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[发明专利]存储器结构-CN201811092062.4在审
发明人：夏志良;陈俊;鲍琨;董金文;华文宇;靳磊;江宁;刘峻 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储器结构，所述存储器结构包括：衬底层，所述衬底层具有相对的第一表面和第二表面，所述衬底层内形成有导电区域，所述导电区域的顶部朝向所述衬底层的第一表面，所述导电区域的底部朝向所述衬底层的第二表面；存储层，所述存储层位于所述衬底层的第一表面上；隔离结构，贯穿所述衬底层，且位于所述导电区域边缘，包围所述导电区域设置，用于隔离所述导电区域与所述隔离结构外围的衬底层；所述导电区域包括：位于所述导电区域底部的屏蔽层
导电区域衬底层存储器结构第一表面第二表面隔离结构存储层屏蔽层存储器隔离外围包围贯穿

[实用新型]成像像素-CN201621092340.2有效
发明人： S·C·霍恩格 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：该成像像素包括上衬底层；下衬底层；浮动扩散区；所述上衬底层中耦接到所述浮动扩散区的光电二极管；插入所述上衬底层和所述下衬底层之间的互连层，所述互连层将所述上衬底层耦接到所述下衬底层；以及所述下衬底层中的第一存储电容器
成像像素

[实用新型]存储器结构-CN201821536454.0有效
发明人：夏志良;陈俊;鲍琨;董金文;华文宇;靳磊;江宁;刘峻 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种存储器结构，所述存储器结构包括：衬底层，所述衬底层具有相对的第一表面和第二表面，所述衬底层内形成有导电区域，所述导电区域的顶部朝向所述衬底层的第一表面，所述导电区域的底部朝向所述衬底层的第二表面；存储层，所述存储层位于所述衬底层的第一表面上；隔离结构，贯穿所述衬底层，且位于所述导电区域边缘，包围所述导电区域设置，用于隔离所述导电区域与所述隔离结构外围的衬底层；所述导电区域包括：位于所述导电区域底部的屏蔽层
导电区域衬底层存储器结构第一表面第二表面隔离结构存储层屏蔽层本实用新型存储器隔离外围包围贯穿

[发明专利]具有连接导线的焊接结合组件-CN200580012717.7无效
发明人： J·P·洛里欧 -专利权人：慕里麦克工业股份有限公司
申请日： 2005-02-17 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：一种信号处理模块可由多个合成衬底层制成，各个衬底层包括多个独立处理模块的元件。在衬底层以叠层排列焊接结合时，各层的表面被选择性地金属喷涂以形成信号处理元件。在接合之前，衬底层进行铣削以形成位于处理模块之间的区域的间隙。在接合之前，导线被放置成从在所述金属喷涂表面的信号耦合点延伸到间隙区域。然后各衬底层被相互焊接结合，从而多个衬底层形成具有从模块内部延伸到间隙区域的导线的信号处理模块。然后各个模块可通过铣削衬底层来分离以分离模块。
具有连接导线焊接结合组件

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201610134339.X有效
发明人：刘继全;龚春蕾 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-03-09 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供底层衬底，底层衬底包括第一区域和与第一区域接触的第二区域，所述底层衬底为单晶态；图形化底层衬底，在第一区域形成凹槽，使第一区域底层衬底表面低于第二区域底层衬底表面；在第一区域的凹槽中形成绝缘层，绝缘层暴露出第二区域底层衬底部分侧壁；通过外延生长在暴露出的第二区域衬底表面形成顶层衬底；刻蚀部分第一区域顶层衬底，暴露出绝缘层，在第一区域形成第一鳍部。在凹槽中形成绝缘层，绝缘层能够实现第一鳍部与底层衬底之间的电绝缘，减少第一鳍部中载流子向底层衬底扩撒，从而能够减少第一鳍部底部漏电流。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]四梁圆膜与同轴圆柱的压力和位移集成式MEMS传感器结构-CN201821827208.0有效
发明人：方续东;吴晨;蒋庄德 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：一种四梁圆膜与同轴圆柱的压力和位移集成式MEMS传感器结构，包括上部衬底和与之配合连接的下部衬底；下部衬底包括下部衬底基底层，下部衬底基底层上面设有下部衬底金属欧姆电路层，下部衬底基底层的中部设有下部实心圆柱，下部衬底基底层上方的四周边缘设有四周支承结构；上部衬底包括上部衬底基底层，上部衬底基底层上面设有上部衬底绝缘层，上部衬底绝缘层上设有上部衬底金属欧姆接触电路以及由四根梁和上部中心圆膜构成的上部四梁圆膜结构，梁上设有压阻条；上部中心圆膜下方连接有薄壁圆筒，薄壁圆筒套在下部实心圆柱外，四周支承结构和上部衬底基底层下方连接；本实用新型发明实现了压力和位移的集成测量，具有集成度好，测量灵敏度高等优点。
衬底衬底基绝缘层实心圆柱同轴圆柱支承结构集成式中心圆金属欧姆接触薄壁圆筒套本实用新型薄壁圆筒集成测量配合连接四周边缘电路层集成度灵敏度膜结构压阻电路测量金属

[发明专利]衬布、绣花和布艺-CN201611208538.7在审
发明人：杨明达 -专利权人：台湾科德宝宝翎不织布股份有限公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： D05C17/00 文献下载
摘要：一种衬布、绣花和布艺，衬布用于贴布和织物之间，包括：衬底层，包括相对的第一面和第二面；位于衬底层第一面上的第一胶层，用于粘合衬底层与贴布；位于衬底层第二面上的第二胶层，用于在将衬底层设置于所述织物的过程中使所述衬底层粘合于所述织物
衬底层贴布绣花衬布布艺胶层生产效率支撑作用第二面粘合衬移位粘合对贴卷边

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN201811534927.8有效
发明人：向明 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开一种显示装置及其制造方法，所述显示装置包括一第一柔性衬底层、至少一缓冲层及一第二柔性衬底层；其中所述第二柔性衬底层形成在所述缓冲层上，所述缓冲层形成在所述第一柔性衬底层上，所述缓冲层的一弯折区域形成有图案化的一图案，使得所述第一柔性衬底层通过所述图案贴附在所述第二柔性衬底层上。
显示装置及其制造方法

[实用新型]便于施工的装饰组件-CN201822169747.6有效
发明人：韩春吉 -专利权人：常州龙城韩利壁衣有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： E04F13/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于施工的装饰组件，包括：至少一个底层，所述底层的至少一部分能够与墙面连接；至少一个衬底层，所述衬底层设于所述底层背向所述墙面的一侧，所述衬底层的至少一部分与所述底层连接并覆盖在所述底层上；至少两个装饰件，所述装饰件设于所述衬底层背向所述底层的一侧，所述装饰件的至少一部分与所述衬底层连接，相邻两个所述装饰件之间的接缝在所述墙面上的正投影位于所述衬底层上。
衬底层装饰件装饰组件本实用新型底层连接施工难度有效地正投影接缝墙面施工覆盖

[发明专利]一种显示面板及其制备方法、显示装置-CN202111357872.X在审
发明人：王丽娟 -专利权人：合肥维信诺科技有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：该显示面板的制备方法包括：形成衬底基板，衬底基板包括第一区域和第二区域，第一区域至少部分围绕第二区域，衬底基板还包括第一衬底层和第二衬底层，位于第二区域的第一衬底层靠近第二衬底层的一侧表面呈凹凸不平状，第二衬底层完全覆盖第一衬底层；在衬底基板靠近第二衬底层的一侧形成驱动电路层；在驱动电路层远离衬底基板的一侧形成有机发光层；在有机发光层远离驱动电路层的一侧形成薄膜封装层。
一种显示面板及其制备方法显示装置

[发明专利]一种衬底结构、加工方法和显示装置-CN201810254037.5有效
发明人：曾宪祥 -专利权人：云谷（固安）科技有限公司
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种衬底结构、加工方法和显示装置，用于解决现有技术中层间结合力不足的技术问题。该衬底结构包括相互结合的第一衬底层和第二衬底层，所述第一衬底层的结合表面上布设凹槽和凸起形成连续结构，所述连续结构的表面布设不平坦区域。利用凹槽和凸起增大第一衬底层和第二衬底层间的结合面积，利用不平坦区域改善了结合表面的微观结构，使得不同材料强度的两种功能层可以更稳固地勾连结合。同时，更有利于第二衬底层材料在不同形态变化过程中与第一衬底层的相互结合。
一种衬底结构加工方法显示装置

[发明专利]一种半导体材料图形衬底、材料薄膜及器件的制备方法-CN201910667824.7有效
发明人：姜涛 -专利权人：乂馆信息科技（上海）有限公司
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体材料图形衬底、材料薄膜及器件的制备方法，半导体材料图形衬底的制备方法包括选取衬底层；在所述衬底层上形成若干凸起结构和若干凹陷结构；在具有所述凸起结构的所述衬底层的一侧生长外延层；去除所述衬底层上每个凹陷结构上方的外延层直至暴露所述衬底层，并保留所述衬底层上每个凸起结构上方的至少一部分外延层，形成若干籽晶结构，完成半导体材料图形衬底的制备。本发明的半导体材料图形衬底制备方法能够最大程度的减少由于异质衬底的晶格失配和热失配所带来的材料缺陷问题，获得高结晶质量的半导体材料薄膜和器件。
一种半导体材料图形衬底材料薄膜器件制备方法

[发明专利]低压降二极管及其制备方法-CN201910189075.1在审
发明人：王成森;潘建英;沈怡东;欧阳潇 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种低压降二极管及其制备方法，所述二极管包括N‑原始单晶层，所述N‑原始单晶层的下表面形成有N+衬底层，所述N+衬底层的下表面形成有N++衬底层，所述N++衬底层的下表面形成有N+++衬底层，所述N+++衬底层的下表面形成有阴极金属层，所述阴极金属层、N+++衬底层、N++衬底层、N+衬底层以及N‑原始单晶层形成完整的二极管阴极区，所述N‑原始单晶层的上表面形成有P型阳极层，所述P型阳极层的上表面形成有阳极金属层所述二极管中具有高浓度的厚衬底层，且通过设置N+++/N++/N+/N‑/P结构，使得阴极区串联电阻小，压降低。
衬底层原始单晶下表面阳极层低压降二极管阴极金属层二极管半环形上表面制备二极管阴极阳极金属层串联电阻钝化层阴极区内壁

[发明专利]一种显示面板及显示装置-CN202310729185.9在审
发明人：杨静 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H10K59/80 文献下载
摘要：显示面板包括：衬底层，衬底层的一侧设置有多个子像素结构；触控电极层设置于子像素结构远离衬底层的一侧，触控电极层包括多个第一镂空；触控电极层包括层叠设置的第一电极层、触控绝缘层和第二电极层，第二电极层设置于触控绝缘层远离衬底层的一侧；第二电极层在衬底层上的正投影覆盖触控绝缘层在衬底层上的正投影，第二电极层在衬底层上正投影的边缘围绕触控绝缘层在衬底层上正投影的边缘，或，第二电极层在衬底层上正投影的边缘与触控绝缘层在衬底层上正投影的边缘至少部分重合
一种显示面板显示装置

[实用新型]低压降二极管-CN201920316249.1有效
发明人：王成森;潘建英;沈怡东;欧阳潇 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：所述二极管包括N‑原始单晶层，所述N‑原始单晶层的下表面形成有N+衬底层，所述N+衬底层的下表面形成有N++衬底层，所述N++衬底层的下表面形成有N+++衬底层，所述N+++衬底层的下表面形成有阴极金属层，所述阴极金属层、N+++衬底层、N++衬底层、N+衬底层以及N‑原始单晶层形成完整的二极管阴极区，所述N‑原始单晶层的上表面形成有P型阳极层，所述P型阳极层的上表面形成有阳极金属层，所述P型阳极层以及部分所述二极管中具有高浓度的厚衬底层，且通过设置N+++/N++/N+/N‑/P结构，使得阴极区串联电阻小，压降低。
衬底层原始单晶下表面阳极层低压降二极管阴极金属层二极管半环形上表面本实用新型二极管技术二极管阴极阳极金属层串联电阻钝化层阴极区内壁