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[发明专利]氮化镓金属氧化物半导体场效应晶体管-CN202210424342.0在审
发明人： 多米尼哥·洛华帝;邓志平;杰世瑞·朗斯华利 -专利权人：蕾能科技有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种氮化镓(GaN)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，包括：衬底，在所述衬底上的GaN层，在所述GaN层上的缓冲层，分别在所述缓冲层上形成的源区、漏区和栅区，在源区、漏区和栅区上的绝缘层和金属层，以及在所述源区和漏区之间、在低于栅区的位置处形成的沟槽结构，其中，所述沟槽结构包括一个或多个沟槽，所述沟槽从所述源区穿过所述GaNMOSFET器件的沟道区延伸到所述漏区，所述金属层分别经由通孔与所述源区、漏区和栅区相连接，所述绝缘层用于将所述金属层、源区、漏区和栅区分开。所述沟槽可以形成在所述GaN MOSFET器件的沟道宽度方向和/或沟道长度方向上或两者方向上。所述沟槽结构将通过并接由沟槽侧壁产生的额外电阻来降低在漏极和源极之间的电阻。
氮化金属氧化物半导体场效应晶体管

[发明专利]用于模拟二极管的基于场效应晶体管（FET）的同步整流器-CN202080052196.2在审
发明人： 多米尼哥·洛华帝;杰世瑞·朗斯华利;邓志平 -专利权人：蕾能科技有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于模拟二极管的基于场效应晶体管(FET)的同步整流器，该同步整流器包括：第一端子(20)和第二端子(30)；第一FET(M1)和第二FET(M2)，其中，所述第二FET(M2)适于控制所述第一FET(M1)的操作，以由此在两个端子(20，30)与外部电路连接时允许单向的电流流动；并且其中，基于FET的同步整流器包括适于模拟二极管的完全集成的单芯片装置(10)。
用于模拟二极管基于场效应晶体管 fet 同步整流器