“重布线层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2776945个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]形成焊接凸块的方法-CN200910055365.3有效
发明人：佟大明;梅娜 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-07-24 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成焊接凸块的方法，用于实现晶圆级芯片封装，包括下列步骤：提供半导体基底；在基底上形成铜材质的重布线焊垫；对重布线焊垫进行表面处理，去除其表面的铜氧化物；在基底和重布线焊垫上形成再钝化层，在需要形成焊接凸块的位置作开口，露出重布线焊垫；用助焊剂清洗出露的重布线焊垫；在开口内的重布线焊垫上形成焊接凸块。通过对重布线焊垫进行表面处理，去除其表面的铜氧化物，然后再形成再钝化层，再钝化层就与铜单质表面贴合，后续的用助焊剂清洗出露的重布线焊垫时，再钝化层与重布线焊垫之间不会产生缝隙，也就不会产生渗镀现象，因而提高了芯片的性能和质量
形成焊接方法

[发明专利]多频天线封装结构及其制造方法以及使用其的通讯装置-CN201811480050.9有效
发明人：蒋静雯;管延城;梁嘉仁;余建德 -专利权人：徐克铭
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：多频天线封装结构包含第一重布线层、积体电路层、第二重布线层以及第一天线单元层。积体电路层形成于第一重布线层上，积体电路层包括设置于第一重布线层的金属接触部、金属柱以及积体电路晶片。金属接触部电连接第一重布线层的多个第一金属图样的其中之一，金属柱电连接积体电路晶片以及第一金属图样的其中之一。第二重布线层形成于积体电路层上。金属接触部电连接第二重布线层的多个第二金属图样的其中之一。第一天线单元层的多个第三金属图样的至少其中之一电连接第二金属图样的其中之一。
天线封装结构及其制造方法以及使用通讯装置

[发明专利]半导体封装件及其制造方法-CN201611043189.8有效
发明人：柳承官;权容焕;崔允硕;赵汊济;赵泰济 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：该半导体封装件包括上半导体芯片封装件、下半导体芯片封装件和置于封装件之间的重分配布线层图案。下封装件包括模制层，至少一个芯片嵌入模制层中，下封装件具有顶表面和倾斜的侧壁表面，重分配布线层图案沿顶表面和侧壁表面形成。上封装件和下封装件通过重分配布线层图案彼此电连接。第一封装件可由晶片级封装技术形成并可包括作为基底的重分配布线层、设置在重分配布线层上的半导体芯片以及其上设置有下封装件、重分配布线层图案和上封装件的模制层。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110541205.0在审
发明人：王令骅;沈明宗 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：半导体结构包括：第一管芯，具有前侧和与前侧相对的背侧；第一重布线层，第一管芯的背侧附接到第一重布线层；第二重布线层，连接至第一管芯的前侧；第二管芯，位于第一管芯和第二重布线层之间；引脚，设置在第一管芯和第二管芯周围，引脚的一端连接到第一重布线层且引脚的另一端到第二重布线层。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体封装-CN202010868493.6在审
发明人：杨胜杰;谢静华;林志伟;陈又豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：所述半导体封装包括第一重布线层结构、光子集成电路、电子集成电路、波导以及存储器。光子集成电路设置在第一重布线层结构之上且电连接到第一重布线层结构，且包括光学收发器及光学耦合器。电子集成电路设置在第一重布线层结构之上且电连接到第一重布线层结构。波导光学耦合到光学耦合器。存储器电连接到电子集成电路。
半导体封装

[发明专利]一种芯片-CN201580078921.2有效
发明人：符会利;张晓东;林志荣;马志強 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2015-04-14 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种芯片，其包括载体(220)、重布线结构(240)和多个封装功能模块(260)，所述多个封装功能模块均有至少一部分被胶体(262)包裹，并被并行固定在所述重布线结构上，所述重布线结构被固定在所述载体上，所述重布线结构中包括一层或多层重布线金属层(242)，所述重布线金属层将所述多个封装功能模块与所述载体通信连接，所述重布线结构中还包括一层或多层互连金属层(244)，所述互连金属层与至少两个封装功能模块通信连接在所述芯片中，两个封装功能模块被并行放置到载体上，并通过重布线结构来建立彼此之间的信号通路，因此不存在由叠加引起的散热问题，而且能够有效地保证封装功能模块间的信号通路的长度不会过长。
一种芯片

[发明专利]一种超薄多种类芯片集成封装结构及其制造方法-CN202210639095.6在审
发明人：马书英;刘吉康;付东之 -专利权人：华天科技（昆山）电子有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄多种类芯片集成封装结构及其制造方法，该封装结构包括承载片，承载片下表面有金属重布线层，承载片下表面和金属重布线层上有保护膜层，承载片上表面水平设至少两个凹槽结构，其中一个凹槽结构内的芯片感光区域朝下，相邻一个凹槽结构内的芯片正面朝上，芯片上有第一绝缘介质层，第一绝缘介质层上的开口处有重布线层，第一绝缘介质层和重布线层上有第二绝缘介质层，露出重布线层上的焊盘，焊球通过相适配的焊盘与重布线层相连，芯片通过对应的重布线层与焊球电性连接
一种超薄多种芯片集成封装结构及其制造方法

[实用新型]一种超薄多种类芯片集成封装结构-CN202221409802.4有效
发明人：马书英;刘吉康;付东之 -专利权人：华天科技（昆山）电子有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超薄多种类芯片集成封装结构，该封装结构包括承载片，承载片下表面有金属重布线层，承载片下表面和金属重布线层上有保护膜层，承载片上表面水平设至少两个凹槽结构，其中一个凹槽结构内的芯片感光区域朝下，相邻一个凹槽结构内的芯片正面朝上，芯片上有第一绝缘介质层，第一绝缘介质层上的开口处有重布线层，第一绝缘介质层和重布线层上有第二绝缘介质层，露出重布线层上的焊盘，焊球通过相适配的焊盘与重布线层相连，芯片通过对应的重布线层与焊球电性连接
一种超薄多种芯片集成封装结构

[发明专利]半导体元件-CN201710138028.5在审
发明人：郑安皓;刘峻昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：该半导体元件进一步包含第一重分布线导孔，延伸贯穿位于第一保护层的开口以电连接互连结构。该第一重分布线导孔包含第一传导材料。该半导体元件进一步包含重分布线位于第一保护层之上并电连接第一重分布线导孔。该重分布线包含异于第一传导材料的第二传导材料。该重分布线以平行于第一保护层的顶面的方向延伸超出第一重分布线导孔。
半导体元件

[发明专利]集成扇出型封装体及其制造方法-CN201711278102.X有效
发明人：吴逸文;郭宏瑞;何明哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种集成扇出型封装体包括管芯、绝缘包封体、重布线路结构、导电端子以及障壁层。所述管芯被所述绝缘包封体包封。所述重布线路结构包括重布线导电层。所述重布线导电层设置在所述绝缘包封体中且从所述绝缘包封体的第一表面延伸到所述绝缘包封体的第二表面。所述导电端子设置在所述绝缘包封体的所述第二表面之上。所述障壁层夹置在所述重布线导电层与所述导电端子之间。所述障壁层的材料不同于所述重布线导电层的材料及所述导电端子的材料。本发明实施例还提供一种制造集成扇出型封装体的方法。
集成扇出型封装及其制造方法

[发明专利]扇出型封装结构及其制作方法-CN202110738098.0在审
发明人：林耀剑;左健;杨丹凤;高英华;刘硕 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种扇出型封装结构及其制作方法，所述扇出型封装结构包括至少一个芯片和设于芯片功能面侧的至少一层重布线层，所述重布线层包括介电层和分布于所述介电层内的金属布线层，所述扇出型封装结构还包括至少一个设置于所述重布线层上的假片，所述假片与所述芯片之间绝缘设置，所述金属布线层与所述假片之间接触设置。通过在重布线层上设置假片，并将其与金属布线层与其相接，使得假片不仅能够起到结构支撑、抑制翘曲的作用，还能够形成连续的散热通道，提高扇出型封装结构的热管理能力。
扇出型封装结构及其制作方法

[实用新型]扇出型封装结构-CN202121483645.7有效
发明人：林耀剑;左健;杨丹凤;高英华;刘硕 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型提供一种扇出型封装结构，所述扇出型封装结构包括至少一个芯片和设于芯片功能面侧的至少一层重布线层，所述重布线层包括介电层和分布于所述介电层内的金属布线层，所述扇出型封装结构还包括至少一个设置于所述重布线层上的假片，所述假片与所述芯片之间绝缘设置，所述金属布线层与所述假片之间接触设置。通过在重布线层上设置假片，并将其与金属布线层与其相接，使得假片不仅能够起到结构支撑、抑制翘曲的作用，还能够形成连续的散热通道，提高扇出型封装结构的热管理能力。
扇出型封装结构

[发明专利]指纹识别芯片的封装结构及封装方法-CN201810084191.2在审
发明人：陈彦亨;吴政达;林正忠 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种指纹识别芯片的封装结构及封装方法，封装结构包括：指纹识别芯片；封装材料层，包覆指纹识别芯片，包括第一面及相对的第二面，第一面显露指纹识别芯片正面；第一重新布线层，第一重新布线层与指纹识别芯片的正面连接；通孔，形成于封装材料层中，通孔显露第一重新布线层；第二重新布线层，形成于通孔及封装材料层的第二面，第二重新布线层与第一重新布线层电性连接；以及金属凸块，形成于第二重新布线层上。本发明采用扇出型封装指纹识别芯片，具有成本低、厚度小、良率高的优点；本发明同时不需要打线工艺，也不需要高成本的硅穿孔工艺，只需在封装材料层中穿孔，大大降低了工艺难度及成本。
指纹识别芯片重新布线层封装材料层封装结构通孔第二面封装显露扇出型封装打线工艺电性连接工艺难度金属凸块硅穿孔穿孔包覆良率

[实用新型]指纹识别芯片的封装结构-CN201820145785.5有效
发明人：陈彦亨;吴政达;林正忠 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型提供一种指纹识别芯片的封装结构，封装结构包括：指纹识别芯片；封装材料层，包覆指纹识别芯片，包括第一面及相对的第二面，第一面显露指纹识别芯片正面；第一重新布线层，第一重新布线层与指纹识别芯片的正面连接；通孔，形成于封装材料层中，通孔显露第一重新布线层；第二重新布线层，形成于通孔及封装材料层的第二面，第二重新布线层与第一重新布线层电性连接；以及金属凸块，形成于第二重新布线层上。本实用新型采用扇出型封装指纹识别芯片，具有成本低、厚度小、良率高的优点；本实用新型同时不需要打线工艺，也不需要高成本的硅穿孔工艺，只需在封装材料层中穿孔，大大降低了工艺难度及成本。
指纹识别芯片重新布线层封装材料层本实用新型封装结构通孔第二面显露扇出型封装打线工艺电性连接工艺难度金属凸块硅穿孔穿孔包覆良率

[发明专利]一种封装结构及其芯片封装方法-CN202111200669.1有效
发明人：韩新;尹佳山;周祖源;林正忠 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明提供一种封装结构及其芯片封装方法，该封装结构包括半导体层、第一重新布线层、沟槽、绝缘层、通孔、第二重新布线层、半导体组件及封装胶层，其中，半导体层包括多个电子元件及与电子元件电连接的电极，第一重新布线层与电极电连接，沟槽位于半导体层中，且沟槽的底部显露出电子元件；于半导体层的远离电极的面及远离电极的方向依次设置绝缘层、贯穿绝缘层的通孔、第二重新布线层、半导体组件及封装胶层，且第二重新布线层与电子元件电连接，第二重新布线层与半导体组件电连接本发明于半导体层远离电极的一面设置底部显露出电子元件的沟槽，并将第二重新布线层通过通孔与电子元件电连接，实现了芯片的上下两面的导通，且简化了工艺。
一种封装结构及其芯片方法