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[发明专利]一种应用于高效薄膜光电池的双层结构窗口层-CN201410563452.0有效
发明人：钱磊;章婷;谢承智;刘德昂 -专利权人：苏州瑞晟纳米科技有限公司
申请日： 2014-10-21 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的用于薄膜光电池的双层结构窗口层。双层结构窗口层，包括溶液法制备的纳米金属氧化物和真空溅射法制备的金属氧化物层。该新型双层结构窗口层不但保持了真空溅射法制备的氧化物薄膜良好的致密性，同时由于纳米金属氧化物薄膜是通过溶液法来制备，避免了真空溅射过程中对其它功能层表面的破坏，从而有效地降低了界面复合，提高了光电池的FF与单层纳米金属氧化物或者真空溅射制备的氧化物薄膜作为窗口层的器件相比，基于双层结构窗口层的薄膜光电池的转换效率提高了15％以上。
一种应用于高效薄膜光电池双层结构窗口

[发明专利]光学用透光性层叠体-CN201680016588.7在审
发明人：犬塚正隆;池野翔一;高尾裕三;山崎裕一郎;后藤修;楢崎徹司 -专利权人：住友理工株式会社
申请日： 2016-03-10 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： B32B27/20 文献下载
摘要：形成如下光学用透光性层叠体(10)其具备聚烯烃层(12)；和，由金属薄膜或金属氧化物薄膜形成的薄膜层(14)，金属薄膜由银、银合金、铝、铝合金、铁、铁合金中的至少1种金属形成，金属氧化物薄膜由氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、氧化锡、氧化铝锌、氧化镓锌、氧化铟镓锌中的至少1种金属氧化物形成，薄膜层(14)是通过溅射法形成的，在聚烯烃层(12)的两表面存在有二氧化硅颗粒(22)。
光学透光层叠

[发明专利]一种混杂石墨烯膜、贵金属粒子和金属氧化物材料的集成氢气传感器及其制备方法-CN201410230643.5在审
发明人：章伟;王瑞;许泳;李雨桐;李涛;秦薇薇;高志强;蔡依晨;杨楠;徐玫瑰 -专利权人：南京益得冠电子科技有限公司;南京工业大学
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种混杂石墨烯膜、贵金属粒子和金属氧化物材料的集成氢气传感器及其制备方法，传感器包括基片、加热电极、导热绝缘层、检测电极，加热电极位于基片上，导热绝缘层在加热电极与检测电极之间，还包括沉积在检测电极上的金属氧化物薄膜，金属氧化物薄膜表面上沉积的贵金属粒子，石墨烯膜覆盖在沉积有贵金属粒子的金属氧化物薄膜上。所述贵金属粒子为单原子覆盖在金属氧化物薄膜上，覆盖度为0.05%-10%，颗粒尺寸为0.2nm-0.4nm，随机均匀排列。所述金属氧化物薄膜厚度为10nm-2μm。所述石墨烯膜厚度0.5-1.2nm。
一种混杂石墨贵金属粒子金属氧化物材料集成氢气传感器及其制备方法

[发明专利]一种金属氧化物纳米反阵列薄膜的制备方法-CN200610021847.3无效
发明人：钟智勇;张怀武;刘爽;唐晓莉 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2006-09-14 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：一种金属氧化物纳米反阵列薄膜的制备方法，属于材料技术领域，涉及一种利用纳米胶体球刻蚀技术制备纳米金属氧化物薄膜的方法。将一定尺寸的纳米高分子胶体球分散在基片上形成纳米球模板，利用氧环境下的磁控反应溅射工艺在纳米球模板上沉积金属氧化物薄膜的同时对高分子纳米胶体球进行刻蚀，最终制备出金属氧化物纳米反阵列薄膜。采用不同尺寸的高分子纳米球以及控制溅射功率和工作气压，可制备出不同尺寸的目的物。本发明能够减少金属氧化物纳米反阵列薄膜制备过程的设备投入，缩短制备时间，降低制造成本；可用来制备各种金属氧化物纳米反阵列薄膜，可应用于高密度磁存贮、传感器的制备和基于单元尺寸调制的器件性能优化等方面的工业化大规模生产
一种金属氧化物纳米阵列薄膜制备方法

[发明专利]取暖陶瓷壁画及其制备工艺-CN03115559.6无效
发明人：周之斌 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2003-02-27 - 公布日： 2003-08-06 - 主分类号： F24D13/02 文献下载
摘要：陶瓷壁画包括：陶瓷衬底、金属氧化物透明导电薄膜、红外减反射薄膜、导电浆电极、导电浆焊脚、功率输入电线，陶瓷基底的表面喷涂金属氧化物透明导电薄膜，金属氧化物透明导电薄膜的外侧镀红外减反射薄膜，在陶瓷壁画的背面设有导电浆电极及导电浆焊脚制备工艺如下：在陶瓷壁画的陶瓷基底的表面上喷涂金属氧化物透明导电薄膜；在金属氧化物透明导电薄膜的外侧真空蒸镀红外减反射薄膜；在陶瓷壁画的背面印上金属银导电浆，包括导电浆电极及导电浆焊脚，采用铜或银焊法，
取暖陶瓷壁画及其制备工艺

[发明专利]可定制的非线性电器件-CN201280071817.7在审
发明人：民贤·马克斯·张;杨建华;吉尔贝托·梅代罗斯·里贝罗;R·斯坦利·威廉姆斯 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2012-04-26 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01L29/86 文献下载
摘要：在一个示例中，可定制的非线性电器件包括第一导电层、第二导电层以及薄膜金属-氧化物层，该薄膜金属-氧化物层夹在该第一导电层和该第二导电层之间以形成该金属-氧化物层和该第一导电层之间的第一整流界面以及该金属-氧化物层和该第二导电层之间的第二整流界面。该金属-氧化物层包括共存的金属和金属氧化物的导电混合物。还提供一种形成非线性电器件的方法。
定制非线性器件

[发明专利]铁电薄膜形成用组合物、铁电薄膜的形成方法及铁电薄膜-CN201110093553.2有效
发明人：藤井顺;桜井英章;曽山信幸 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2011-04-12 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： C04B35/472 文献下载
摘要：本发明提供一种适合用于高容量密度的薄膜电容器的铁电薄膜形成用组合物、铁电薄膜的形成方法及通过该方法形成的铁电薄膜。一种用于形成PLZT等铁电薄膜的铁电薄膜形成用组合物，其特征在于，该组合物为用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述混合复合金属氧化物在通式：(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3(式中0.9＜x＜1.3，0≤y＜0.1，0≤z＜0.9)所示的复合金属氧化物A中，混合含有Bi的复合金属氧化物B，并且由有机金属化合物溶液构成，所述有机金属化合物溶液中，各原料以成为如提供上述通式所示的金属原子比的比例的方式溶解于有机溶剂中，另外，构成复合金属氧化物B的原料为正辛酸基通过其氧原子与金属元素键合的化合物。
薄膜形成组合方法

[发明专利]石墨烯金属氧化物电极材料的制备方法-CN201710940631.5有效
发明人：邵光伟 -专利权人：中节能（唐山）环保装备有限公司;吴萧良
申请日： 2017-10-11 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明公开了石墨烯金属氧化物电极材料的制备方法，该工艺利用超声分散将石墨烯制备成石墨烯乳液，通过压力喷涂与薄膜表层，然后通过添加特异组分精炼金属氧化物混合液，利用压力喷涂将金属氧化物喷涂于石墨烯薄膜上面，得到石墨烯金属氧化物电极材料。制备而成的石墨烯金属氧化物电极材料，其弯曲强度、断裂韧性均匀大幅度提高、且电性能良好，具有较好的应用前景。
石墨金属氧化物电极材料制备方法

[发明专利]薄膜及制备方法、太阳电池及制备方法与光伏组件-CN202310741352.1在审
发明人：侯承利;孟子博;郭江东;霍亭亭;李宏伟;杨广涛;陈达明 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种透明导电氧化物薄膜及制备方法、太阳电池及制备方法与光伏组件。透明导电氧化物薄膜的载流子迁移率为100cm2/V·S~170cm2/V·S，所述透明导电氧化物薄膜的材料为过渡金属掺杂的氧化铟材料，其中，过渡金属包括锡、钨、铈、钼、锆、钛、铪、锌以及锰中的一种或几种。太阳电池包括上述的透明导电氧化物薄膜。上述透明导电氧化物薄膜的制备方法制备得到的透明导电氧化物薄膜能够实现较高的载流子迁移率。
薄膜制备方法太阳电池组件

[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法和显示装置-CN201510463501.8有效
发明人：袁广才;闫梁臣;徐晓光;王磊;彭俊彪;兰林锋 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;华南理工大学
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法和显示装置。该薄膜晶体管制备方法包括在基板上形成薄膜晶体管的栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极，其中，所述有源层使用金属氧化物薄膜制备，并且在制备过程中对所述金属氧化物薄膜进行电化学氧化处理，并将电化学氧化处理后的金属氧化物薄膜构图形成所述薄膜晶体管的有源层采用该制备方法，能减少金属氧化物薄膜的氧空位、控制其自由载流子浓度，所制备的薄膜晶体管稳定性好。而且，也无需额外使用光刻工艺，对成本影响小。
薄膜晶体管制备金属氧化物薄膜源层电化学氧化显示装置阵列基板栅极绝缘层自由载流子成本影响光刻工艺源漏电极制备过程氧空位基板

[发明专利]一种采用金属氧化物复合隧穿层的薄膜光电器件及其制备方法-CN202211292130.8在审
发明人：张文君;石磊;付超 -专利权人：杭州众能光电科技有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H10K30/80 文献下载
摘要：一种采用金属氧化物复合隧穿层的薄膜光电器件及其制备方法以及制备方法摘要本发明公开了一种采金属氧化物复合隧穿层的薄膜光电器件及其制备方法以及制备方法。属于新材料太阳能电池领域，在现有的反式平板结构的薄膜光电器件中，导电基底与空穴传输层都是简单的物理叠加，导电基底与空穴传输层的接触电阻较大，电荷传输损失比较大，限制电池光电转换效率的提升，针对该问题，本发明提供了一种采金属氧化物复合隧穿层的薄膜光电器件及其制备方法，其结构为ITO透明导电层，原位制备ITO‑金属氧化物复合隧穿层，金属氧化物空穴传输层，接着制备有机无机杂化半导体薄膜，随后沉积电子传输层，接着沉积一层界面修饰层，最后沉积一层电极层,所述ITO‑金属氧化物复合隧穿层，使得ITO和金属氧化物层能有着良好的欧姆接触，提高了ITO/金属氧化物界面的电荷传输效率，减低了非辐射复合导致的效率损失，改善了反式薄膜光电器件的光电转换性能，有利于实现薄膜光电器件产业化。
一种采用金属氧化物复合隧穿层薄膜光电器件及其制备方法

[发明专利]一种叠层透明电极及其制备方法-CN201410673595.7在审
发明人：马剑钢;李鹏;闫兴振;徐海阳;张昕彤;刘益春 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2014-11-19 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：自下而上依次包括：透明衬底、透明衬底上的第一层金属氧化物薄膜、第一层金属氧化物薄膜上的金属纳米线网络层以及覆盖于金属纳米线网络层和未被金属纳米线网络层遮盖的第一层金属氧化物之上的第二层金属氧化物薄膜。金属纳米线网络层的制备包括：在第一层金属氧化物薄膜上制备金属薄膜层；采用静电纺丝在金属薄膜层上制备高聚物纳米纤维网络；以高聚物纳米纤维为掩模，蚀刻去除未被高聚物纳米纤维网络掩盖的金属薄膜；去除高聚物纳米纤维网络
一种透明电极及其制备方法

[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及制作方法、显示装置-CN201410643441.3在审
发明人：刘英伟;王美丽 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-11-10 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及制作方法、显示装置，属于薄膜晶体管制造工艺领域。其中，金属氧化物薄膜晶体管的制作方法包括形成氧化物有源层的图形的步骤，所述形成氧化物有源层的图形的步骤包括：在基板上形成由感光材料组成的多个倒台面结构；在形成有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有源层薄膜；将形成有所述氧化物有源层薄膜的基板沉浸在有机溶剂中，溶解掉基板上的感光材料，形成氧化物有源层的图形。本发明的技术方案能够解决采用湿法刻蚀形成氧化物有源层的图形难以控制的问题。
金属氧化物薄膜晶体管阵列制作方法显示装置

[发明专利]含基于锡的P型氧化物半导体的薄膜晶体管及其制造方法-CN201580073131.5有效
发明人：野村健二 -专利权人：追踪有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供显示良好薄膜晶体管TFT特性的p型金属氧化物半导体薄膜。所述p型金属氧化物薄膜包含三元或更高阶基于锡(基于Sn)的p型氧化物，例如Sn(II)‑M‑O氧化物，其中M是金属。在一些实施方案中，M是选自周期表的d区或p区的金属。本文所揭示的氧化物展现p型导电和宽带隙。还提供包含包括p型氧化物半导体的沟道的TFT，以及制造方法。
基于氧化物半导体薄膜晶体管应用

[发明专利]一种高燃烧性能硼粉复合物及其制备方法-CN202110023313.9有效
发明人：秦利军;冯昊;胡逸云;李丹;龚婷;李建国;惠龙飞;张王乐 -专利权人：西安近代化学研究所
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C06B45/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种高燃烧性能硼粉复合物及其制备方法，包括以硼颗粒为内核，以纳米金属氧化物为中间过渡层包覆在所述硼颗粒表面，以纳米氧化铁薄膜为表层包覆在所述纳米金属氧化物表面；所述的纳米金属氧化物为氧化铝、氧化锌、氧化钛、氧化镁中的一种或多种。本发明中的纳米氧化铁薄膜和中间过渡层金属氧化物薄膜均匀的包覆于硼粉表面，通过调控原子层沉积循环次数可以实现氧化物组分和含量的精确可控。基于双金属氧化物的协同催化作用，经过原子层沉积金属氧化物和氧化铁包覆的硼粉复合物，氧化铁与硼粉的反应温度较硼粉与氧气的反应温度提前了约180℃，并且能量释放效率显著提高。
一种燃烧性能复合物及其制备方法

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