专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种智能电子开关、集成电路芯片、芯片产品和汽车-CN202310234448.9在审
  • 白文利;宋朋亮;曹岩;杜翠翠 - 无锡市稳先微电子有限公司
  • 2023-03-13 - 2023-10-24 - H03K17/0812
  • 本申请实施例提供一种防止温度检测失效的智能电子开关,包括:电源供电端、电源接地端、负载输出端、驱动控制单元;功率开关;温度检测支路,其一端与电源供电端连接,其另一端与电源接地端连接,其包括温度检测单元和第一元件,所述温度检测单元与所述第一元件串联,所述温度检测单元与所述第一元件相连的点为温度检测点,所述温度检测单元邻近功率开关设置或者嵌入功率开关中,以用于检测功率开关的温度;失效判断单元,其一个输入端与所述温度检测点连接,其另一个输入端接入失效阈值电压,所述失效检测单元比较温度检测点的电压与所述失效阈值电压以输出温度检测单元是否失效的信号。本申请实施例还提供一种集成电路芯片、芯片产品和汽车。
  • 一种智能电子开关集成电路芯片产品汽车
  • [发明专利]高电位侧驱动电路-CN201911119278.X有效
  • 外园和也;王东;福留淳 - 三菱电机株式会社
  • 2019-11-15 - 2023-09-26 - H03K17/0812
  • 本发明的目的在于减小高电位侧驱动电路的芯片面积。本发明的高电位侧驱动电路将第1电位作为电源电位,该高电位侧驱动电路具备:恒压电路,其将第2电位作为基准电位而进行动作,根据第1电位生成比第1电位低且比第2电位高的第3电位;逻辑电路,其将第3电位作为基准电位而进行动作;电平移位电路,其接收逻辑电路的输出信号,将输出信号的基准电位从第3电位移位为第2电位;以及驱动电路,其将通过电平移位电路移位后的第2电位作为基准电位,通过逻辑电路的输出信号对开关元件进行驱动。
  • 电位驱动电路
  • [发明专利]半导体装置-CN201811609639.4有效
  • 中川翔 - 富士电机株式会社
  • 2018-12-27 - 2023-09-26 - H03K17/0812
  • 本发明提供一种半导体装置,其具备电流感测用半导体开关元件,能够防止因驱动的感性负载的反电动势而导致的电流感测用半导体开关元件的破坏。半导体装置(S)具备:主MOSFET(1),其用于通过进行开关而驱动负载;感测MOSFET(2),其用于对在主MOSFET(1)中流通的电流进行检测;以及感测MOSFET保护电路(6),其配置在主MOSFET(1)的栅极与感测MOSFET(2)的栅极之间,以与主MOSFET(1)的栅极不同的基准电位保护感测MOSFET(2)的栅极。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN202211674980.4在审
  • 皆川启 - 富士电机株式会社
  • 2022-12-26 - 2023-08-29 - H03K17/0812
  • 本发明提供灵活且容易地改变保护功能中的检测阈值的半导体装置。驱动电路基于经由输入端子而被输入的控制信号生成用于导通/关断输出元件的驱动信号,通过驱动信号使输出元件开关。检测电路将表示动作状态的状态信号与检测阈值进行比较,基于比较结果来检测输出元件的动作状态的异常电平。异常电平通知电路在由检测电路检测出异常电平的情况下,经由输出端子向外部通知异常电平通知信号。检测阈值调整电路基于经由外部端子而被输入的外部信号生成调整信号,通过调整信号将检测阈值调整和设定为预定的值。
  • 半导体装置
  • [发明专利]固态开关设备-CN201880015528.2有效
  • P·安东内洛;L·盖茨;Y·杜;T·江;R·罗德里格斯 - ABB瑞士股份有限公司
  • 2018-03-08 - 2023-08-15 - H03K17/0812
  • 一种固态开关设备,包括:‑一对线路端子,包括用于与电力线的对应相导体电连接的第一线路端子和第二线路端子;‑包括一个或多个固态电力开关的开关组件,该开关组件具有分别与第一线路端子和第二线路端子电连接的第一电力端子和第二电力端子;‑散热器元件,与开关组件热耦合以吸收来自开关组件的热量;‑附加热量提取装置,以从开关组件提取热量并且通过第一线路端子和第二线路端子沿着相导体传送吸收的热量的至少一部分。
  • 固态开关设备
  • [发明专利]一种高线性度的中频缓冲电路及缓冲器-CN202110652611.4有效
  • 杨峰;恽廷华;孙文 - 上海川土微电子有限公司
  • 2021-06-11 - 2023-07-25 - H03K17/0812
  • 本发明提供了一种高线性度的中频缓冲电路及缓冲器,该缓冲电路包括:PMOS支路电流拷贝单元、第一DC偏置电路、PMOS支路差分输入电路、NMOS支路电流拷贝单元、第二DC偏置电路、NMOS支路差分输入电路、输出电感负载;PMOS支路的电流拷贝单元和NMOS支路电流拷贝单元用于将产生的电流拷贝后分别输出,且均设置可调电流源,用于控制第一缓冲支路和第二缓冲支路的电流;PMOS支路差分输入电路和NMOS支路差分输入电路连通,通过调节可调电流源,使PMOS支路差分输入电路和NMOS支路差分输入电路中MOS管产生的跨导在连通处叠加,跨导的非线性在连通处相互抵消。本发明采用非线性抵消技术可以极大的提升中频缓冲器电路的线性度,可以运用到各种宽带高线性的接收机中。
  • 一种线性中频缓冲电路缓冲器
  • [发明专利]具有信号采样及过压保护功能的高边驱动电路-CN202310427752.5在审
  • 王凡 - 宁波宝芯源功率半导体有限公司
  • 2023-04-18 - 2023-07-21 - H03K17/0812
  • 本发明提供一种具有信号采样及过压保护功能的高边驱动电路,包括:主MOS管、第一子MOS管、过压保护单元、第一电阻和第一二极管;主MOS管的栅极与第一子MOS管的栅极连接作为栅端,栅端连接第一电阻的第一端,主MOS管的第一极与第一二极管的负极连接并作为负载端,第二极与第一子MOS管的第二极连接并作为输入端,第一子MOS管的第一极与第一二极管的正极连接作为检测端,过压保护单元连接于栅端与输入端之间;第一子MOS管的导通内阻远大于主MOS管的导通内阻,过压保护单元的击穿电压小于主MOS管的击穿电压。本发明可以有效保护主MOS管不会发生雪崩击穿并可通过较小的面积同时实现了电路的电压、温度和电流的采样。
  • 具有信号采样保护功能驱动电路
  • [发明专利]一种舵机上电电路和机器人-CN201711486254.9有效
  • 熊友军;李利阳 - 深圳市优必选科技有限公司
  • 2017-12-29 - 2023-07-14 - H03K17/0812
  • 本发明属于电子电路技术领域,公开了一种舵机上电电路和机器人,所述舵机上电电路连接在直流电源与舵机之间,包括:用于接收开关控制信号并根据所述开关控制信号输出第一开关信号的开关模块;用于接入所述直流电源的电源模块;与所述电源模块和所述舵机连接,用于接收所述第一开关信号并输出驱动信号以使所述舵机开启/关闭的驱动模块;以及与所述开关模块、所述电源模块和所述驱动模块连接,用于对所述第一开关信号进行调节以使所述驱动信号的电压值在所述舵机开启时平滑上升的调节模块。本发明解决了舵机上电电路存在的上电瞬间电流过大的问题,避免了上电瞬间的大电流导致舵机驱动电压被拉低的问题,降低了舵机上电电路中元器件被损坏的风险。
  • 一种舵机电路机器人
  • [发明专利]功率器件的驱动装置与方法-CN201910131718.7有效
  • 陈劲泉;陆玮;倪川 - 瓴芯电子科技(无锡)有限公司
  • 2019-02-22 - 2023-06-30 - H03K17/0812
  • 本申请公开了一种用于功率器件的驱动装置。包括检测模块,与功率器件耦合,配置为检测功率器件状态;驱动模块,分别耦合至所述检测模块和功率器件,配置为根据所述检测模块的检测结果对所述功率器件进行调控;其中,当检测结果为所述功率器件处在第一过流状态时,所述驱动模块配置为使所述功率器件进入被软关断并且不响应系统开关信号的第一保护模式;当检测结果为所述功率器件处在第二过流状态时,所述驱动模块配置为使所述功率器件进入被软关断但是响应系统开关信号的第二保护模式;其中所述第一过流状态的过流程度高于第二过流状态的过流程度。本申请还提供了相应的功率器件驱动方法和用电设备。
  • 功率器件驱动装置方法
  • [发明专利]一种功率管驱动电路-CN201710618048.2有效
  • 夏虎;刘桂芝;王冬峰;吴国平 - 无锡麟力科技有限公司
  • 2017-07-26 - 2023-06-16 - H03K17/0812
  • 本发明涉及功率管控制技术领域,尤其涉及一种功率管驱动电路,包括电压比较器、与非门、第一非门、第二非门、与门、第一缓冲器、第二缓冲器、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和电流源,在被驱动功率管由关断到导通过程中,通过电流源的较小电流对被驱动的功率管栅极电容充电,使得功率管缓慢开启,从而减小功率管开启过程中栅极电压过冲和振荡、减缓功率管漏极电压下降速度、减小功率管电流尖峰,从而达到保护功率管、优化EMI问题、减少功率管在开启过程中对系统其它电路产生的电磁干扰的目的,在功率管完成开启后,通过大电流对功率管栅极电容充电,快速减小功率管导通电阻。
  • 一种功率管驱动电路

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