专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [外观设计]洗鼻器-CN202230872779.1有效
  • 何佳新 - 何佳新
  • 2022-12-30 - 2023-04-04 - 24-02
  • 1.本外观设计产品的名称:洗鼻器。2.本外观设计产品的用途:用于清洗鼻腔。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片:立体图1。
  • 洗鼻器
  • [发明专利]金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及制作方法-CN201911168601.2有效
  • 何佳新 - 昆山龙腾光电股份有限公司
  • 2019-11-25 - 2022-05-17 - H01L27/12
  • 一种金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的制作方法,在栅极绝缘层上依次连续沉积一层结晶态金属氧化物半导体薄膜和一层非晶态金属氧化物半导体薄膜;在非晶态金属氧化物半导体薄膜上沉积形成由铜电极材料制成的源漏极金属材料层;利用半色调光罩形成光阻层,所形成的光阻层包括源/漏极光阻图形区域和有源层光阻图形区域;同时蚀刻源漏极金属材料层和非晶态金属氧化物半导体薄膜以形成源漏极金属层和非晶态金属氧化物半导体层;对结晶态金属氧化物半导体薄膜进行蚀刻以形成结晶态金属氧化物半导体层;对光阻层进一步图案化以去除有源层光阻图形区域的光阻材料;对源漏极金属层和非晶态金属氧化物半导体层进行蚀刻以形成源极、漏极以及沟道。
  • 金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列制作方法
  • [发明专利]TFT阵列基板及其制作方法-CN202111015589.9在审
  • 何佳新 - 昆山龙腾光电股份有限公司
  • 2021-08-31 - 2021-11-30 - H01L21/77
  • 本发明提供一种TFT阵列基板及其制作方法,该TFT阵列基板包括:衬底基板;形成在所述衬底基板上的氧化物导电层,所述氧化物导电层包括遮光区和像素电极,所述遮光区由所述氧化物导电层通过不透明化处理形成;形成在所述衬底基板上且覆盖所述遮光区和所述像素电极的缓冲层;形成在所述缓冲层上的有源层,所述有源层对应位于所述遮光区上方;形成在所述缓冲层和所述有源层上的栅极绝缘层;形成在所述栅极绝缘层上的第一金属层,所述第一金属层包括栅极和扫描线,所述栅极对应位于所述有源层上方,所述栅极和所述扫描线相连。
  • tft阵列及其制作方法
  • [发明专利]涂布机喷嘴的清洁装置以及清洁方法-CN201810488441.9有效
  • 何佳新 - 昆山龙腾光电股份有限公司
  • 2018-05-21 - 2021-04-23 - B08B5/02
  • 公开了一种涂布机喷嘴的清洁装置以及清洁方法,其中清洁装置包括与所述涂布机喷嘴形状匹配的第一槽,所述第一槽包括第一斜面、第二斜面以及连接所述第一斜面和所述第二斜面的连接面,其特征在于,所述第一斜面以及所述第二斜面上包括喷气口以及位于所述喷气口周边的抽气口。将所述涂布机喷嘴移至清洁装置的所述第一槽内,所述喷气口以及所述抽气口同时开始工作,喷气口喷出的气流将清洗液推向两侧的抽气口,喷气口喷出的气流和喷嘴狭缝周边的清洗液被抽气口抽去,气流运动只存在于涂布机喷嘴狭缝的周边而不会经过狭缝,从而只对涂布机喷嘴的狭缝周边进行清洁干燥,而不会加速狭缝中的涂布液干燥,避免喷嘴发生阻塞现象。
  • 涂布机喷嘴清洁装置以及方法
  • [发明专利]金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法-CN202011241267.1在审
  • 何佳新 - 昆山龙腾光电股份有限公司
  • 2020-11-09 - 2021-02-26 - H01L29/786
  • 本发明提供一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法,该方法包括在栅极绝缘层上形成非晶态的金属氧化物半导体薄膜;形成覆盖金属氧化物半导体薄膜的第二金属层,对第二金属层进行图形化以形成源极/漏极层的图形,其中,第二金属层包括与非晶态的金属氧化物半导体薄膜接触的晶化诱导层;对形成有源极/漏极层的图形和非晶态的金属氧化物半导体薄膜的基板进行诱导晶化退火,在晶化诱导层的诱导下,使非晶态的金属氧化物半导体薄膜转变为结晶态的金属氧化物半导体薄膜,以形成由结晶态的金属氧化物半导体薄膜构成的有源层。本发明在提高金属氧化物薄膜晶体管的载流子迁移率和工艺集成度的同时,降低了生产成本。
  • 金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法
  • [发明专利]阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法-CN201810008684.8有效
  • 柯健;何佳新 - 昆山龙腾光电股份有限公司
  • 2018-01-04 - 2020-11-24 - G02F1/1333
  • 一种阵列基板,包括基板、设置在基板上的多个薄膜晶体管、设置在多个薄膜晶体管上的第一钝化层以及在第一钝化层上依次层叠设置的平坦化层、第二钝化层、公共电极层、第三钝化层、像素电极层,其中,公共电极层包括透明电极层与设置在透明电极层上的第三金属层,第二钝化层具有与第三金属层相对应的图案。本发明还提供一种显示装置及阵列基板的制作方法。本发明的阵列基板在平坦化层上增设第二钝化层,且第二钝化层具有与第三金属层相对应的图案,从而可以有效抵消在图案化制作第三金属层的过程中第三金属层对平坦化层产生的作用力影响,解决平坦化层断裂的问题,改善阵列基板的质量。
  • 阵列显示装置制作方法
  • [发明专利]金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法-CN201710597182.9有效
  • 何佳新 - 昆山龙腾光电股份有限公司
  • 2017-07-20 - 2020-09-01 - H01L27/12
  • 本发明提供一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及制作方法,其中金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法包括在衬底上形成图形化的栅极;在该衬底上依次连续形成栅极绝缘层、金属氧化物半导体材料层和蚀刻阻挡材料层,该金属氧化物半导体材料层是膜厚为1~10nm,通过溶液涂布的方式成膜;对该蚀刻阻挡材料层进行蚀刻图形化以形成蚀刻阻挡层;在该金属氧化物半导体材料层和蚀刻阻挡层上形成一层源漏金属材料层;以光阻层图案作为蚀刻掩模对源漏金属材料层进行第一次蚀刻以形成源极和漏极;再以该光阻层图案和蚀刻阻挡层作为蚀刻掩模对金属氧化物半导体材料层进行第二次蚀刻以形成金属氧化物有源层,其中该第二次蚀刻为干蚀刻;去除该光阻层图案。
  • 金属氧化物薄膜晶体管阵列及其制作方法
  • [发明专利]TFT阵列基板上多次开接触孔的制作方法-CN201610242411.0有效
  • 何佳新;郑立彬 - 昆山龙腾光电有限公司
  • 2016-04-19 - 2019-02-22 - H01L21/768
  • 一种TFT阵列基板上多次开接触孔的制作方法,包括:在第一薄膜上形成第二薄膜,在同等蚀刻条件下,第二薄膜的蚀刻速率大于第一薄膜的蚀刻速率;在第一薄膜和第二薄膜中通过蚀刻工艺形成第一接触孔,第一接触孔贯穿第二薄膜和第一薄膜;在开设第一接触孔后,去除第一薄膜上的第二薄膜;在第一薄膜上形成导电膜,导电膜填入第一接触孔中;在第一薄膜上形成第三薄膜,第三薄膜覆盖导电膜,在同等蚀刻条件下,第三薄膜的蚀刻速率大于第一薄膜的蚀刻速率;在第三薄膜上形成第四薄膜,在同等蚀刻条件下,第四薄膜的蚀刻速率大于第三薄膜的蚀刻速率;在第四薄膜、第三薄膜和第一薄膜中通过蚀刻工艺形成第二接触孔,第二接触孔贯穿第四薄膜、第三薄膜和第一薄膜。
  • tft阵列基板上多次接触制作方法
  • [发明专利]触控显示面板的制造方法-CN201610091025.6有效
  • 何佳新 - 昆山龙腾光电有限公司
  • 2016-02-18 - 2018-12-18 - G02F1/1333
  • 本发明提供一种触控显示面板的制造方法,包括:提供显示面板半成品,所述显示面板半成品包括阵列基板、彩色滤光片基板与液晶层,所述液晶层位于所述阵列基板与所述彩色滤光片基板之间,所述显示面板半成品已完成所述阵列基板、所述彩色滤光片基板与所述液晶层之间的组装;在所述彩色滤光片基板远离所述液晶层的一侧表面形成与触控感测层图案互补的光阻图案;在所述光阻图案和无所述光阻图案覆盖的所述彩色滤光片基板上形成ITO膜;选择性蚀刻ITO膜,所述光阻图案上方的所述ITO膜被蚀刻去除,并露出所述光阻图案,无所述光阻图案覆盖的所述彩色滤光片基板上方的所述ITO膜被保留;剥落所述光阻图案,形成所述触控感测层图案。
  • 显示面板制造方法
  • [发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的制作方法-CN201510053760.3有效
  • 何佳新 - 昆山龙腾光电有限公司
  • 2015-02-02 - 2017-12-15 - H01L21/77
  • 一种氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的制作方法,包括在衬底基板上制作形成栅极;在栅极上依次沉积形成栅极绝缘层、氧化物半导体层、以及像素电极层;在像素电极层上涂布光阻,并对有源层区域上的光阻进行半曝光,使有源层区域上的光阻厚度小于像素电极区域上的光阻厚度;蚀刻去除有源层区域和像素电极区域之外的像素电极层及氧化物半导体层;去除有源层区域上的光阻;蚀刻去除有源层区域位于氧化物半导体层上的像素电极层,使有源层区域的氧化物半导体层露出;去除像素电极区域上的光阻;在有源层区域的氧化物半导体层上制作形成源极和漏极;在源极和漏极上制作形成保护层;以及在保护层上制作形成公共电极层。
  • 氧化物半导体薄膜晶体管阵列制作方法
  • [发明专利]薄膜晶体管阵列基板及制作方法-CN201610831238.8在审
  • 何佳新;郑立彬 - 昆山龙腾光电有限公司
  • 2016-09-19 - 2017-01-04 - H01L27/12
  • 一种薄膜晶体管阵列基板及制作方法,包括:在衬底上形成栅极和扫描线;在该衬底上沉积栅绝缘层和形成半导体层;在该栅绝缘层上依次沉积透明导电薄膜和铜薄膜;在该铜薄膜上涂覆光阻层,并使用半色调掩膜或灰阶掩模对该光阻层进行曝光和显影,在形成源极、漏极和数据线的区域留下第一光阻,在形成像素电极的区域留下第二光阻,在其他区域移除该光阻层以露出该铜薄膜;使用可以同时蚀刻该铜薄膜和该透明导电薄膜的蚀刻液,一次蚀刻去除露出部分的该铜薄膜以及下方的该透明导电薄膜;利用光阻灰化去除位于该像素电极区域上的第二光阻;使用仅蚀刻该铜薄膜但不蚀刻该透明导电薄膜的蚀刻液,蚀刻去除位于该像素电极区域上的该铜薄膜;剥离该第一光阻。
  • 薄膜晶体管阵列制作方法

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