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[实用新型]一种减少临时键合过程气泡形成的键合结构-CN202022203803.0有效
发明人：潘远杰;周祖源;薛兴涛 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型提供一种减少临时键合过程气泡形成的键合结构，结构至少包括：焊盘结构，包括衬底、位于所述衬底中的金属填充的TSV深孔、位于所述衬底表面的重布线介质层、以及位于所述重布线介质层上的金属电极，所述重布线介质层表面经过等离子处理而具有粗化结构；胶层，形成于所述重布线介质层上；基板，贴附与所述胶层上。通过添加等离子处理工艺，使重布线介质层的表面变粗糙，使其具有良好的亲水性，从而有利于临时键合胶粘剂流动性，实现临时键合胶与重布线介质层的紧密接触，减少后续的高温CVD过程中气泡的产生，从而降低边缘破裂的风险
一种减少临时过程气泡形成结构

[发明专利]半导体封装件及其形成方法-CN202110871537.5在审
发明人：吕文隆 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种形成半导体封装件的方法，包括：提供重布线层，重布线层具有弯曲形状以形成有第一腔；将第一电子元件放置在第一腔中并电连接至重布线层；将重布线层设置在基板上。
半导体封装及其形成方法

[发明专利]基板结构及电子装置-CN201811385029.0在审
发明人：胡迪群 -专利权人：胡迪群
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：第一部分包括第一细重布线路层以及第一粗重布线路层。第一细重布线路层包括第一细导电图案，第一粗重布线路层设置在第一细重布线路层上并电连接第一细重布线路层。第一粗重布线路层包括电连接至所述第一细导电图案的第一粗导电图案，其中第一细导电图案的布线密度比第一粗导电图案的布线密度更密。第二部分包括第二细重布线路层和第二粗重布线路层中的至少一个。
重布线路层导电图案基板结构线路层电连接电子装置

[发明专利]半导体封装装置及其制造方法-CN202110629020.5在审
发明人：庄劭萱;张皇贤 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开提供了半导体封装装置及其制造方法，通过设计半导体封装装置包括：重布线层；隔离层，设置于重布线层上，隔离层的吸水性小于重布线层；填充层，设置于隔离层上；两个功能芯片，设置于填充层上，经过填充层和隔离层，与重布线层电连接，两个功能芯片之间具有空隙腔体，空隙腔体穿过填充层并抵接隔离层，使得热循环制程中隔离层能够阻挡重布线层的水气向填充层扩散，避免因水气积累在填充层产生的应力，并且，由于两个功能芯片具有穿过填充层的空隙腔体，可避免在热循环制程中两个功能芯片之间与填充层的挤压造成的填充层断裂。
半导体封装装置及其制造方法

[发明专利]封装元件及其制作方法-CN201711433952.2在审
发明人：周学轩;范家杰;王冠人;王程麒;林宜宏;宋立伟 -专利权人：群创光电股份有限公司
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种封装元件及其制作方法，该封装元件包括导电垫、保护区块以及重布线层。保护区块设置于导电垫上。重布线层设置于保护区块上，且导电垫通过保护区块电连接至重布线层。
封装元件重布线层导电垫区块区块设置电连接制作

[发明专利]半导体封装装置及其制造方法-CN202011056187.9有效
发明人：吕文隆 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：该半导体封装装置的一具体实施方式包括：粘性层，具有第一表面和第二表面；重布线层，设置于第一表面，重布线层包括介电层和重布线线路；第一电子元件，设置于第二表面；第一贯孔，贯穿粘性层和介电层，用于电连接重布线线路和第一电子元件该半导体封装装置能够方便地对重布线层进行操作，有利于提高半导体封装装置的封装效果和封装效率。
半导体封装装置及其制造方法

[发明专利]一种三维叠层封装结构及其制造方法-CN201911146085.3在审
发明人：张凯;耿菲;曹立强 -专利权人：上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维叠层封装结构，包括：背面相连的第一芯片及第二芯片；分别与第一芯片及第二芯片电连接的第一重布线层及第二重布线层；一个或多个第一金属导电柱、第二金属导电柱及第三金属导电柱，第一金属导电柱两端分别与第一重布线层及第二金属导电柱电连接，第二金属导电柱两端分别与第二金属导电柱及第三金属导电柱电连接，第三金属导电柱两端分别与第二金属导电柱及第二重布线层电连接；第一介质层，位于所述第一重布线层的下方；第二介质层，覆盖所述第一重布线层的表面和间隙；第三介质层，覆盖所述第二介质层的表面，并包裹所述第一芯片；第四介质层，覆盖所述第三介质层的表面，并包裹所述第三金属导电柱及第二芯片；第五介质层，覆盖所述第二重布线层的表面和间隙；以及外接焊球，电连接至所述第二重布线层
一种三维封装结构及其制造方法

[实用新型]一种板级倒装芯片封装结构-CN202120285979.7有效
发明人：崔成强;杨斌;罗绍根;匡自亮 -专利权人：广东佛智芯微电子技术研究有限公司;广东芯华微电子技术有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开一种板级倒装芯片封装结构，包括：芯片封装用基底，其一侧具有外露的第一重布线层；若干芯片组，倒装于芯片封装用基底上并与第一重布线层电连接；塑封层，位于芯片封装用基底的一侧并包裹芯片组，塑封层上且位于每相邻两个芯片组之间开设有一道延伸至第一重布线层的锥形槽，且塑封层上邻近相邻两个芯片组的外周间隔开设有若干延伸至第一重布线层的过孔；第二重布线层，位于塑封层上并延伸至锥形槽的槽壁和过孔的孔壁与第一重布线层电连接；若干金属凸块，与第二重布线层的焊盘区电连接。
一种倒装芯片封装结构

[实用新型]一种双向叠片的芯片扇出型低厚度封装结构-CN202221678401.9有效
发明人：汤茂友;邵滋人;付永朝 -专利权人：紫光宏茂微电子（上海）有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：一种双向叠片的芯片扇出型低厚度封装结构，包括第一重新布线层、第二重新布线层、控制芯片、功能芯片叠片结构、第一封装层、第二封装层，所述第一重新布线层的上方设有功能芯片叠片结构，功能芯片叠片结构的外部包裹第一封装层，第一封装层的上端设有第二重新布线层，第二重新布线层的上方设有控制芯片，所述功能芯片叠片结构由若干正反功能芯片组堆叠组成。本实用新型同现有技术相比，本实用新型封装结构采用第二重新布线层和导电结构实现内部互联，采用第一重新布线层代替基板实现外部连接，采用三维堆叠封装结构，缩小封装的体积。
一种双向芯片扇出型低厚度封装结构

[发明专利]半导体封装及其制造方法-CN201610843821.0有效
发明人：郑礼辉;林俊成;蔡柏豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-09-23 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：所述半导体封装包括：重布线层、位在重布线层上的至少一管芯、位在重布线层上且于管芯旁侧的贯穿层间通孔以及包覆设置于重布线层上的管芯及贯穿层间通孔的模塑料体。所述半导体封装具有连接至贯穿层间通孔的连接结构，以及覆盖模塑料体与管芯的保护膜。其保护膜系由印刷工艺所形成。
半导体封装及其制造方法

[实用新型]具测试垫的封装构造-CN201120559789.6有效
发明人：黄东鸿;李淑华 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2011-12-26 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型公开一种具测试垫的封装构造，所述具测试垫的封装构造包含一基板；一硅中介层，包含一第一重布线层及一第二重布线层，通过第二重布线层设于所述基板上，且所述硅中介层上设有测试垫；一芯片，设于所述硅中介层的第一重布线层上通过上述结构，本实用新型的封装构造可直接通过测试垫检测硅中介层的两重布线层之间、或其与芯片之间的电性连接是否完好，而无需装置在依产品规格特别订制的测试电路板上进行测试，故可增加测试效率及节省测试成本。
测试封装构造

[发明专利]封装结构及该封装结构的制备方法-CN202011111054.7在审
发明人：倪庆羽;吕香桦 -专利权人：虹晶科技股份有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：所述第一基板上设置有第一重布线层。所述至少一第一电子元件设置于第一重布线层上，并电连接第一重布线层。所述第一封装件本体设置于所述第一基板上，并包覆所述至少一第一电子元件。所述第二基板上设置有第二重布线层。所述第二重布线层电连接所述第一重布线层。所述至少一第二电子元件设置于第二重布线层上，并电连接第二重布线层。所述第二封装件本体包覆所述至少一第二电子元件。
封装结构制备方法

[发明专利]半导体封装结构-CN202010704682.X在审
发明人：杨瑞纹;赖信诚;冯捷威;王泰瑞;锺育华;丁子洋 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体封装结构，其包括重布线层结构、芯片、电子组件以及应力补偿层。所述重布线层结构具有相对的第一表面与第二表面。所述芯片设置于所述重布线层结构的所述第一表面上，且与述重布线层结构电连接。所述电子组件设置于所述重布线层结构中，与所述芯片电连接，且包括设置于其中的介电层。所述应力补偿层设置于所述重布线层结构中或上。所述介电层在垂直于所述第二表面的第一方向上提供50Mpa至200Mpa之间的第一应力，所述应力补偿层在与所述第一方向相反的第二方向上提供50Mpa至200Mpa之间的第二应力，且所述第一应力与所述第二应力之间的差不超过
半导体封装结构

[发明专利]封装结构-CN201711288268.X在审
发明人：郑心圃;陈硕懋;许峯诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：封装结构包括第一介电层、第一半导体装置、第一重分布线、第二介电层、第二半导体装置、第二重分布线、第一导电件及第一模制材料。第一半导体装置在第一介电层上方。第一重分布线在第一介电层中且电连接至第一半导体装置。第二介电层在第一半导体装置上方。第二半导体装置在第二介电层上方。第二重分布线在第二介电层中且电连接至第二半导体装置。第一导电件电连接第一重分布线与第二重分布线。第一模制材料模制第一半导体装置及第一导电件。
半导体装置介电层重分布线导电件电连接封装结构第一模材料模制

[发明专利]形成封装结构的方法-CN202211615779.9在审
发明人：郑心圃;陈硕懋;许峯诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：封装结构包括第一介电层、第一半导体装置、第一重分布线、第二介电层、第二半导体装置、第二重分布线、第一导电件及第一模制材料。第一半导体装置在第一介电层上方。第一重分布线在第一介电层中且电连接至第一半导体装置。第二介电层在第一半导体装置上方。第二半导体装置在第二介电层上方。第二重分布线在第二介电层中且电连接至第二半导体装置。第一导电件电连接第一重分布线与第二重分布线。第一模制材料模制第一半导体装置及第一导电件。
形成封装结构方法

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