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[发明专利]一种能够低温固化的镓基液态金属热界面材料及其制备方法-CN202210558818.X在审
发明人：位松;郑增煌;李望云;杨道国 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C09K5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够低温固化的镓基液态金属热界面材料及其制备方法，属于散热材料技术领域。该材料由熔炼后的镓基液态金属和固化剂混合所得；以质量百分比计，镓基液态金属为25％～95％，固化剂为5％～75％；镓基液态金属为纯镓、镓铟合金、镓锡合金、镓锌合金、镓铟锡合金、镓铟锌合金或镓铟锡锌合金；本发明材料具有远高于高分子基热界面材料的热导率，能够极大地降低界面接触热阻，且材料使用后能实现完全固化，彻底消除液态金属造成电子器件短路的风险；与金属基热界面材料相比，使用时无需经历高温焊接过程，极大地降低了材料连接工艺难度
一种能够低温固化液态金属界面材料及其制备方法

[发明专利]一种快速制备镍网-低熔点镓基合金复合热界面材料的方法-CN202310334660.2在审
发明人：纪玉龙;邝海浪;王景晔;武博浩 -专利权人：大连海事大学
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C6/00 文献下载
摘要：本发明提供一种快速制备镍网‑低熔点镓基合金复合热界面材料的方法，通过制备浓度大于1mol/L的盐酸溶液，再将镍网放入盐酸溶液中以去除镍网表面的氧化镍和杂质，直至镍网变为银白色，通过加热制备的酸性硫酸铜溶液，令其温度始终高于低熔点镓基合金的熔点。进一步地，将低熔点镓基合金添加在镍网表面，使得液态的低熔点镓基合金和镍网形成电偶腐蚀、液态的低熔点镓基合金自动浸润镍网，当低熔点镓基合金完全浸润镍网后，将经过低熔点镓基合金浸润后的镍网从溶液中取出，烘干处理获得镍网‑低熔点镓基合金复合热界面材料，低熔点镓基合金占所述复合热界面材料质量的55～80％。
一种快速制备熔点合金复合界面材料方法

[实用新型]一种镓基合金为换热介质的高炉渣余热回收装置-CN202222501347.7有效
发明人：陈力群;陈学西;周保平;杨养楼 -专利权人：陕西驭腾能源环保科技股份有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： F27D17/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种镓基合金为换热介质的高炉渣余热回收装置，属于高炉渣余热回收领域。本实用新型采用镓基合金流体作为换热介质，适用于换热器的室温金属流体工质工作温区大，镓基合金的最低熔点可达‑19℃，最高沸点则高达2400℃，这使其可用于发展传热性能稳定的单相换热器，广泛适用于大量室温区的工业余热利用领域；同时，具有远高于单相水的对流换热系数，这种高效的换热能力有助于发展体积紧凑的换热器。镓基合金流体性质稳定，常温下不与空气或水反应，无毒性，且饱和蒸汽压低，不易蒸发；表面张力大，不易泄漏。镓基合金流体在余热回收装置中重复使用，能够重复参与换热，进一步的降低了使用成本。
一种合金介质炉渣余热回收装置

[发明专利]镓基合金为介质的高炉渣余热回收装置及余热回收方法-CN202211152046.6在审
发明人：陈力群;陈学西;周保平;杨养楼 -专利权人：陕西驭腾能源环保科技股份有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： F27D17/00 文献下载
摘要：本发明公开了镓基合金为介质的高炉渣余热回收装置及余热回收方法，属于高炉渣余热回收领域。本发明采用镓基合金流体作为换热介质，适用于换热器的室温金属流体工质工作温区大，镓基合金的最低熔点可达‑19℃，最高沸点则高达2400℃，这使其可用于发展传热性能稳定的单相换热器，广泛适用于大量室温区的工业余热利用领域；同时，具有远高于单相水的对流换热系数，这种高效的换热能力有助于发展体积紧凑的换热器。镓基合金流体性质稳定，常温下不与空气或水反应，无毒性，且饱和蒸汽压低，不易蒸发；表面张力大，不易泄漏。镓基合金流体在余热回收装置中重复使用，能够重复参与换热，进一步的降低了使用成本。
合金介质炉渣余热回收装置方法

[发明专利]一种氮化镓器件及氮化镓器件的封装方法-CN201811356512.6在审
发明人：李孟;李幸辉;罗广豪 -专利权人：镓能半导体（佛山）有限公司;佛山华玉股权投资合伙企业（有限合伙）
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓器件及氮化镓器件的封装方法，所述氮化镓器件包括：包括氮化镓裸芯片，引线框架的引脚和用于对所述氮化镓裸芯片进行散热的基岛；所述氮化镓裸芯片正面的电极采用引线与所述引脚连接，所述氮化镓裸芯片背面与所述基岛直接接触；所述氮化镓裸芯片、所述引脚和所述基岛封装成一个氮化镓器件，且部分基岛外露在所述氮化镓器件的顶部。本发明能够解决现有氮化镓裸芯片在封装成贴片的器件时，封装材料的热阻高，散热效果差，不利于发挥氮化镓功率管的电流通过能力问题，同时能解决在贴片功率器件顶部安装散热片的问题。
一种氮化器件封装方法

[实用新型]一种氮化镓器件-CN201821877443.9有效
发明人：李孟;李幸辉;罗广豪 -专利权人：镓能半导体（佛山）有限公司;佛山华玉股权投资合伙企业（有限合伙）
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型提供一种氮化镓器件，所述氮化镓器件包括：包括氮化镓裸芯片，引线框架的引脚和用于对所述氮化镓裸芯片进行散热的基岛；所述氮化镓裸芯片正面的电极采用引线与所述引脚连接，所述氮化镓裸芯片背面与所述基岛直接接触；所述氮化镓裸芯片、所述引脚和所述基岛封装成一个氮化镓器件，且部分基岛外露在所述氮化镓器件的顶部。本实用新型能够解决现有氮化镓裸芯片在封装成贴片的器件时，封装材料的热阻高，散热效果差，不利于发挥氮化镓功率管的电流通过能力问题，同时能解决在贴片功率器件顶部安装散热片的问题。
氮化镓裸芯片氮化镓器件基岛引脚本实用新型贴片封装电流通过顶部安装封装材料功率器件能力问题散热效果引线框架功率管散热片电极散热外露热阻背面

[发明专利]一种用于热界面材料的镓基液态金属膏及其制备方法-CN202211467053.5在审
发明人：廖江福;楚盛;黄明灯 -专利权人：东莞市光钛科技有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C22C28/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于热界面材料的镓基液态金属膏及其制备方法，该用于热界面材料的镓基液态金属膏的制备原料包括：液态金属和导热增强颗粒。本发明所制备的镓基液态金属膏不仅具有良好的导热系数，其粘附性和浸润性佳，避免了因液态金属的流动性过高而泄露的风险，更方便填充，在计算机、卫星、火箭推进器及激光器等领域的电子芯片热传导方面均可望发挥重要作用
一种用于界面材料液态金属及其制备方法

[发明专利]一种多尺度复合镓基金属热界面材料及其制备方法-CN202211009441.9在审
发明人：谢忠南;郭宏;黄树晖;张习敏;孙明美;解浩峰 -专利权人：有研科技集团有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C22C49/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种多尺度填料复合的镓基金属热界面材料及其制备方法。所述金属热界面材料由0维颗粒填料、1维纤维填料和镓基液态金属构成，其中，0维颗粒填料的体积分数为20％‑40％，1维纤维填料的体积分数为10％‑20％，镓基液态金属的体积分数为40％‑70％。所述金属热界面材料的制备方法包含以下步骤：首先将镓基金属在超声辅助熔炼炉中熔化，熔化后分批次加入1维纤维填料，待填料分散均匀后分批次加入0维颗粒填料，填料分散均匀后停止加热，保持超声冷却至室温，获得多尺度复合镓基金属热界面材料本发明的金属热界面材料不仅具有高热导率(＞40W/mK)，同时具有较高的粘度和良好的柔性，可靠性高无液态金属溢出风险。
一种尺度复合基金界面材料及其制备方法

[发明专利]一种将镓基热界面材料应用于铝基底增强界面传热的方法-CN201910351403.3有效
发明人：纪玉龙;闫慧龙;肖秀;马鸿斌 -专利权人：大连海事大学
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： B32B37/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种将镓基热界面材料应用于铝基底增强界面传热的方法，包括以下步骤：(一)铝片预处理：将铝片依次浸没在丙酮溶液、乙醇、水中，超声处理10‑25分钟；(二)氧化铝薄膜制备：将预处理后的铝片进行碱洗、抛光、脱氧、铬酸阳极氧化制备氧化铝薄膜；(三)三层结构试样制备：将镓基液态金属涂覆于铝片的氧化铝薄膜表面，按照铝基底、氧化铝薄膜、镓基液态金属、氧化铝薄膜、铝基底的顺序叠放在一起，并在4‑11MPa的压力下制备本发明首次实现了在铝基底表面上应用镓基液态金属热界面材料增强界面间传热，填补了这一领域的空白，解决了将液态金属热界面材料应用于金属固体界面时存在的导电问题。
一种将镓基热界面材料应用于基底增强传热方法

[发明专利]一种液态金属固液耦合式多层热界面材料及其制备方法-CN202011424832.8有效
发明人：贾潇;刘斌;淮秀兰;李石琨;周敬之;胡玄烨 -专利权人：中国科学院工程热物理研究所
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： C09K5/06 文献下载
摘要：本公开提供一种液态金属固液耦合式多层热界面材料及其制备方法，该多层热界面材料包括：液体材料层及固体材料层，固体材料层位于中间，其上、下表面为网格状结构，并接触设置液体材料层；液体材料层包括由镓基N元合金与微纳米填充颗粒混合所形成的复合材料，其中，镓基N元合金包括镓铟合金、镓铟锡合金、镓铟锡锌合金中的至少一种，微纳米填充颗粒包括银粉、铜粉、锌粉、铋粉、银包铜、氮化铝、氮化硼、石墨烯、碳纳米管、金刚石中的至少一种，N为大于等于2的整数；固体材料层包括铜、银、铟、镓、锡、铋、锌中的至少一种。该固液耦合式多层热界面材料的热导率高且接触热阻小，散热效果远高于普通的导热硅脂，能够满足大功率电子设备超高的散热需求。
一种液态金属耦合多层界面材料及其制备方法

[实用新型]一种用于存储制备镓基热界面材料原料的固液两相分离胶囊-CN202122564678.0有效
发明人：李望云;郑增煌;位松;秦红波;黄家强;刘东静 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： B01F31/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于存储制备镓基热界面材料原料的固液两相分离胶囊，包括胶囊状外壳、金属粉体和液态金属暂存杵；所述金属粉体装在所述胶囊状外壳的内腔，所述液态金属暂存杵活动布置在胶囊状外壳的内腔，胶囊状外壳的内腔保持真空状态；所述液态金属暂存杵包括镓基液态金属、塞子和一端敞口的杯体，杯体的敞口端与塞子过盈配合，镓基液态金属放置在杯体的内腔，杯体的内腔保持真空状态；当塞子受到撞击时，塞子掉落在杯体的内腔。本实用新型可实现金属粉体与镓基液态金属的固液两相真空分离保存，搭配外部纵向晃动，可完成镓基热界面材料的制备，具备使用便捷、即混即用、重复性好、保存期长的优点。
一种用于存储制备镓基热界面材料原料两相分离胶囊

[发明专利]一种散热增强的金刚石基氮化镓材料结构及其制备方法-CN202010457660.8在审
发明人：刘志宏;郝璐;张进成;周弘;刘俊伟;宋昆璐;赵胜雷;张雅超;段小玲;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种散热增强的金刚石基氮化镓材料结构及其制备方法，所述金刚石基氮化镓材料结构包括：金刚石衬底层；缓冲层，位于所述金刚石衬底层的上表面，且与所述金刚石衬底层形成图案化界面；沟道层，位于所述缓冲层的上表面；复合势垒层，位于所述沟道层的上表面，以构成所述散热增强的金刚石基氮化镓材料结构。本发明提供的金刚石基氮化镓材料结构通过在缓冲层与金刚石衬底界面形成图案化界面，增大了缓冲层与金刚石衬底界面的接触面积，降低了热边界电阻，从而减小了器件的热阻，提高了器件的散热性能。
一种散热增强金刚石氮化材料结构及其制备方法

[发明专利]一种硅基复合衬底及其制造方法-CN201010156392.2无效
发明人：施建江;杨少延;刘祥林 -专利权人：杭州海鲸光电科技有限公司
申请日： 2010-03-30 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制备氮化物半导体外延材料的硅基复合衬底及其制造方法，该硅基复合衬底包含：一硅单晶基底；一复合应力协变层，形成在硅单晶基底上，该复合应力协变层由氮化铝和氮化钛单晶薄膜材料彼此多次交叠构成；一氮化镓模板层，形成在复合应力协变层上，该氮化镓模板层由氮化镓单晶薄膜材料构成。该硅基复合衬底克服了硅基氮化镓材料大晶格失配问题和大热失配问题，能够大幅度降低氮化镓LED外延片材料制备成本，适合应用与市场推广。
一种复合衬底及其制造方法

[发明专利]具有蓝光性能的吡唑基氧化镓团簇及其制备方法和用途-CN202211232698.0在审
发明人：伍志鲲;马鲁祥;殷保祺 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C07F5/00 文献下载
摘要：本发明属于荧光材料制备技术领域，具体涉及一种具有蓝光性能的吡唑基氧化镓团簇及其制备方法和用途。本发明选择氯化镓、吡唑基配体(吡唑或4‑甲基吡唑)和2‑氟苯甲酸作为反应原料，采用N,N‑二甲基甲酰胺作反应溶剂，采用溶剂热反应合成方法制备目标产物，即吡唑基氧化镓团簇。该吡唑基氧化镓团簇的最大激发波长在359‑361nm，并在433‑436nm的蓝光区域有着较强发射，产物的绝对量子产率可达15.01％‑17.70％；该吡唑基氧化镓团簇可作为一种新的蓝色荧光发光材料，可用于制作荧光发光器件的发光层和防伪标识等
具有性能吡唑氧化镓团簇及其制备方法用途

[发明专利]一种同质外延生长的氮化镓基光催化材料及其制备方法-CN201610656927.X在审
发明人：陈伟华;季清斌;王锦涵;朱晓峰;丁竑瑞;李艳;鲁安怀;胡晓东;沈波 -专利权人：北京大学
申请日： 2016-08-11 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种同质外延生长的氮化镓基光催化材料及其制备方法。本发明的氮化镓基光催化材料从下至上依次包括：n型氮化镓基衬底、氮化镓基外延层和金属层；本发明采用n型氮化镓基衬底同质外延生长GaN基光催化材料的方式，解决了异质外延生长由于晶格失配和热失配带来的外延层晶体质量差的问题，省去生长缓冲层等提高异质外延生长晶体质量的步骤；采用n型氮化镓基衬底使得衬底和MOCVD生长的GaN基外延层一起构成PIN异质结构，其内建电场使得光生载流子有效分离，大大提高了材料的催化活性；本发明制备的氮化物光催化材料在光照下对甲基橙等偶氮染料表现出优异的降解活性
一种同质外延生长氮化光催化材料及其制备方法

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