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[发明专利]一种自旋极化耦合的GaN MOSFET-CN202110963314.1在审
发明人：陈利;陈彬 -专利权人：福建晋润半导体技术有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明涉及晶体管技术领域，具体为一种自旋极化耦合的GaNMOSFET，包括GaNMOSFET，所述GaNMOSFET的底部电性连接有第一引脚，所述第一引脚的底端通过转轴转动连接连接块，所述连接块的底端通过弹簧弹性连接第二引脚本发明通过在连接块与第二引脚之间设置弹簧，可以有效的增加抗振性能，当安装GaNMOSFET设备发生振动后，弹簧可以吸收部分动能，从而第一引脚或者第二引脚因振动而导致与设备断开连接的情况；本发明设置的第一引脚与连接块转动连接，安装好GaNMOSFET后，可以将GaNMOSFET弯折收起，不仅可以降低GaNMOSFET的重心，减小振动影响，同时也可以缩小安装空间。
一种自旋极化耦合 gan mosfet

[实用新型]一种基于GaN的电源适配器电路-CN202320663202.9有效
发明人：周莹;吕亦斌;朱星荣;詹鉴勇;黄文冠;卢吾云 -专利权人：广东理工学院
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于GaN的电源适配器电路，包括输入整流滤波模块、CX2006电路模块、主控供电电路模块、电容隔离模块、协议识别输出电路模块、RCD吸收电路模块、变压器电路模块、同步整流器模块和GaNMOSFET开关电路模块，输入整流滤波模块与RCD吸收电路模块连接，RCD吸收电路模块分别与变压器电路模块、GaNMOSFET开关电路模块连接，变压器电路模块与同步整流器模块连接，同步整流器模块与协议识别输出电路模块连接，GaNMOSFET开关电路模块与CX2006电路模块连接，CX2006电路模块与主控供电电路模块连接。
一种基于 gan 电源适配器电路

[发明专利]氮化镓金属氧化物半导体场效应晶体管-CN202210424342.0在审
发明人：多米尼哥·洛华帝;邓志平;杰世瑞·朗斯华利 -专利权人：蕾能科技有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：分别在所述缓冲层上形成的源区、漏区和栅区，在源区、漏区和栅区上的绝缘层和金属层，以及在所述源区和漏区之间、在低于栅区的位置处形成的沟槽结构，其中，所述沟槽结构包括一个或多个沟槽，所述沟槽从所述源区穿过所述GaNMOSFET
氮化金属氧化物半导体场效应晶体管

[发明专利]SiC/GaN MOSFET驱动电路和集成电路-CN202210234566.5有效
发明人：宁勇;张秀卫;漆俊;赵振兴;徐刚;徐毛邓;彭建伟 -专利权人：湖南北顺源智能科技有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明提供一种SiC/GaN MOSFET驱动电路和集成电路，包括：隔离变压器、第一前沿脉冲开通电路、第二前沿脉冲开通电路、第一后沿脉冲关断电路、第二后沿脉冲关断电路、钳位缓冲电路、脉冲前后沿生成电路和SiC/GaNMOSFET
sic gan mosfet 驱动电路集成电路

[实用新型]一种高质量MOS界面的常关型GaNMOSFET结构-CN201721427178.X有效
发明人：刘扬;阙陶陶 -专利权人：中山大学
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件的技术领域，更具体地，涉及一种高质量MOS界面的常关型GaN MOSFET结构。本实用新型利用二次外延高温生长的过程中，掩膜层与GaN界面形成的一层致密的介质层，有效地钝化了GaN材料表面悬挂键，在后续工艺过程中减少了Ga‑O键的进一步形成，从而改善了器件的性能。所述外延层包括一次外延生长的GaN外延层基板以及选择区域二次外延生长的非掺杂GaN外延层、异质结势垒层。所述凹槽栅由二次外延生长接入区材料时自然形成。栅极绝缘介质层覆盖在凹槽沟道、二次外延层的侧壁及表面之上，通过刻蚀绝缘层的两端形成源、漏极区域，再通过金属蒸镀形成欧姆接触电极。本实用新型利用选择区域外延技术制备了具有高质量界面的槽栅MOS器件，明显地提高了器件的阈值电压稳定性。
本实用新型外延生长外延层致密欧姆接触电极选择区域外延半导体器件绝缘介质层刻蚀绝缘层异质结势垒凹槽沟道高温生长后续工艺界面形成金属蒸镀漏极区域选择区域一次外延自然形成阈值电压非掺杂介质层悬挂键掩膜层有效地槽栅侧壁钝化基板制备生长覆盖

[发明专利]一种高质量MOS界面的常关型GaNMOSFET结构及其制备方法-CN201711049287.7在审
发明人：刘扬;阙陶陶 -专利权人：中山大学
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的技术领域，更具体地，涉及一种高质量MOS界面的常关型GaN MOSFET结构及其制备方法。本发明利用二次外延高温生长的过程中，掩膜层与GaN界面形成的一层致密的介质层，有效地钝化了GaN材料表面悬挂键，在后续工艺过程中减少了Ga‑O键的进一步形成，从而改善了器件的性能。所述外延层包括一次外延生长的GaN外延层基板以及选择区域二次外延生长的非掺杂GaN外延层、异质结势垒层。所述凹槽栅由二次外延生长接入区材料时自然形成。栅极绝缘介质层覆盖在凹槽沟道、二次外延层的侧壁及表面之上，通过刻蚀绝缘层的两端形成源、漏极区域，再通过金属蒸镀形成欧姆接触电极。本发明利用选择区域外延技术制备了具有高质量界面的槽栅MOS器件，明显地提高了器件的阈值电压稳定性。
一种质量 mos 界面常关型 ganmosfet 结构及其制备方法

[发明专利]用于SiC或GaNMOSFET晶体管的开关装置的短路保护电路及相关方法-CN201810729850.3有效
发明人：菲萨·奥卡亚勒 -专利权人：阿尔斯通运输科技公司
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H03K17/0812 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率开关装置(10)，其包括至少一个能够由主电流(I；Ia，Ib，Ic)能够行进通过的SiC或GaN MOSFET型晶体管(12；12a，12b，12c)；所述开关装置(10)包括至少一个测量模块(14；14a，14b，14c)，所述至少一个测量模块被配置为从由所述晶体管(12；12a，12b，12c)产生的电磁场间接测量在所述晶体管(12；12a，12b，12c)的漏极与源极之间流动的主电流；以及至少一个保护电路(16；16a，16b，16c)，所述保护电路被配置为基于所述主电流(I；Ia，Ib，Ic)的时间导数的符号来检测短路。
用于 sic ganmosfet 晶体管开关装置短路保护电路相关方法

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