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[发明专利]一种基于高温烧结法得到的氧化铟钛钽铈靶材及其制备方法-CN202310691428.4在审
发明人：谭洪蕾;邵学亮;李开杰 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，公开了一种基于高温烧结法得到的氧化铟钛钽铈靶材的制备方法，采用氧化铟铈钽钛前驱体经过烧结得到氧化铟钛钽铈靶材；所述烧结的工艺参数为：将氧化铟铈钽钛前驱体置于烧结炉中，以0.5‑600‑800℃，保温2‑3h，以0.8‑1.2℃/min升温至1200‑1350℃，进行保温时间为5～10h，继续以0.8‑1.2℃/min升温至1450‑1520℃，进行保温6‑8h，自然降温得到氧化铟钛钽铈靶材；氧化铟铈钽钛前驱体中含有氧化铟、氧化钛、氧化钽、氧化铈；氧化铟、氧化钛、氧化钽、氧化铈的摩尔比为81‑87：2‑8：1‑3：5‑11。该靶材采用梯度烧结的方式，实现了氧化铟钛钽铈靶材的导热性能的提高和电子迁移率的改善。同时，本发明还提供了该靶材。
一种基于高温烧结得到氧化铟钛钽铈靶材及其制备方法

[发明专利]氧化铟钛钽铈粉末及其制备方法和改善氧化铟钛钽铈性能的方法-CN202211616110.1在审
发明人：李开杰;邵学亮;王奇峰;谭洪蕾;罗斯诗 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C04B35/626 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，公开了一种氧化铟钛钽铈粉末的制备方法，将含铟离子、钛离子、钽离子、铈离子的溶液和碱性沉淀剂反应，过滤得到沉淀，将沉淀经研磨、煅烧后制得氧化铟钛钽铈粉末；所述溶液中铟离子的浓度为该方法制备出的氧化铟钛钽铈粉末中氧化钛、氧化钛、氧化铈和氧化铟的粒子分散均匀，用于靶材制作后氧化铈的分布均匀性极高，有效增加靶材的性能。同时，本发明还提供了该靶材的用途。
氧化铟钛钽铈粉末及其制备方法改善性能

[发明专利]氧化铟钛钽铈靶材及其制备方法和镀膜玻璃片-CN202310678825.8在审
发明人：罗斯诗;李开杰;邵学亮;顾德盛;张兴宇 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，公开了一种氧化铟钛钽铈靶材，由氧化铟铈钽钛前驱体经过干压和冷等静压处理后烧结得到，氧化铟铈钽钛前驱体中的金属氧化物由氧化铟、氧化铈、氧化钽、氧化钛以重量比98.73～99.42该靶材采用干压和冷等静压处理后烧结的工艺，结合配方优化，可改善镀膜玻璃的方阻、透过率、迁移率。同时，本发明还提供了该靶材的制备方法和镀膜玻璃。
氧化铟钛钽铈靶材及其制备方法镀膜玻璃片

[发明专利]一种低锆含量氧化铟铈钽钛靶材及其制备方法-CN202310691429.9在审
发明人：李开杰;邵学亮;罗斯诗;顾德盛;张兴宇 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明属于氧化物靶材制备技术领域，公开了一种低锆含量氧化铟铈钽钛靶材及其制备方法。所述制备方法为：按质量比为98.73～99.42:0.43～0.19:0.64～0.30:0.20～0.09称取氧化铟、氧化铈、氧化钽和氧化钛粉末，将氧化铈、氧化钽和氧化钛粉末加入到分散剂水溶液中分散研磨，得到浆料一，然后加入氧化铟粉末分散研磨，得到浆料二，再加入粘结剂分散研磨得到浆料三；通过喷雾造粒，混料和筛分，得到混合氧化物粉末经干压和冷等静压，最后热处理，得到低锆含量氧化铟铈钽钛靶材。本发明通过限定各氧化物粉末的成分配比及配合特定的制备工艺，可显著提高靶材的相对密度和降低靶材因研磨带入的锆含量。
一种含量氧化铟铈钽钛靶材及其制备方法

[发明专利]一种氧化铟掺杂钛钽铈靶材及其制备方法-CN202310678889.8在审
发明人：顾德盛;邵学亮;李开杰;罗斯诗;张兴宇 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明属于氧化物靶材制备技术领域，公开了一种氧化铟掺杂钛钽铈靶材及其制备方法。所述制备方法为：按摩尔比为90.5～92.5:1.5～2.5:3～5:1.5～2.5称取氧化铟、氧化钛、氧化钽和氧化铈粉末，然后与分散剂加入到纯水中搅拌分散均匀，湿法研磨得到浆料一；再加入氧化铟粉末、分散剂和水经过湿法研磨得到浆料二；再加入粘结剂混合后经过湿法研磨得到浆料三；通过喷雾造粒，再进行混料和筛分，得到混合粉末；最后经过模压和冷等静压后脱脂、烧结，得到氧化铟掺杂钛钽铈靶材。本发明通过限定各氧化物粉末的成分配比及配合特定的制备工艺，可显著提高靶材的各项性能。
一种氧化掺杂钛钽铈靶材及其制备方法

[发明专利]一种高迁移率氧化铟钛铈钽靶材及其制备方法-CN202310678924.6在审
发明人：张兴宇;邵学亮;王奇峰;李开杰;罗斯诗;顾德盛 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明属于氧化物靶材制备技术领域，公开了一种高迁移率氧化铟钛铈钽靶材及其制备方法。所述制备方法为：按质量比为97.95～98.47:0.23～0.35:0.50～0.75:0.80～1.12称取氧化铟、氧化钛、氧化铈和氧化钽粉末；将上述粉末加入到分散剂水溶液中搅拌分散后研磨，得到浆料一，再加入黏结剂进行预分散和研磨得到浆料二；将浆料二通过喷雾造粒，混料和筛分，得到混合粉末；将混合粉末经过干压和冷等静压后进行热处理，得到高迁移率氧化铟钛铈钽靶材。本发明通过对靶材中各组分进行调节，可显著提高靶材的迁移率和导电性能。
一种迁移率氧化铟钛铈钽靶材及其制备方法

[发明专利]一种氧化铟铈钛钽粉体及其制备方法-CN202111548177.1在审
发明人：邵学亮;李开杰;张来稳;王奇峰;李晴晴 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化铟铈钛钽粉体及其制备方法，属于铟铈钛钽氧化物的制备领域。所述氧化铟铈钛钽粉体的化学式为In1‑x‑y‑zTaxTi铟引起的成分不均一的问题，该氧化铟铈钛钽粉体可以制备高密度、组织均匀及具备优异光电特异性的氧化铟铈钛钽靶材。
一种氧化铟铈钛钽粉体及其制备方法

[发明专利]一种溅镀用IZO掺杂靶材及其制备方法-CN202211626321.3在审
发明人：谭洪蕾;邵学亮;李开杰;钟小华 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料制备技术领域，公开了一种溅镀用IZO掺杂靶材及其制备方法。所述IZO掺杂靶材由氧化铟、氧化锌和掺杂氧化物组成；所述IZO掺杂靶材中Zn与In的原子比为Zn/(Zn+In)＝0.1％～7％；所述掺杂氧化物为氧化钽、氧化铈、氧化钛、氧化锗或氧化镓。所述制备方法为：将氧化铟粉末、氧化锌粉末、掺杂氧化物粉末与水、分散剂和粘结剂混合制浆，得到浆料；将所得浆料进行喷雾造粒，得到造粒粉末，然后经过干压和冷等静压后，进行常压烧结，得到所述溅镀用IZO掺杂靶材本发明IZO掺杂靶材具有较低的ZnO加入量，且掺杂元素具有更多的选择，同时能够达到较高的致密度和导电性。
一种溅镀用 izo 掺杂及其制备方法

[发明专利]氧化铟靶材和氧化铟靶材制备方法-CN202010756012.2在审
发明人：雷雨;许积文;周志宏;肖世洪;周昭宇;杨永添 -专利权人：广州市尤特新材料有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化铟靶材和氧化铟靶材制备方法，其中，氧化铟靶材的原料组分包括：氧化铈；氧化铟；其中，氧化铈的质量百分比为2至5。氧化铟靶材制备方法包括：按照氧化铟靶材的原料组分配比获取靶材原料；将靶材原料通过球磨研磨，获取一段研磨浆料；对一段研磨浆料进行砂磨研磨，获取二段研磨浆料；对二段研磨浆料进行造粒，获取粒料；对粒料进行冷等静压，获取素坯；对素坯进行烧结，获取靶材。本发明提供了的氧化铟靶材制备氧化铟靶材的原料组分包括氧化铈和氧化铟，氧化铈的质量百分比为2至5。通过该材料组分的选取及配比，使得制备获取的氧化铟靶材密度高、成分分布均匀性好，使得使用该靶材制备的导电氧化物薄膜性能得到提高。
氧化铟靶材制备方法

[发明专利]一种氧化物靶材及其制备方法-CN202211636891.0在审
发明人：徐苗;徐华;李民;陶洪;邹建华;王磊;彭俊彪 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种氧化物靶材及其制备方法。所述氧化物靶材包括元素A的氧化物、元素B的氧化物、元素R的氧化物和元素M的氧化物；所述元素A为铟；所述元素B为镓、锌、锡中的一种或两种以上的组合；所述元素R为铈、镨、镱、镝、铽中的一种或两种以上的组合；所述元素M为钪，硅，钛，钽，锗，锑的一种或两种以上组合。本发明通过在氧化物靶材中引入M的氧化物，细化了氧化物靶材的晶粒尺寸，使氧化物靶材致密度高，元素分布与微观结构均匀。此外，本发明提供的制备方法可以实现控制氧化物靶材晶相结构的目的，使氧化物靶材具有较小的晶粒尺寸且微观结构均匀。
一种氧化物及其制备方法

[发明专利]一种钽钛合金靶材的制备方法-CN202111315033.1有效
发明人：姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;杨慧珍 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： B22F1/142 文献下载
摘要：本发明涉及一种钽钛合金靶材的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)将钽粉和钛粉分别进行第一热处理和第二热处理后混合，得到钽钛混合粉末；(2)将步骤(1)得到的所述钽钛混合粉末依次进行包套脱气和冷等静压处理，得到钽钛压坯；(3)将步骤(2)得到的所述钽钛压坯依次进行第三热处理和热等静压处理，得到钽钛合金靶材。本发明提供钽钛合金靶材的制备方法可以有效解决靶材内部存在孔洞、成分不均等问题，提升靶材的致密度到99％以上，提升靶材的纯度至99.95％以上。
一种钛合金制备方法

[发明专利]一种高致密性的氧化铟铈靶材及其制备方法-CN202211615763.8在审
发明人：李开杰;邵学亮;王奇峰;顾德胜;张兴宇 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明属于材料技术领域，公开了一种高致密性氧化铟铈靶材及其制备方法。所述制备方法为：将氧化铈粉末与第一分散剂和纯水进行预分散，经湿法研磨得到浆料一；向浆料一中加入氧化铟粉末和第二分散剂进行预分散，经湿法研磨得到浆料二；将浆料二进行喷雾造粒、混料和筛分，得到氧化铟铈前驱体；将氧化铟铈前驱体在600～800℃氧气氛围中常压烧结3～6h预处理，然后在真空环境下升温至烧结温度进行加压烧结，得到高致密性氧化铟铈靶材。本发明所得氧化铟铈靶材密度高、成分分布均匀性好，性能优异。
一种致密氧化铟铈靶材及其制备方法

[发明专利]氧化铟锡钽靶材的制备方法-CN202010997876.3有效
发明人：刘文杰;钟小华;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C04B35/457 文献下载
摘要：本公开提供了氧化铟锡钽靶材的制备方法，主要包含六步工艺流程，依次为：a.原料首次球磨；b.烘干破碎；c.粉体烧结；d.再次球磨；e压制成型；以及f.高温烧结。℃/min速率升温至1300℃‑1450℃分不同温度阶段保温烧结，之后继续以0.1‑0.5℃/min的速率升温到1500℃‑1600℃再次进行分不同温度阶段保温烧结，过程中通入氮气；最后，降温得到氧化铟锡钽靶材本公开制备的氧化铟锡钽靶材具有高纯、高透明、高导电性和高迁移率的特点，氧化铟锡钽靶材的相对密度在70％‑75％之间，是一种良好的新型镀膜材料，并且靶材在烧结过程中无膨胀，变形和开裂。
氧化铟锡钽靶材制备方法

[发明专利]一种旋转靶材的绑定方法-CN201911025924.6在审
发明人：陈标;郭朋;刘所心;段宇龙 -专利权人：广西晶联光电材料有限责任公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种旋转靶材的绑定方法，该方法是先将靶材和钛管进行粗化处理，再对靶材和钛管分别进行金属化处理，然后在靶材和钛管上均匀的涂覆一层助焊剂；将靶材和钛管组装好，启动加热装置，将铟槽中铟液氧化膜去除，开启铟管道阀门，使铟液缓慢的从底部充满整个焊缝至铟池，然后开始对靶材进行分段冷却；最终冷却至室温，完成整根靶材的绑定过程。本发明采用整根靶材绑定的方式，可以简单高效地完成多节靶材的绑定工作，其优点为：无需高温组装，对组装时间未有严格的控制，自动化水平比较高；对工人劳动强度和员工操作的熟练程度要求不高，焊合率和焊合质量很好。
一种旋转绑定方法

[发明专利]一种从钽铬钛靶材废料回收分离钽、铬、钛的方法-CN202110263470.7在审
发明人：行卫东;朱刘 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种从钽铬钛靶材废料回收分离钽铬钛的方法，属于资源回收技术领域。本发明首先破碎球磨钽铬钛靶材废料，然后进行氯化预处理，再开展氯化反应。分段冷凝氯化反应产物，从而分离钽、铬和钛。本发明的工艺流程短，分离效率高，钽和钛的回收率达到95%以上。
一种钽铬钛靶材废料回收分离方法

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