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[发明专利]高电压Ⅲ族氮化物半导体器件-CN201080030524.5有效
发明人：乌梅什·米什拉;李·麦卡蒂;尼古拉斯·菲希坦鲍姆 -专利权人：特兰斯夫公司
申请日： 2010-05-12 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：描述了一种III-N器件，其具有：缓冲层，在该缓冲层上的第一III-N材料层，在该第一III-N材料层上的相对于缓冲层的相反侧上的第二III-N材料层以及在该缓冲层和沟道层之间的分散阻挡层。该第一III-N材料层是沟道层，并且在该第一III-N材料层和该第二III-N材料层之间的组分差异使得在该第一III-N材料层中感应出2DEG沟道。
电压氮化物半导体器件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202010301464.1在审
发明人：邱汉钦 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：所述半导体装置包括衬底、通道层、势垒层、一栅极结构，其包含：第一经掺杂III‑V族半导体、III‑V族半导体及导体。通道层设置于所述衬底上。势垒层设置于所述通道层上。第一经掺杂III‑V族半导体设置于所述势垒层上。III‑V族半导体设置于所述经掺杂III‑V族半导体上。导体设置于所述III‑V族半导体上，其中所述第一经掺杂III‑V族半导体之宽度大于所述导体之宽度。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种III族氮化物层结构及其制备方法、晶体管-CN202010812552.8有效
发明人：姜全忠 -专利权人：深圳市奥谱太赫兹技术研究院
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种III族氮化物层结构及其制备方法、晶体管，其中所述方法包括：⑴提供异质生长衬底；⑵在所述异质生长衬底的上表面上依次生长第一成核层和III极性III族氮化物层；⑶除去所述异质生长衬底、所述第一成核层，并暴露出所述III极性III族氮化物的氮极性面得到氮极性衬底；⑷在所述氮极性衬底的上表面上，生长氮极性III族氮化物层结构，所述氮极性III族氮化物层结构包括二维电子气。
一种 iii 氮化物结构及其制备方法晶体管

[实用新型]一种栅极金属结构及其III族氮化物器件-CN202021141002.X有效
发明人：孙希国;蔡文必;刘胜厚 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型公开了应用于III族氮化物器件结构，所述栅极金属结构设置于III族氮化物器件的III族氮化物层上，所述栅极金属结构包含第一金属层；所述栅极金属结构还包含第二金属层，所述第二金属层设置于III族氮化物层与所述第一金属层之间，以及公开了采用上述栅极金属结构的III族氮化物器件，本实用新型具备改善III族氮化物器件阈值电压的稳定性，提高III族氮化物器件的可靠性特点。
一种栅极金属结构及其 iii 氮化物器件

[发明专利]Ⅲ族氮化物结晶的制造方法、Ⅲ族氮化物结晶的制造装置及Ⅲ族氮化物结晶-CN200680016083.7有效
发明人：皿山正二;岩田浩和;布施晃广 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2006-05-12 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：一种III族氮化物结晶的制造方法、III族氮化物结晶的制造装置及III族氮化物结晶，III族氮化物结晶的制造方法是将保持含有III族金属和助熔剂的溶液的溶液保持容器收容于反应容器内，并经配管自外部向所述反应容器内供给含氮的物质，同时制造III族氮化物结晶的方法，其中，该方法中设有如下工序，在所述溶液保持容器内使III族氮化物结晶成长之前，在所述配管内形成液体滞留部，并利用该滞留部将所述配管暂时堵塞。
氮化物结晶制造方法装置

[发明专利]一种在III-V材料上镀高粘附性薄膜的方法-CN201910981191.7在审
发明人：任慧群;崔虎山;邹志文;丁光辉;范思大;吴志浩;许开东;陈璐 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种从III‑V材料上，如III‑V衬底或者和其之上形成的III‑V器件结构，镀高粘附性薄膜的方法，具体是在PECVD反应腔室内采用非反应惰性气体等离子轰击III‑V衬底及III‑V器件结构，以去除III‑V材料上的自然氧化层（如氧化铟、氧化镓等），然后再进行PECVD方式镀膜；所述非反应惰性气体选自氩气（Ar）、氦气（He）、氙气（Xe）、氖气（Ne）或氢气（H
反应惰性气体等离子轰击自然氧化层器件结构衬底去除薄膜粘附性氩气方式镀膜高粘附性氢气反应腔破真空氧化铟氧化镓镀膜氦气氖气氙气薄膜室内

[发明专利]半导体结构中的III-N至稀土过渡-CN201980076626.1在审
发明人： R·达尔基斯;A·克拉克;R·佩尔策尔;M·莱贝;R·延卡 -专利权人： IQE公开有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：鉴于III‑N层生长工艺中的高温问题，本文描述的实施例使用分层结构，分层结构包括稀土氧化物(REO)或稀土氮化物(REN)缓冲层和多晶III‑N‑RE过渡层以从REO层过渡到III‑N层。在一些实施例中，III‑N层的压电系数通过分层结构中的额外应变的引入而增大。然后，RE‑III‑N氮化物的多晶性可以被用于与III‑N层的晶格匹配。
半导体结构中的 iii 稀土过渡

[发明专利]具有氮化硼合金中间层的高电子迁移率晶体管及生产方法-CN201880067918.4有效
发明人：李晓航 -专利权人：阿卜杜拉国王科技大学
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体器件，包含III族氮化物缓冲层和III族氮化物势垒层。介于III族氮化物缓冲层与III族氮化物势垒层之间的氮化硼合金中间层。III族氮化物缓冲层的一部分包含二维电子气(2DEG)沟道，该沟道位于III族氮化物缓冲层的与氮化硼合金中间层相邻的一侧。
具有氮化合金中间层电子迁移率晶体管生产方法

[发明专利]一种去除水中As(III)的方法-CN200810063870.8无效
发明人：关小红;马军;姜利;刘永泽 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2008-01-18 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： C02F1/58 文献下载
摘要：一种去除水中As(III)的方法，它属于水处理技术领域。它解决现有技术对水中As(III)的去除率低、工艺复杂、时间长、运行成本高及产生大量含砷废渣的问题。去除方法：将As(III)氧化成As(V)后投加亚铁盐，经混合、絮凝后沉淀，即可去除水中的As(III)。本发明一种去除水中As(III)的方法，对水中As(III)的去除率达99％以上、工艺简单、时间短、运行成本低，产生的含砷废渣量少。
一种去除水中 as iii 方法

[发明专利]包括具有改进的钝化层的III‑N层堆叠的器件及相关联的制造方法-CN201280071307.X有效
发明人： J·德鲁恩;S·迪格鲁特;M·杰曼 -专利权人：埃皮根股份有限公司
申请日： 2012-10-12 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：公开了一种包括特征在于二维电子气的III‑N层堆叠的器件，所述器件包括III‑N层；所述III‑N层顶部的Al‑III‑N层；所述Al‑III‑N层顶部的钝化层，所述钝化层包括氮化硅(SiN)；其中所述钝化层包括Al‑III‑N界面处的全晶体子层并且所述全晶体子层的至少一部分包括Al和/或B；以及用于制造所述器件的相关联的方法。
包括具有改进钝化 iii 堆叠器件相关制造方法

[发明专利]在硅鳍状物上形成LED结构-CN201380079214.6有效
发明人： S·达斯古普塔;H·W·田;R·周;M·拉多萨夫列维奇;B·舒-金;S·加德纳 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：描述了在硅鳍状物模板上形成III‑V LED结构的方法。那些方法和结构可以包括：在硅鳍状物的硅(111)平面上形成n掺杂III‑V层，在n掺杂III‑V层上形成量子阱层，在量子阱层上形成p掺杂III‑V层，以及随后在p掺杂III‑V层上形成欧姆接触层。
硅鳍状物上形成 led 结构

[实用新型]一种能够拼正三角形又能够拼正方形的拼板-CN201822028371.7有效
发明人：徐展峰;张向平;方晓华 -专利权人：金华职业技术学院
申请日： 2018-11-25 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： A63F9/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及教具兼玩具领域的平面几何拼板，一种能够拼正三角形又能够拼正方形的拼板，包括拼板I、拼板II、拼板III和拼板IV共四块拼板，所述四块拼板由一个正三角形裁剪而成，正三角形依次由边I、边II和边III围成，在边长为1个单位的正三角形的边I上取中点为裁剪点I，在所述正三角形的边II上取中点为裁剪点II，在所述正三角形的边III上取裁剪点III和裁剪点IV，裁剪点III离边III右端点的距离为边III长的四分之一处，裁剪点IV离边III左端点的距离为边III长的四分之一处，连接裁剪点II和裁剪点IV成为裁剪线I，过裁剪点I作裁剪线I的垂线成为裁剪线II，过裁剪点III作裁剪线I的垂线成为裁剪线III，能够得到拼板I、拼板II、拼板III和拼板IV。
拼板裁剪正三角形裁剪线垂线平面几何玩具领域边长教具左端

[发明专利]半导体结构及形成半导体结构的方法-CN201210005700.0有效
发明人：姚福伟;许竣为;游承儒;余俊磊;杨富智;熊志文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-01-09 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：半导体结构包括第一III-V族化合物层。第二III-V族化合物层设置在第一III-V族化合物层上，并且该第二III-V族化合物层在组成上与第一III-V族化合物层不同。载流子沟道位于第一III-V族化合物层和第二III-V族化合物层之间。源极部件和漏极部件设置在第二III-V族化合物层上。栅电极设置在位于源极部件和漏极部件之间的第二III-V族化合物层的上方。载流子沟道耗尽层设置在第二III-V族化合物层上。所述载流子沟道耗尽层采用等离子体沉积并且一部分载流子沟道耗尽层位于至少一部分栅电极的下方。本发明还公开了形成半导体结构的方法。
半导体结构形成方法

[发明专利]重组人源Ⅲ型胶原蛋白α1链及其应用-CN201910088754.X在审
发明人：梁亮;王丽萍 -专利权人：江苏悦智生物医药有限公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C07K19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种重组人源III型胶原蛋白α1链及其应用，编码该所述重组人源III型胶原蛋白α1链的核苷酸序列如SEQ ID NO：1所示，所述重组人源III型胶原蛋白α1链从氨基端依次包含：氨基端亲和纯化标签、人源III型胶原成熟肽链以及羧基端亲和纯化标签。根据本发明实施例的重组人源III型胶原蛋白，通过在人源III型胶原成熟肽链的两端都设计有特异性亲和纯化标签，有利于全长蛋白的纯化，也可用于胶原蛋白的鉴定，并且根据本发明实施例的所述重组人源III型胶原蛋白采用的是III型胶原蛋白的成熟肽链，去除了两端的前肽，表达量远高于包含前肽的基因。
人源蛋白亲和纯化成熟肽胶原蛋白标签氨基端前肽核苷酸序列全长蛋白表达量羧基端可用应用基因

[发明专利]具有双厚度势垒层的高电子迁移率晶体管-CN201910167400.4在审
发明人： G.库拉托拉;O.赫贝伦 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：异质结半导体本体包括第一III‑V型半导体层和形成在第一III‑V型半导体层之上的第二III‑V型半导体层。第二III‑V型半导体层具有与第一III‑V型半导体层不同的带隙，使得第一二维电荷载流子气形成在第一与第二III‑V型半导体层之间的界面处。第二III‑V型半导体层具有较厚区段和较薄区段。栅极结构与第二III‑V型半导体层的较厚与较薄区段之间的过渡横向间隔开。
半导体层异质结半导体栅极结构厚区段高电子迁移率晶体管半导体器件电荷载流子横向间隔输出电极界面处势垒层带隙二维输出