轨II与导轨I呈十字设置，底座III设置在导轨II上，丝杠II设置在底座III上，与底座II丝母螺纹连接；底座III的中部设置凹槽，凹槽内设置导向杆，凹槽的两侧设置导轨III，导轨III与导轨II平行设置；导轨的一端设置钳口，另一端设置丝杠，导向杆上设置活动钳口，丝杠III带动活动钳口在导轨III上移动；导轨I与底座II之间设置导轨锁紧装置I，导轨II与底座III之间设置导轨锁紧装置II。
导轨底座丝杠导轨锁紧装置活动钳口两侧设置十字夹具丝母螺纹一端设置导向杆装夹夹具本实用新型工作效率加工误差平行设置十字设置上移动钳口卸下

[发明专利]用来制造掺杂的Ⅲ - N大块晶体以及自支撑的、掺杂的Ⅲ - N衬底的方法以及掺杂的Ⅲ - N大块晶体和自支撑的、掺杂的Ⅲ - N衬底-CN200680055569.1有效
发明人：费迪南德·肖尔茨;彼得·布鲁克纳;弗兰克·哈贝尔;贡纳尔·莱比戈 -专利权人：夫莱堡复合材料公司
申请日： 2006-08-09 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明介绍了用于制造掺杂的III-N大块晶体的方法，其中，III代表周期表第III主族的、选自Al、Ga和In的至少一种元素，其中，掺杂的晶态III-N层或者掺杂的III-N大块晶体在反应器中在衬底或模板上沉积，并且其中，至少一种掺杂物质到反应器中的输送以与至少一种III族材料混合的形式进行。以这种方式，III-N大块晶体以及由其分割而成的III-N单晶衬底以掺杂物质分别在生长方向上以及在垂直于生长方向的生长平面内非常均一分布的方式被获得。
用来制造掺杂大块晶体以及支撑衬底方法

[发明专利]半导体元件用外延基板、半导体元件用外延基板的制造方法、以及半导体元件-CN201180043385.4无效
发明人：三好实人;市村干也;前原宗太;田中光浩 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2011-08-19 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种外延基板，在（111）单晶硅基板上，以（0001）结晶面与基板面大致平行的方式形成III族氮化物层组，所述外延基板具有由多个基底层层叠而成的基底层组，所述基底层分别包括由AlN构成的第一III族氮化物层、和在第一III族氮化物层上形成的、由AlyyGazzN构成的第二III族氮化物层构成。第一III族氮化物层为多结晶含有缺陷层，第一和第二III族氮化物层的界面呈三维凹凸面，并且，在多个基底层中，构成基底基板正上方以外的基底层的第一III族氮化物层的厚度为50nm以上且100nm以下，第二III族氮化物层满足0≦yy≦0.2。
半导体元件外延制造方法以及

[发明专利]氨基糖苷衍生物及其在治疗遗传紊乱中的用途-CN201880051071.0在审
发明人：帝莫·巴索夫;薇拉·菲尔松;瓦莱丽·贝拉克霍夫;巴特亨·埃隆 -专利权人： ELOXX制药有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： C07H15/224 文献下载
摘要：本发明提供了由本说明书定义的式表示的经设计以表现出终止密码子突变读出活性的新颖的氨基糖苷(例如，式A，B，I，I*，III或III*的化合物，包括由式Ia，I**，I*a，I*b，IIIa，III**，III*a和III*b表示的化合物)。
氨基糖苷衍生物及其治疗遗传紊乱中的用途

[发明专利]III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法-CN202110645249.8在审
发明人：森勇介;吉村政志;今西正幸;北本启;隅智亮;泷野淳一;冈山芳央 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明提供III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法。提供具有优异的导电性和低吸光系数的III族氮化物晶体。III族氮化物晶体掺杂有N型掺杂剂和锗元素，N型掺杂剂的浓度为1×1019cm‑3以上，锗元素的浓度为N型掺杂剂的浓度的
iii 氮化物晶体制造方法

[发明专利]III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法-CN202110645250.0在审
发明人：森勇介;吉村政志;今西正幸;北本启;隅智亮;泷野淳一;冈山芳央 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明提供III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法。提供具有优异的导电性和低吸光系数的III族氮化物晶体。III族氮化物晶体掺杂有N型掺杂剂和氢元素，N型掺杂剂的浓度为1×1020cm‑3以上，氢元素的浓度为1×10
iii 氮化物晶体制造方法

[发明专利]纳米多孔多酚基配位聚合物框架的合成及其使用方法-CN202080083740.X在审
发明人： H·拉特纳亚克;S·达乌德 -专利权人：北卡罗来纳大学格林斯伯勒分校
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C07F15/02 文献下载
摘要：合成单宁酸配位的Fe(III)‑配位聚合物框架(TA‑Fe(III)‑CPF)的方法包括将单宁酸(TA)与乙酸铁(III)的水溶液(Fe(OAc)3)配位以形成混合物所述方法还包括由混合物形成单宁酸配位的Fe(III)‑配位聚合物框架(TA‑Fe(III)‑CPF)。
纳米多孔多酚基配位聚合框架合成及其使用方法

[发明专利]半导体结构和制造方法-CN202180020645.X在审
发明人：穆罕默德·阿里;雷切尔·奥利弗;朱彤彤 -专利权人：波拉科技有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：一种半导体结构包括：第一III族氮化物材料层，其具有第一晶格尺寸；第二III族氮化物材料的无孔层，其具有不同于第一晶格尺寸的第二晶格尺寸；以及III族氮化物材料的多孔区域，其布置在第一III族氮化物材料层与第二III族氮化物材料的无孔层之间。
半导体结构制造方法

[发明专利]一种石墨烯的生长方法以及石墨烯-CN201110078118.2有效
发明人：刘争晖;王建峰;钟海舰;任国强;蔡德敏;徐耿钊;樊英民;徐科 -专利权人：苏州纳维科技有限公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2011-03-30 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：一种石墨烯的生长方法，包括如下步骤：提供III族氮化物衬底；将所述III族氮化物衬底置于平板加热器的中心区域；向III族氮化物衬底表面通入非氧化性气体；加热III族氮化物衬底；向III族氮化物衬底表面通入含碳物质作为碳源
一种石墨生长方法以及

[发明专利]化合物半导体层和发光元件的制造方法及汽相生长设备-CN200410002996.6有效
发明人：中村淳一;佐佐木和明 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2004-01-08 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：III－V族化合物半导体层的制造方法，包括以下工序：在反应室中的衬底上形成第一III－V族化合物半导体层；在第一III－V族化合物半导体层形成工序之前或之后，向反应室提供III族材料气体，防止反应室内的III族气体的再次蒸发。
化合物半导体发光元件制造方法相生设备