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[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法-CN201410019642.6在审
发明人：徐苗;赵铭杰;罗东向;徐华;邹建华;陶洪;王磊;彭俊彪 -专利权人：广州新视界光电科技有限公司
申请日： 2014-01-16 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法，金属氧化物薄膜晶体管含有由下层金属氧化物薄膜、铜基薄膜和上层金属氧化物薄膜以自下而上叠层构成的复合铜基薄膜，上层金属氧化物薄膜和下层金属氧化物薄膜均为金属氧化物薄膜；其中，下层金属氧化物薄膜作为铜基薄膜的粘附层并作为金属氧化物薄膜晶体管的有源层，铜基薄膜作为金属氧化物薄膜晶体管的源漏电极，上层金属氧化物层为铜基薄膜的保护层。该金属氧化物薄膜晶体管使用一块灰度掩膜版通过一次光刻工艺完成有源层和源漏电极及其电路布线的定义，简化了金属氧化物薄膜晶体管的制备工艺。本发明采用低布线电阻的铜基薄膜作为布线材料，具有制备工艺简单的特点。
金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种金属氧化物叠层场效应电极-CN201810695140.3有效
发明人：吕正红;张涛;王登科 -专利权人：云南大学
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属氧化物叠层场效应电极。该金属氧化物叠层场效应电极包括多个金属条和金属氧化物叠层薄膜，金属氧化物叠层薄膜的第一金属氧化物薄膜材料的禁带宽度小于3eV；第二金属氧化物薄膜材料的禁带宽度大于3eV；第三金属氧化物薄膜材料的禁带宽度小于3eV；第二金属氧化物薄膜材料的禁带宽度与第一金属氧化物薄膜材料的禁带宽度的差值大于1eV；第二金属氧化物薄膜材料的禁带宽度与第三金属氧化物薄膜材料的禁带宽度的差值大于1eV；第一金属氧化物薄膜、所述第二金属氧化物薄膜和所述第三金属氧化物薄膜的厚度小于或等于采用本发明的金属氧化物叠层场效应电极，具有光透过率高、场致导电性能好的优点。
金属氧化物薄膜金属氧化物禁带电极场效应叠层叠层薄膜导电性能光透过率金属条场致

[发明专利]薄膜晶体管-CN202080046208.0在审
发明人：李栽玩;金容玹;朴昶均;李东奂 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管，尤其涉及使用金属氧化物薄膜作为主动层的薄膜晶体管；薄膜晶体管包含栅极绝缘膜以及形成于源极及漏极电极之间的主动层，其中主动层包含：第一金属氧化物薄膜、第二金属氧化物薄膜及第三金属氧化物薄膜；第二金属氧化物薄膜被提供于第一金属氧化物薄膜与栅极绝缘膜之间，并且相较于第一金属氧化物薄膜具有较低的导电率；第三金属氧化物薄膜被提供于第一金属氧化物薄膜与源极及漏极电极之间，并且相较于第一金属氧化物薄膜具有较低的导电率
薄膜晶体管

[发明专利]一种金属氧化物薄膜及其制备方法、薄膜晶体管-CN202210873040.1有效
发明人：栗旭阳;弥谦;梁海锋;裴旭乐;赵元杰;张维佳 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明关于一种金属氧化物薄膜及其制备方法、薄膜晶体管。其中，金属氧化物薄膜的制备方法包括：在设定相对湿度的制备环境中，使金属氧化物前驱液在基片上形成金属氧化物湿膜，并对金属氧化物湿膜进行预退火处理得到预固化金属氧化物薄膜；对预固化金属氧化物薄膜进行等离子处理得到等离子激活的金属氧化物薄膜；对等离子激活的金属氧化物薄膜进行后退火处理得到金属氧化物薄膜。本发明通过制备环境相对湿度与预退火处理温度的相互配合，实现对预固化金属氧化物薄膜毛细流动性和疏松程度的调控，从而在保证甚至进一步扩大等离子激活工艺可调谐范围以及等离子处理对预固化薄膜低温激活效果的基础上，提高金属氧化物薄膜的抗等离子刻蚀损伤能力。
一种金属氧化物薄膜及其制备方法薄膜晶体管

[发明专利]金属氧化物薄膜基板、其制造方法、光伏电池和OLED-CN201310351331.5有效
发明人：刘泳祚;金序炫;朴峻亨;白逸姬;尹根尚;李贤姬;崔殷豪 -专利权人：三星康宁精密素材株式会社
申请日： 2013-08-13 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了可以提高陷光效率和光提取效率的金属氧化物薄膜基板、制造金属氧化物薄膜基板的方法和光伏电池以及包括光伏电池的有机发光装置（OLED）。金属氧化物薄膜基板包括基体基板和形成在基体基板上的金属氧化物薄膜。金属氧化物薄膜具有形成在金属氧化物薄膜的内部的用于散射光的空隙。
金属氧化物薄膜制造方法电池 oled

[发明专利]用于OLED的金属氧化物薄膜基板及其制造方法-CN201310472578.2有效
发明人：李柱永;朴峻亨;刘泳祚;金序炫;朴正佑;白逸姬;尹根尙;李铉熙;崔殷豪 -专利权人：三星康宁精密素材株式会社
申请日： 2013-10-11 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：用于有机发光装置(OLED)的金属氧化物薄膜基板及其制造方法，所述金属氧化物薄膜基板呈现较好的光提取效率，并可易于低成本制造。所述用于OLED的金属氧化物薄膜基板包括基底基板和形成在所述基底基板上的金属氧化物薄膜，所述金属氧化物薄膜由具有不同折射率的至少两种金属氧化物的混合物制成。
用于 oled 金属氧化物薄膜及其制造方法

[发明专利]显示面板-CN202211272822.6有效
发明人：黄嘉辉;江志雄;王强;弓程;余明爵;蔡志辉 -专利权人：广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提供一种显示面板，包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括：栅极；源极和漏极；以及金属氧化物层，对应栅极设置，包括：下金属氧化物层，下金属氧化物层包括铟的氧化物以及镧系元素的氧化物；以及上金属氧化物层，与下金属氧化物层叠置且位于下金属氧化物层靠近源极和所述漏极的表面上，源极和漏极与上金属氧化物层连接，上金属氧化物层包括铟的氧化物以及镧系元素的氧化物，上金属氧化物层包括多晶相。金属氧化物层包括下金属氧化物层和上金属氧化物层，下金属氧化物层包括铟的氧化物以及镧系元素的氧化物，有利于包括下金属氧化物层的薄膜晶体管实现高迁移率，上金属氧化物层包括多晶相，有利于提高包括上金属氧化物层的薄膜晶体管稳定性
显示面板

[发明专利]一种混杂贵金属掺粒子和金属氧化物薄膜的集成气体传感器及其制备方法-CN201410230475.X在审
发明人：章伟;王瑞;高志强;李雨桐;秦薇薇;李涛;许泳;杨楠;蔡依晨;徐玫瑰 -专利权人：南京工业大学;南京益得冠电子科技有限公司
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：一种混杂贵金属掺粒子和金属氧化物薄膜的集成气体传感器及其制备方法，包括基片、加热电极、导热绝缘层、检测电极、金属氧化物薄膜，加热电极制备在基片上、导热绝缘层位于加热电极和检测电极之间，金属氧化物薄膜覆盖在检测电极上，其特征在于：在金属氧化物薄膜上沉积有贵金属粒子，贵金属粒子为单原子覆盖在氧化物薄膜上，覆盖度为金属氧化物薄膜表面积的0.05%-10%，颗粒尺寸为0.2nm-0.4nm。本发明能有效提高金属氧化物薄膜气体灵敏度和稳定性，通过掺杂贵金属粒子，测试200ppm乙醇气体，灵敏度由纯金属氧化物的1.51提高到贵金属-金属氧化物的9.46；同时，金属氧化物薄膜的气敏反应温度只需要
一种混杂贵金属粒子金属氧化物薄膜集成气体传感器及其制备方法

[发明专利]一种控制离子在金属氧化物薄膜中迁移的方法和装置-CN201811226838.7在审
发明人：罗坚义;唐秀凤;黄景诚;陈国新;莫钊鹏;马定邦 -专利权人：五邑大学
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： G02F1/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种控制离子在金属氧化物薄膜中迁移的方法和装置。所述方法包括在导电层表面制备金属氧化物薄膜；在所述金属氧化物薄膜中注入杂质离子；在所述金属氧化物薄膜表面涂覆液态层；在所述导电层两端连接外电路产生电流，所述电流经过导电层且不经过金属氧化物薄膜和液态层，在金属氧化物薄膜和液态层之间的固‑液界面处形成磁场，并驱动金属氧化物薄膜中的杂质离子迁移。本发明通过电流驱动，不但可以控制离子在金属氧化物薄膜中的迁移，还可以实时、随意控制离子在金属氧化物薄膜中的迁移速度、迁移量、迁移方向和路径，具有一定的普适性，这在离子预掺杂、能源存储等方面有重要的应用价值
金属氧化物薄膜迁移离子液态层方法和装置杂质离子导电层制备金属氧化物导电层表面表面涂覆电流驱动能源存储界面处普适性迁移量外电路预掺杂薄膜磁场驱动应用

[发明专利]一种贵金属修饰复合型气体传感器-CN202210463275.3在审
发明人：刘黎明;惠裕充;贾强生;易子川;张小文;曾丽雅 -专利权人：电子科技大学中山学院;桂林电子科技大学
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本申请涉及半导体气体传感器领域，具体提供了一种贵金属修饰复合型气体传感器，包括基底层、电极层、金属氧化物半导体薄膜层、响应层，电极层包括一个正极和两个负极，金属氧化物半导体薄膜层包括第一金属氧化物半导体薄膜和两个第二金属氧化物半导体薄膜，响应层包括石墨烯薄膜和贵金属纳米颗粒。正极位于基底层中间位置，负极设置于基底层两侧，正极上方覆盖有第一金属氧化物半导体薄膜，两个负极上方覆盖有第二金属氧化物半导体薄膜。第一金属氧化物半导体薄膜上方固定设置有石墨烯薄膜，两个第二金属氧化物半导体薄膜上方均固定设置有贵金属纳米颗粒。
一种贵金属修饰复合型气体传感器

[发明专利]玻璃基板与金属基板的结合方法-CN201310336906.6在审
发明人：张仁淙 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2013-08-06 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明提供一种玻璃基板与金属基板的结合方法，其包括以下步骤：提供一玻璃基板，在所述玻璃基板的一侧镀设一层金属氧化物薄膜；提供一金属基板，在所述金属基板的一侧放置多个金属氧化物颗粒；将镀设有所述金属氧化物薄膜的玻璃基板放置在所述金属基板上，使所述金属氧化物薄膜与所述金属氧化物颗粒相接触；透过所述玻璃基板对所述金属氧化物颗粒进行激光聚焦加热，使熔化后的金属氧化物颗粒融合在所述金属氧化物薄膜和所述金属基板之间。本发明提供的玻璃基板通过融合在金属氧化物薄膜与金属基板之间的金属氧化物颗粒与金属基板相结合，从而有效提高了玻璃基板与金属基板之间的结合稳定性。
玻璃金属结合方法

[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板-CN202311006657.4在审
发明人：陶灵芝;朱健;刘华 -专利权人：昆山龙腾光电股份有限公司
申请日： 2023-08-10 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板，金属氧化物薄膜晶体管的制作方法包括：提供衬底；在衬底上沉积形成栅极；在衬底上形成覆盖栅极的栅极绝缘薄膜层，并对栅极绝缘薄膜层图案化形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层沉积一层金属氧化物半导体薄膜；对金属氧化物半导体薄膜中的氧缺陷位置进行掺杂处理；在金属氧化物半导体薄膜上沉积一层蚀刻阻挡薄膜层；对蚀刻阻挡薄膜层蚀刻图案化形成蚀刻阻挡层；对金属氧化物半导体薄膜蚀刻图案化形成金属氧化物半导体层；以及沉积形成第二金属薄膜层，并对第二金属薄膜层图案化形成源极和漏极；其中，源极和漏极相互间隔并覆盖部分金属氧化物半导体层与金属氧化物半导体层接触连接。
金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法阵列

[发明专利]一种薄膜金属氧化物结构及其制造方法-CN202110235465.5在审
发明人：宋阳;许宏军;张雷;彭肇华 -专利权人：陕西雷翔新材料科技有限公司
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜金属氧化物结构，包括基板以及设置在基板上的金属氧化物薄膜；本发明首先将基板进行清洗，让基板保持洁净状态，让后续中金属氧化物薄膜能够紧密贴附在基板上，然后将金属氧化物溶胶采用旋转涂覆在基板上，然后采用梯度升温至金属氧化物薄膜，所以得到的金属氧化物薄膜重量较好，不会影响基板的使用，让基板使用起来更加稳定。
一种薄膜金属氧化物结构及其制造方法

[发明专利]用于制备图案化金属氧化物薄膜的材料和方法-CN202210723539.4在审
发明人：朱嘉琦;孙春强;曹文鑫;高岗;杨磊;王卓超;姬栋超 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：用于制备图案化金属氧化物薄膜的材料和方法，本发明的目的是为了解决现有图案化技术制备薄膜的灵活性较差，难以直接改变图案的问题。本发明用于制备图案化金属氧化物薄膜的材料包括透光基体、光敏层、金属氧化物薄膜和粘合层，在透光基体表面涂覆形成光敏层，金属氧化物薄膜镀覆在光敏层上，粘合层涂覆在金属氧化物薄膜上，光敏层采用光分解材料。本发明光敏层在被激光进行辐射后，可光解或热解为气态物质，金属氧化物薄膜被气态物质推动向镀膜基底转移，在镀膜基底上形成图案化金属氧化物薄膜。本发明简便快捷的沉积图案化的金属氧化物薄膜材料到待转移区域，无需使用昂贵的光刻机设备和环境危险的化工药品。
用于制备图案金属氧化物薄膜材料方法

[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法-CN202011241267.1在审
发明人：何佳新 -专利权人：昆山龙腾光电股份有限公司
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法，该方法包括在栅极绝缘层上形成非晶态的金属氧化物半导体薄膜；形成覆盖金属氧化物半导体薄膜的第二金属层，对第二金属层进行图形化以形成源极/漏极层的图形，其中，第二金属层包括与非晶态的金属氧化物半导体薄膜接触的晶化诱导层；对形成有源极/漏极层的图形和非晶态的金属氧化物半导体薄膜的基板进行诱导晶化退火，在晶化诱导层的诱导下，使非晶态的金属氧化物半导体薄膜转变为结晶态的金属氧化物半导体薄膜，以形成由结晶态的金属氧化物半导体薄膜构成的有源层。本发明在提高金属氧化物薄膜晶体管的载流子迁移率和工艺集成度的同时，降低了生产成本。
金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法

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