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[发明专利]一种高效利用云中心量子计算机资源的方法-CN201910366806.5有效
发明人：孙善宝;于治楼;徐驰;于玲 -专利权人：山东浪潮科学研究院有限公司
申请日： 2019-05-05 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G06F9/50 文献下载
摘要：本发明特别涉及一种高效利用云中心量子计算机资源的方法。该高效利用云中心量子计算机资源的方法，量子云中心为量子计算应用程序创建任务，经过测试、模拟、仿真、评估及优化程序，进入物理量子计算机执行程序队列，等待执行；量子云中心综合执行相似量子计算应用程序产生的历史数据，选择复用结果，由量子云中心动态选择程序加载到物理量子计算机，提高量子计算机的使用效率。该高效利用云中心量子计算机资源的方法，不仅可以更加合理高效的分配资源，提高了物理量子计算机的使用效率，还能通过持续训练优化量子程序任务选择模型和评估模型，持续提高量子计算应用程序选择的合理性，进而提升物理量子计算机的运行效率
一种高效利用中心量子计算机资源方法

[发明专利]一种量子点及其制备方法、量子点膜-CN202111509569.7在审
发明人：周淼 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明涉及一种量子点及其制备方法、量子点膜。本发明的量子点包括：量子点核、以及金属壳，金属壳的内壁与量子点核的外壁之间形成一空心圆环。本发明利用柯肯达尔效应，在量子点核外围包覆金属壳，避免了现有技术中利用SiO2等过渡壳层确保量子点核与金属壳的间距；避免对量子点进行配体改性，进而避免降低量子点的荧光效率，进而保持量子点原有的光转化效率。利用金属壳的表面等离子共振效应，增强量子点的光吸收效率，提升量子点的光学利用率，提高量子点的发光亮度。利用金属壳的致密性有效阻隔水氧渗透。
一种量子及其制备方法

[发明专利]一种用于量子中继器的量子纠错编码方法-CN201811007681.9有效
发明人：王云江;刘洋;石莎;熊星宇 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H04L9/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于量子中继器的量子纠错编码方法，主要解决量子中继器效率低、纠错能力差的问题，其技术方案为：对待传输的信息进行编码；在量子中继器中制备辅助量子纠缠态；将量子RM码的码字传送给量子中继器；建立接收到的码字和基态的纠缠；测量接收到的码字和基态；纠正删除错误；向下一个量子中继器发送不含删除错误的量子RM码的码字；重复上述步骤，直到用户接收端输出不含删除错误的量子RM码的码字。本发明克服了量子中继器效率低、纠错能力差的问题，降低了量子中继器的物理资源开销，提高了量子中继器的纠错效率和纠错能力。
一种用于量子中继纠错编码方法

[发明专利]一种激发光强相关的绝对光致发光量子效率测量方法-CN201910438390.3有效
发明人：王建浦;邹伟 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： G01N21/63 文献下载
摘要：本发明公开了一种激发光强相关的绝对光致发光量子效率测量方法，该方法包括以下步骤：步骤一：测量单一固定激发强度的绝对光致发光量子效率，步骤二：获得不同光强下的相对光致发光量子效率；步骤三：将步骤一中固定激发强度的绝对量子效率数值η与步骤二获得的相对光致发光量子效率比对，找到该激发强度下的相对光致发光量子效率R(x)并进行替换，其它激发强度下的相对光致发光量子效率也按该比例放大或缩小。本发明首先利用积分球测试系统测量单一固定激发强度的绝对PLQE，再与锁相测量系统获得的不同激发光强下的相对光致发光量子效率相互校准，能够快速并准确地测得材料在不同激发光强条件下的绝对光致发光量子效率。
一种激发相关绝对光致发光量子效率测量方法

[发明专利]一种多量子阱结构、光电器件外延片及光电器件-CN201910699756.2有效
发明人：孙海定;龙世兵;刘明 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种多量子阱结构、光电器件外延片及光电器件，其中，多量子阱结构由交替生长的量子阱层和量子垒层组成，每一量子阱层和量子垒层为不平整结构。通过将多量子阱结构的量子阱层和量子垒层设置为组分不均匀、结构不平整的结构，提高了载流子的光复合效率、内量子效率、发光效率，并将其应用于光电器件外延片及光电器件中，实现了大功率发光二极管、大功率发光激光器
一种多量结构光电器件外延

[实用新型]一种半导体发光二极管-CN202320433210.4有效
发明人：李水清;阚宏柱;请求不公布姓名;王星河;陈婉君;张江勇;蔡鑫 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种半导体发光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体层、超晶格层、浅量子阱层、量子阱层、第一p型半导体层和第二p型半导体层，所述第一p型半导体层、量子阱层、浅量子阱层和超晶格层形成空穴注入与量子限制结构本实用新型降低量子阱层的极化效应，提升量子阱层的空穴注入效率和量子限制效果，提升电子空穴波函数的交叠几率和电子空穴辐射复合效率，提升半导体发光二极管的内量子效率和发光效率。
一种半导体发光二极管

[发明专利]一种光电器件的量子阱结构-CN201510014463.8在审
发明人：李淼 -专利权人：西安神光皓瑞光电科技有限公司
申请日： 2015-01-12 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提出一种新的量子阱结构，能够进一步有效增大载流子的复合几率,提高量子效率，实现光电器件效率的优化提升。本发明提出以AlInGaN为垒，设计出In和Al组分渐变的垒层结构来替代传统量子阱结构的垒层结构设计。通过在量子阱的垒层结构内掺入In组分，量子阱的能带弯曲减少、量子限制斯塔克效应减弱、电子阻挡层的电子阻挡效率提高、量子阱的空穴注入效率增加、电子与空穴的空间波函数交叠增加,这些都对LED发光效率提高起到积极的作用；同时在量子阱的垒层结构内掺入Al组分，有效阻挡了电子向P层迁移；AlInGaN渐变的组分设计，可以减小极化电场的影响,提高量子阱自发发射谱强度。
一种光电器件量子结构

[发明专利]一种短链烷基羧酸改善钙钛矿量子点性能的方法-CN201911317303.5在审
发明人：宋继中;杨林翔;许蕾梦;王田田;李金航;李贤胜;张枫娟 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种短链烷基羧酸改善钙钛矿量子点性能的方法，其步骤为：将量子点原液用第一提纯剂离心，得到沉淀；向所得沉淀中加入双十二烷基溴化铵的甲苯溶液、有机溶剂和短链烷基羧酸对钙钛矿量子点进行钝化，再用第二提纯剂离心，得到稳定的钙钛矿量子点。本发明利用短链烷基羧酸对量子点进行表面钝化使制得的量子点更稳定，同时具有更好的光致发光、电致发光性能，利用该量子点制备高性能、高效率的量子点器件，发光二极管的外量子效率、亮度、电流效率等方面均有较大改善，外量子效率提升20%‑40%以上，亮度提升20%‑120%以上。
一种烷基羧酸改善钙钛矿量子性能方法

[发明专利]一种采用DWELL的中红外锑化物激光器结构-CN200910217783.8无效
发明人：尤明慧;高欣;李占国;刘国军;李林;李梅;王勇;乔忠良;邹永刚;邓昀;王晓华;李联合 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2009-10-29 - 公布日： 2010-05-05 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明是一种采用DWELL的中红外锑化物激光器结构，即阱中量子点(DWELL)中红外激光器结构，即在量子阱(WELL)中嵌入量子点(DOT)，通过增加器件中DWELL的有效周期数目提升器件效率。减少有源区In组分和优化量子点、阱宽度和覆盖层，将外延层的应变减至最小。由于量子点的发射效率、光增益都强于量子阱；DWELL对电子的俘获能力、反射率和光限制能力强于单层量子点和多量子阱结构，所以这种DWELL结构具有较高的发射效率。DWELL结构的中红外激光器兼备了传统量子阱和量子点激光器的特点，在DWELL中载流子复合效率更高，可以在更高温度下工作。
一种采用 dwell 红外锑化物激光器结构

[发明专利]用于提高光电倍增管阴极量子效率可控性及一致性的方法-CN202110722031.8有效
发明人：顾莹;司曙光;张志千;张昊达;李臻;李冬;王兴超;金睦淳;侯巍;吴凯 -专利权人：北方夜视技术股份有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01J9/12 文献下载
摘要：本发明提供一种用于提高光电倍增管阴极量子效率可控性及一致性的方法，包括：获取不同量子效率的光电阴极制备过程中的光电流曲线；提取出与设定的量子效率区间对应的光电流曲线斜率的角度参考范围；在制备光电阴极的过程中，根据需要达到的量子效率区间选择对应的角度参考范围；以及以选择的角度参考范围为依据，在制备过程中将实际的光电流曲线斜率的角度与角度参考范围进行对比，对正在进行的阴极制备过程进行调整，使阴极制备过程中光电流曲线斜率的角度向所需量子效率的角度参考范围不断接近，最终制作出所需量子效率的光电阴极。本发明的调控方法可通过给出的参考值设定期望制作的量子效率值，在实际生产过程中可提高量子效率的可控性，从而提高了光电倍增管量子效率的一致性，避免单独针对某个量子效率进行调控时的不确定性和降低调控难度。
用于提高光电倍增管阴极量子效率可控性一致性方法

[发明专利]一种可提高发光效率的LED外延结构及其生长方法-CN201810332131.8在审
发明人：尧刚;卓祥景;程伟;孙传平;万志 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种可提高发光效率的LED外延结构及其生长方法，在生长InGaN/GaN多量子阱有源层过程中，在InGaN量子阱层和与该InGaN量子阱层背离衬底一侧相邻的GaN量子垒层之间生长有插入层，通过插入层覆盖保护该InGaN量子阱层，能够提高后续生长GaN量子垒层时的生长温度，同时可以显著抑制InGaN量子阱层中In组分的析出，提高InGaN量子阱层和垒层界面的平整度；并且，插入层可以作为InGaN量子阱层和GaN量子垒层之间的一层应力补偿层，抵消InGaN量子阱层和GaN量子垒层之间产生的压应力，进而降低缺陷的形成，提高有源区的辐射复合效率，进而提高LED的发光效率。
量子阱层量子垒层生长发光效率插入层辐射复合效率应力补偿层析出平整度压应力衬底垒层源层源区抵消背离覆盖

[发明专利]一种多量子阱层及其制备方法、外延片及发光二极管-CN202310968033.4在审
发明人：刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙;顾伟 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种多量子阱层及其制备方法、外延片及发光二极管，所述多量子阱层包括周期性层叠设置的量子阱层、盖帽层以及量子垒层；其中，所述量子阱层为AlScN层、盖帽层为AlSiN层、量子垒层为AlN层。本发明解决了现有技术中的LED的光提取效率低以及多量子阱中电子空穴辐射复合效率低而导致LED发光效率低的问题。
一种多量子阱层及其制备方法外延发光二极管

[发明专利]可调控能带的UV LED多量子阱结构装置及生长方法-CN201310244191.1无效
发明人：张连;曾建平;魏同波;闫建昌;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-06-19 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调控能带的UV LED多量子阱结构装置及生长方法，其能够提高紫外发光二极管有源区多量子阱中辐射复合效率。所述可调控能带的UV LED多量子阱结构装置，其包括至少一个能带被调控的量子阱结构，该能带调控量子阱结构由量子阱势垒层和组分渐变量子阱势阱层交替生长而成。该可调控能带的UV-LED量子阱结构能够实现对量子阱区域的能带调控，提高量子阱有源区中的电子空穴波函数叠加，提高UV-LED量子阱区域的辐射复合效率，进而提高UV-LED的功率和效率。
调控能带 uv led 多量结构装置生长方法

[发明专利]一种LED器件的制备方法-CN201710479883.2有效
发明人：王恺;陈威;郝俊杰;徐冰;孙小卫 -专利权人：广东昭信光电科技有限公司
申请日： 2017-06-22 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED器件的制备方法，将石墨烯引入量子点‑LED封装体系。但是将石墨烯与量子点直接混合用于量子点‑LED器件，石墨烯会与量子点直接复合，引起量子点的猝灭，本发明中使用量子点微球代替传统LED器件中的量子点粉末，采用量子点微球与石墨烯混合，能够防止量子点猝灭，可以有效地保持量子点的发光性能，保证LED器件的高光转化效率和高发光效率。
一种 led 器件制备方法

[发明专利]量子点彩膜-CN201811641448.6有效
发明人：李鑫;李慧州;宋研君;徐飞阳;王允军 -专利权人：苏州星烁纳米科技有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： B32B27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种量子点彩膜，包括红色子像素，红色子像素包括：聚合物；量子点，分散在聚合物中；其中，量子点包括CdZnSe核、ZnSeS层以及CdZnS层，ZnSeS层和CdZnS层依次分布在CdZnSe核的外周，量子点的发射峰波长为610纳米至660纳米。该量子点彩膜采用了如上的三层结构的量子点，该量子点具有较高的荧光量子效率，这样有利于量子点彩膜的光致量子效率的提升。
量子点彩膜