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[发明专利]一种射频模组超薄堆叠方法-CN202010855288.6有效
发明人：莫炯炯;冯光建;顾毛毛;郭西;高群 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种射频模组超薄堆叠方法，包括以下步骤：在硅片正面开空腔并嵌入芯片，填充缝隙，对硅片背面做减薄处理，形成超薄的硅片嵌入转接板，把多层嵌入芯片的硅片结构进行堆叠；在堆叠后的硅片正面制作TSV，填充金属，使TSV金属跟各层芯片的PAD互联，然后抛光堆叠后的硅片正面并制作RDL和正面焊盘；在堆叠后的硅片背面制作背面凹槽并嵌入射频芯片，填充缝隙，在射频芯片的正面做RDL和焊盘；在PCB表面焊接微流通道结构
一种射频模组超薄堆叠方法

[实用新型]单晶硅太阳能电池片单面碱制绒装置-CN201220425687.X有效
发明人：沈专;林佳继;赵同荣 -专利权人：韩华新能源（启东）有限公司
申请日： 2012-08-27 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶硅太阳能电池片单面碱制绒装置，包括放置待加工硅片的承载盒，待加工硅片背面设置喷出均匀的碱腐蚀液、对硅片背面进行单晶制绒的喷雾化喷头，在喷雾化喷头下方设置防止大颗粒杂物以及碎片掉入反应池内的过滤网本实用新型结构合理，减少硅片破碎，降低硅片在制造过程中的减薄量，提高产品的合格率，也提高了单晶太阳能电池片制绒质量，从而提高太阳能电池的光电转换效率，以及提高生产效率。硅片承载盒可以放置多片硅片同时进行单面制绒，提高制绒效率。
单晶硅太阳能电池单面碱制绒装置

[发明专利]一种电镀工艺-CN202110309118.2在审
发明人：冯光建;黄雷;高群 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种电镀工艺；S1、在第一硅片表面制作第一TSV盲孔，然后沉积第一钝化层和第一种子层，最后在所述第一TSV盲孔内进行电镀第一TSV铜柱；S2、在第二硅片的表面制作第二TSV盲孔，通过背部减薄和抛光使所述第二TSV盲孔底部露出，在第二硅片的表面进行热氧做TSV内部的第二钝化层；S3、用高温氧氧键合的方式把所述第一硅片和所述第二硅片做键合，在第二硅片上沉积第二种子层，电镀填充第二TSV铜柱，抛光得到超深TSV金属填充的硅片；本发明将两组硅片做永久键合，形成具有一定厚度的TSV的金属的深TSV结构，然后通过二次电镀工艺使深TSV结构填满。
一种电镀工艺

[发明专利]一种负压式硅片制作设备及其控制方法-CN201510166783.5有效
发明人：高文秀;李帅;赵百通 -专利权人：江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司
申请日： 2015-04-09 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种负压式硅片制作设备及其控制方法，包括炉体，所述炉体内设有用于盛放硅液的坩埚，所述坩埚的外侧周围设有加热器，所述坩埚的上方设有硅片提取单元，所述硅片提取单元包括可一起上下移动的冷却腔和扩容减压室所述冷却腔伸入到扩容减压室中，所述扩容减压室的上端封闭，下端开口并在开口处设有耐温挂件，所述耐温挂件围绕在冷却腔的周围并伸出冷却腔的底部，所述冷却腔的外壁、扩容减压室的内壁以及硅液之间可形成密闭负压腔，所述炉体上设有硅片承接板，所述硅片承接板上设有高频感应线圈。本发明可实现由硅熔液直接形成硅片的过程，硅片厚度薄，重复性好，大大节省了硅材料及单个硅片的能耗，并降低硅太阳能电池成本。
一种负压式硅片制作设备及其控制方法

[发明专利]一种MEMS压力传感器的制备方法-CN201710688334.6有效
发明人：王鹏;陈丙根;陈博;陈璞;刘磊;王文婧 -专利权人：北方电子研究院安徽有限公司
申请日： 2017-08-12 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开一种MEMS压力传感器的制备方法，采用两片SOI硅片，利用干法刻蚀第一SOI硅片顶层硅至埋氧层制备岛状结构，将第二SOI硅片的顶层硅和制备好岛状结构的第一SOI硅片顶层硅通过硅硅键合于一起，在带有岛状结构的第一SOI硅衬底处打开适合的窗口，经KOH溶液腐蚀至埋氧层，气态HF去除埋氧层，形成岛状结构活动间隙及过载结构，将制备好的结构和双抛硅片通过硅硅键合于一起，减薄第二SOI硅片的衬底，并去除第二SOI硅片的埋氧层，形成敏感薄膜，再制作压敏电阻及电极引线，最后完成整个MEMS压力传感器的制备；本方法可以精确控制岛状结构厚度，第一SOI硅片顶层硅的厚度即为岛状结构层厚度；同时实现抗过载结构，适合批量生产。
岛状结构制备顶层硅埋氧层硅硅键合去除电极引线干法刻蚀活动间隙敏感薄膜压敏电阻层厚度抗过载硅片衬底硅衬过载减薄腐蚀制作生产

[发明专利]三维堆叠器件的制备方法-CN201410491924.6在审
发明人：何晓锋;黄建冬 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2014-09-23 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本申请一种三维堆叠器件的制备方法，涉及半导体器件的制备领域，通过在制备有底部半导体器件的衬底上，采用向上生长的方式，在该底部半导体器件的互联层上键合一硅片，并可对该硅片减薄后，于互联层之上形成超薄的硅层；继续在上述的硅层基础上制备顶部半导体器件及硅通孔；由于是在键合工艺之后再制备顶部半导体器件，进而可降低晶圆键合时对于精度的要求，且减薄形成的硅层的厚度较薄，可使得后续制备的硅通孔之间的间距降低至50nm
三维堆叠器件制备方法

[发明专利]一种FS-IGBT器件阳极的制造方法-CN201310585511.X有效
发明人：陈万军;肖琨;王珣阳;杨骋;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明的一种FS-IGBT器件阳极的制造方法，主要步骤为：对硅片1背面进行减薄处理；清洗硅片1背面并注入N型杂质，高温推结形成场阻止层2和表面牺牲层3；翻转硅片1完成正面制作工序；去掉硅片1背面的表面牺牲层3；清洗硅片1背面并注入P型杂质，退火形成P型集电极区10；背面金属11积淀。
一种 fs igbt 器件阳极制造方法

[发明专利]硅通孔结构及其制造方法-CN201110363430.6有效
发明人：汪学方;徐春林;王宇哲;徐明海;胡畅;刘胜 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2011-11-16 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅通孔结构的制造方法，包括以下步骤：将硅片的厚度减薄至5微米至20微米；去除硅片表面的所有绝缘层；在硅片的导电区表面和绝缘区表面制作掺杂掩膜，以对导电区和绝缘区分别进行粒子掺杂，绝缘区与导电区掺杂的粒子的极性相反；在粒子掺杂完成后去除掺杂掩膜；在导电区表面覆盖金属电极；在硅片的表面除金属电极之外的区域覆盖绝缘层。本发明的方法制造工艺简单，可避免刻蚀、绝缘处理等工艺对硅片的破坏，并能够提高制造硅通孔结构的成品率。本发明还公开了一种硅通孔结构。
硅通孔结构及其制造方法

[发明专利]晶圆级倒扣封装低电容瞬态电压抑制二极管的制造方法-CN202111478196.1在审
发明人：张志向;卢宇;朱长彪 -专利权人：天水天光半导体有限责任公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级倒扣封装低电容瞬态电压抑制二极管的制造方法，包括选用P型衬底电阻率0.001‑0.04Ω•cm对衬底外延片硅片进行一次清洗、一次外延生长、清洗、对衬底硅片进行初始氧化、一次光刻、N+注入、埋层扩散、二次外延生长、氧化、二次光刻、磷扩散、三次光刻、p+注入、去胶、四次光刻等工序，并通过磷扩散将正负极引到芯片正面，产品厚度根据背面减薄，正面金属化，衬底硅片依次进行Ti‑W金属溅射、蒸发AL金属；对完成衬底硅片进行正面焊盘金属化学镀Ni、Au，化学镀Ni、Au作为焊盘金属将晶圆划片后焊接在电路板上，该产品不需要再做封装工艺；通过本发明得到的晶圆级倒扣封装低电容瞬态电压抑制二极管低电容、封装体积小，产品厚度薄。
晶圆级倒扣封装电容瞬态电压抑制二极管制造方法

[发明专利]一种大角度扭转微镜面驱动器制作方法-CN200910051002.2无效
发明人：李四华;徐静;吴亚明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2009-05-12 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种大角度扭转镜面驱动器的制作方法，其特征在于①首先在斜晶向硅片(1)上利用氢氧化钾腐蚀溶液制作出具有一定倾斜角度的倾斜硅表面(2)和倾斜硅表面(3)；②然后在倾斜硅表面(2)上制作驱动器的下电极；③接着在另一块硅片的表面制作出扭转镜面驱动器的上电极与下电极的隔离空间；④两块硅片进行圆片级的键合工艺，得到完整的键合片，再对键合片的表面进行整体减薄，得到最终的器件层；⑤最后在减薄后的器件层上制作出扭转镜面驱动器的两端固定的支撑梁、驱动器的上电极和扭转微镜面；⑥对整个硅片进行划片后得到单个大角度扭转镜面驱动器。
一种角度扭转微镜面驱动器制作方法

[实用新型]一种自动称重装置及槽式湿法处理设备-CN202023177432.X有效
发明人：易书令;胥洋;姜大俊;唐步玉;潘励刚 -专利权人：盐城阿特斯阳光能源科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自动称重装置及槽式湿法处理设备，包括：上下料定位模块、上下料称重模块和数据处理模块；上下料定位模块用于将放置有槽式湿法处理前的硅片的花篮运输至第一设定位置进行固定；上下料称重模块用于对第一设定位置的花篮进行称重，并将获取的第一重量发送至数据处理模块；上下料定位模块还用于将放置有槽式湿法处理后的硅片的花篮运输至第二设定位置进行固定；上下料称重模块还用于对第二设定位置的花篮进行称重，并将获取的第二重量发送至数据处理模块；数据处理模块还用于根据第一重量和第二重量，获取硅片经过槽式湿法处理后的减薄量。本实用新型提供的技术方案，可解决人工对硅片的制绒减薄量进行称重的精度较低的问题。
一种自动称重装置湿法处理设备

[发明专利]一种硅片拾取装置-CN201610766710.4在审
发明人：田翠侠;阮冬;杨金国 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅片拾取装置，包括片叉本体以及设置于所述片叉本体上的气路通道和调节机构；所述调节机构用于将硅片调整到片叉本体的拾取中心位置；片叉本体上设置有气孔，用于产生具有一定流向的气流，气路通道与气孔连通；在拾取硅片过程中，气路通道内通入的气体流经气孔形成具有一定流向的气流，以使硅片与片叉本体之间的气压小于外界大气压硅片在气压差的作用下压在片叉本体上，并在调节机构的配合下调整到片叉本体的拾取中心位置，完成拾取工作在拾取过程中，不必要在硅片和片叉本体之间形成真空，所以可以有效吸附翘曲变形的硅片；另一方面，在拾取时硅片与片叉本体非直接接触，吸附力更均匀，从而减小了对较薄硅片的损坏。
一种硅片拾取装置

[发明专利]RFLDMOS器件阵列版图中超深沟槽的排列方法-CN201410848305.8在审
发明人：蔡莹 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-12-29 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该方法通过将超深沟槽设计成错位交叉排布方式，避免了超深沟槽在同一方向上的隔断或者硅片内同一方向上的应力过大，从而缓解了硅片的翘曲度，有效地降低了硅片减薄过程中碎片的产生。
rfldmos 器件阵列版图深沟排列方法

[发明专利]一种高速激光器芯片封装用复合基板-CN202210397407.7在审
发明人：徐建卫;汪鹏 -专利权人：上海矽安光电科技有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01S5/02315 文献下载
摘要：本申请公开了一种高速激光器芯片封装用复合基板，包括：基板、共面波导结构以及低阻硅片，所述基板的表面设有共面波导结构，其中，所述共面波导结构上预制有通孔；所述基板的背面镀有第一金属层，所述低阻硅片与所述基板键合与现有技术中采用多层陶瓷的烧结及打孔相比，本申请仅采用一层薄的基板，既可以满足散热要求，也可以满足高频传输要求，其中，底部的低阻硅片作为导体，可以实现接地功能。
一种高速激光器芯片封装复合

[发明专利]氢离子敏场效应管封装方法-CN99125246.2无效
发明人：韩泾鸿;张虹 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 1999-11-30 - 公布日： 2001-06-06 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种氢离子敏场效应管封装方法,包括如下步骤a、采用基本成型模具,该模具是由薄树脂印刷板制成;b、粘片,将切割后粘贴好的硅片置放在模具的相应位置;c、烘烤,将粘贴好硅片的模具置入烘箱内,在小于100度的温度下进行烘烤;d、超声压焊;e、注胶封装,将经过烘烤的硅片在模具上进行注胶封装;f、定型烘干;本发明具有方法相对简单,成本较低,且封装效果良好的优点。
氢离子场效应封装方法