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[发明专利]形成自然风的方法及自然风电风扇-CN97116772.9无效
发明人：吴凤清 -专利权人：吴凤清
申请日： 1997-08-19 - 公布日： 1998-01-28 - 主分类号： F04D17/04 文献下载
摘要：本发明是一种使电风扇所形成的风近似自然风的方法及自然风电风扇。人们使用电风扇时,常常感觉不舒服,时间长了,会使人觉得有头痛、乏力等症状。这是因为电风扇所形成的风,具有极高的向心旋转角速度的原故。为此,提出一种使用导流网罩来消除或降低传统电风扇在工作时产生的旋风(或涡流)现象的方法并设计了有导流网罩的自然风电风扇,使自然风电风扇所形成的风更接近于自然风的运动状态,从而提高人们用电风扇降温的舒适性
形成自然方法电风扇

[发明专利]设施温室模拟自然风形成系统-CN201710623339.0在审
发明人：刘敏德;蔡杜颖 -专利权人：海南现代设施农业研究院有限公司
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： F04D25/08 文献下载
摘要：本发明属农业设施领域，涉及一种设施温室模拟自然风形成系统，包括控制器、气流通道和风扇，气流通道水平放置，风扇位于气流通道的前端，在气流通道的末端分叉为左、中、右三个不同方向的分流道，分流道之间的对接处分别轴连接分流导向板本发明采用机电一体化设计，将气流通道、分流道以及变向装置结合在一起，可在温室内形成方向交替变换的空气流，最大限度地模拟出自然风，使种植区的小环境得到更快、更好的更新，有助于温室内植物的生长，为现代化设施温室的建设提供支撑
设施温室模拟自然形成系统

[发明专利]平面自然特征目标的原位形成-CN201910659586.5有效
发明人：丹尼尔·瓦格纳;潘琪 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-02-26 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G06T7/246 文献下载
摘要：本申请涉及平面自然特征目标的原位形成。本发明揭示一种用于平面自然特征目标的原位形成的系统、设备及方法。在一个实施例中，在处理一或多个后续图像之前从单个第一参考图像初始化平面目标。
平面自然特征目标原位形成

[外观设计]瓜果标记自然形成版（粘贴式）-CN01331132.8无效
发明人：赵文卿 -专利权人：赵文卿
申请日： 2001-07-16 - 公布日： 2002-07-31 - 主分类号： 19-08-L0002 文献下载
摘要：本产品以平面为特征，后视图无设计要点，故省略其它视图。
瓜果标记自然形成粘贴

[发明专利]平面自然特征目标的原位形成-CN201480013489.4有效
发明人：丹尼尔·瓦格纳;潘琪 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-02-26 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： G06T7/73 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于平面自然特征目标的原位形成的系统、设备及方法。在一个实施例中，在处理一或多个后续图像之前从单个第一参考图像初始化平面目标。
平面自然特征目标原位形成

[外观设计]瓜果标记自然形成版（缚带式）-CN01331131.X无效
发明人：赵文卿 -专利权人：赵文卿
申请日： 2001-07-16 - 公布日： 2002-03-06 - 主分类号： 19-08-L0002 文献下载
摘要：后视图无设计要点，故省略其它视图。
瓜果标记自然形成缚带式

[实用新型]自然水域冰层形成过程的模拟装置-CN201521039184.9有效
发明人：程培峰;赵文美;李吉庭;宇德忠 -专利权人：赵文美
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： G01N25/02 文献下载
摘要：一种自然水域冰层形成过程的模拟装置，属于冰工程研究领域，解决了目前在针对自然水域冰层的研究中存在的问题，它包含一个蓄水箱，在蓄水箱的相对两侧分别设置进水口和出水口并通过循环管连通；在循环管上设置有循环泵及流量控制阀；在蓄水箱上侧位于出水口与临近隔板之间的位置设置有一个制冷箱，制冷箱的底面采用铜、铝等热的良导体材质，制冷箱的侧壁为保温壁，可以在制冷箱内加入干冰、液氮等对蓄水箱内降温使蓄水箱内的水由上至下结冰，模拟自然水域冰层形成的过程；本实用新型用于模拟自然水域冰层形成的过程。
自然水域冰层形成过程模拟装置

[发明专利]自然形成的粗短沙漏形焊点的成形工艺-CN201911087498.9有效
发明人：王毅华 -专利权人：中新国际联合研究院
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了自然形成的粗短沙漏形焊点的成形工艺，在无外力的情况下让焊点自然的形成粗短的沙漏形。增大的焊点末端的截面面积能大幅度的舒缓焊点末端处的应力，从而提升焊点在温度循环中的寿命。
自然形成粗短沙漏形焊点成形工艺

[实用新型]壁挂式空调的室内机-CN201721495220.1有效
发明人：李柯飞 -专利权人：青岛海尔空调器有限总公司
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： F24F1/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种壁挂式空调的室内机，包括机壳、换热器和主风机；机壳长度方向的一端部形成有自然风室，机壳上靠近自然风室的位置形成有换热风室，机壳的顶部与换热风室对应的位置形成有顶部进风口，机壳的前侧下部形成有换热风出风口；换热器和主风机设置于换热风室内，配置为与从顶部进风口进入的气流进行热交换，以形成换热风；机壳的前侧下部与自然风室对应的位置形成有自然风出风口，且自然风室连通室内空气与自然风出风口，以使得室内空气进入自然风室，并从自然风出风口流出与从换热风出风口处流出的换热风进行混合，从而避免换热风过冷或过热引起室内用户的不适，提高了室内环境的舒适性。
自然风室热风出风口自然风壁挂式空调热风出风口室内空气侧下部换热器进风口热风室室内机主风机热交换流出本实用新型室内环境室内用户舒适性过冷过热连通室内配置

[发明专利]双级独立式液气双通道自然冷却数据中心散热系统-CN201710184453.8有效
发明人：林湧双;张学伟;陈前;顾剑彬;陈华;谢春辉;叶向阳;梁洁平 -专利权人：广东申菱环境系统股份有限公司
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本专利涉及一种双级独立式液气双通道自然冷却数据中心散热系统，包括液冷模块、第一自然散热装置、风冷装置、第二自然散热装置、第一换热器和第二换热器，所述第一换热器一侧和液冷模块连接形成循环回路，另一侧和第一自然散热装置连接形成循环回路；所述第二换热器一侧和风冷装置连接形成循环回路，另一侧和第二自然散热装置连接形成循环回路。本专利采用自然冷源进行散热，减少了机械制冷中压缩机等部件的运行和维护成本，极大地降低了能耗，节省了能源。
双级独立式双通道自然冷却数据中心散热系统

[实用新型]双级独立式液气双通道自然冷却数据中心散热系统-CN201720297083.4有效
发明人：林湧双;张学伟;陈前;顾剑彬;陈华;谢春辉;叶向阳;梁洁平 -专利权人：广东申菱环境系统股份有限公司
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本专利涉及一种双级独立式液气双通道自然冷却数据中心散热系统，包括液冷模块、第一自然散热装置、风冷装置、第二自然散热装置、第一换热器和第二换热器，所述第一换热器一侧和液冷模块连接形成循环回路，另一侧和第一自然散热装置连接形成循环回路；所述第二换热器一侧和风冷装置连接形成循环回路，另一侧和第二自然散热装置连接形成循环回路。本专利采用自然冷源进行散热，减少了机械制冷中压缩机等部件的运行和维护成本，极大地降低了能耗，节省了能源。
双级独立式双通道自然冷却数据中心散热系统

[发明专利]一种用于半导体量子计算的纯化硅衬底及其形成方法-CN202011323338.2在审
发明人：王桂磊;亨利·H·阿达姆松;孔真真;罗雪 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体量子计算的纯化硅衬底及其形成方法，属于半导体技术领域，用以解决现有技术中外延纯化硅受衬底自然硅同位素成分的影响较大的问题。本发明的纯化硅衬底包括依次层叠的自然硅衬底、绝缘层和纯化硅层。本发明的形成方法包括提供一基础衬底，在基础衬底上外延形成纯化硅层，得到施主衬底；提供一自然硅衬底；在施主衬底和/或自然硅衬底上形成至少一层绝缘层；将施主衬底与自然硅衬底键合，基础衬底和自然硅衬底均位于表面本发明的纯化硅衬底及其形成方法可用于半导体量子计算。
一种用于半导体量子计算纯化衬底及其形成方法

[发明专利]图像形成系统和图像形成装置-CN201911362593.5有效
发明人：高桥彻;名屋佑治;松村武士 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H04N1/00 文献下载
摘要：本发明公开了图像形成系统和图像形成装置。图像形成系统被配置为接收自然语言语音的输入。不管自然语言语音是否包括第一词或第二词的组合，图像形成系统都可以将自然语言语音识别为选择显示在画面上的特定打印设置的指示。
图像形成系统装置

[发明专利]利用自然氧化层形成具有沟道结构的三维存储器件的方法-CN201880001999.8有效
发明人：王启光;靳磊;刘红涛 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：公开了具有带有自然氧化层的沟道结构的3D存储器件及其形成方法的实施例。在示例中，公开了一种用于形成3D存储器件的方法。在衬底上形成电介质堆叠层。形成垂直延伸穿过电介质堆叠层的开口。沿着开口的侧壁形成自然氧化层。自然氧化层包括至少一些第一电介质层的自然氧化物。将沉积氧化层、存储层、隧穿层和半导体沟道按此顺序相继形成在自然氧化层之上并沿着所述开口的侧壁。通过用导体层替换电介质堆叠层中的第一电介质层，形成包括交错的导体层和第二电介质层的存储堆叠层。
利用自然氧化形成具有沟道结构三维存储器件方法

[发明专利]利用自然氧化层形成具有沟道结构的三维存储器件的方法-CN202010174466.9有效
发明人：王启光;靳磊;刘红涛 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：公开了具有带有自然氧化层的沟道结构的3D存储器件及其形成方法的实施例。在示例中，公开了一种用于形成3D存储器件的方法。在衬底上形成电介质堆叠层。形成垂直延伸穿过电介质堆叠层的开口。沿着开口的侧壁形成自然氧化层。自然氧化层包括至少一些第一电介质层的自然氧化物。将沉积氧化层、存储层、隧穿层和半导体沟道按此顺序相继形成在自然氧化层之上并沿着所述开口的侧壁。通过用导体层替换电介质堆叠层中的第一电介质层，形成包括交错的导体层和第二电介质层的存储堆叠层。
利用自然氧化形成具有沟道结构三维存储器件方法

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