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[发明专利]硅片减薄方法及薄硅片-CN201711376805.6在审
发明人：冯栋 -专利权人：苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅片减薄方法及薄硅片，该减薄方法包括以下步骤：S1、提供两个未加工硅片，定义为第一硅片和第二硅片；S2、先将第一硅片的上表面进行深硅刻蚀，再将第一硅片和第二硅片进行热氧处理；S3、将热氧处理后的第一硅片与第二硅片键合，得到键合硅片；S4、将键合硅片中的第二硅片进行减薄处理，再在其上表面进行顶硅刻蚀；S5、将刻蚀后的键合硅片中的第一硅片的下表面进行减薄去硅处理，最后除去氧化层，得到薄硅片。本发明的硅片减薄方法将深硅刻蚀放到第一步，并采用多次深硅刻蚀和键合工艺，最后制备得到翘曲度小的薄硅片，该减薄方法实现自动化操作，工艺稳定，适合大规模量产，且制备得到的薄硅片导热性较好，硅片翘曲能很好的控制
硅片方法

[发明专利]硅片减薄的处理方法-CN201910557481.9在审
发明人：陈贤刚;杨苗;徐希翔 -专利权人：君泰创新（北京）科技有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种硅片减薄的处理方法，包括，提供硅片；将所述硅片浸入各向异性的化学溶液中进行腐蚀减薄，减薄至厚度在90μm以内，通过控制硅片的腐蚀减薄，消除了硅片缺陷损伤层，提升了硅片减薄的均匀性，这样有利于超薄HIT太阳电池片的光吸收，同时降低了金字塔的高度与硅片厚度的比例，有效提升了柔性超薄硅片的韧性，减少了超薄硅片的碎片率。
硅片处理方法

[发明专利]一种避免超薄硅片边缘破损的加工方法-CN201410312414.8在审
发明人：杨凡力 -专利权人：上海朕芯微电子科技有限公司
申请日： 2014-10-08 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开的一种避免超薄硅片边缘破损的加工方法，其特征在于，具体包括如下步骤：(1)在需要减薄的硅片边缘加工出一槽，所述槽的槽口位于硅片的表面；(2)在加工有槽的硅片的表面贴一保护膜，所述保护膜跨过所述槽；或者加工有槽的硅片的表面贴在另一硅片上；(3)研磨所述硅片的背面对所述硅片进行减薄处理，减薄至规定厚度；(4)撕去硅片表面的保护膜，得到符合要求的减薄后的硅片；或者将减薄后的硅片与另一硅片分离得到符合的减薄后的硅片本发明与现有技术相比，具有以下优点：1、加工简单；2、易于贴膜；3、且硅片后续的加工工艺和传统的方法兼容。
一种避免超薄硅片边缘破损加工方法

[发明专利]一种硅片减薄方法-CN201310425797.5有效
发明人：王思亮;胡强;张世勇;樱井建弥 -专利权人：中国东方电气集团有限公司
申请日： 2013-09-18 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明属于半导体集成电路制造工艺，尤其涉及一种硅片减薄方法。步骤1，将保护材料设置在硅片的正面；步骤2，用分阶段研磨的方式对所述硅片进行背面减薄，具体减薄过程分为两个阶段；步骤3，将研磨减薄后的硅片放入腐蚀液中，用磨砂轮以腐蚀速率v3进行湿法腐蚀；步骤4，将保护材料从硅片上去除本发明减少了硅片在减薄过程中产生的缺陷，既保证了硅片减薄的批量化进行，又能有效地减少因为减薄所带来的背面缺陷和损伤层，并对个减薄和腐蚀过程中的厚度比例以及速率有精细的控制，所以减薄过程中硅片表面不会产生较多的缺陷和损伤，并通过减薄后的离子注入验证了缺陷减少的效果。
一种硅片方法

[发明专利]一种硅片的减薄方法-CN202210069685.X在审
发明人：张涛杰 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片的减薄方法，包括：使用去离子水对待减薄的硅片进行预清洗处理；将抗酸膜粘贴在预清洗后的硅片的第一表面，所述第一表面为硅片的无需减薄的表面；对预清洗后的硅片的第二表面进行研磨，并在研磨的同时向所述第二表面喷洒酸性腐蚀液，所述第二表面为硅片的需要减薄的表面；对研磨后的硅片进行清洗处理。采用本发明的技术方案能够保证硅片厚度减薄的均一性，使得硅片表面平整，并且有效减少硅片表面的凹陷，优化使用效果。
一种硅片方法

[发明专利]硅片单面减薄加工模拟方法、电子设备及存储介质-CN202210446499.3在审
发明人：冯帆;毛智斌;王洪武;周霖;李博 -专利权人：万华化学集团电子材料有限公司;万华化学集团股份有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明公开一种硅片单面减薄加工模拟方法、电子设备及存储系统，方法包括：创建硅片单面减薄加工区模型，所述硅片单面减薄加工区模型包括：砂轮模型(1)和硅片模型(2)；对硅片单面减薄加工区模型进行前处理，所述前处理，至少包括：设定所述砂轮模型(1)与所述硅片模型(2)表面平行放置；进行所述砂轮模型(1)减薄加工所述硅片模型(2)模拟仿真，得到模拟结果。本发明提供的硅片单面减薄加工模拟，能在实际加工前、或需排查问题、改善精度时，对硅片单面减薄加工产生的变形及应力进行有针对性的预测与分析，模拟仿真的方式可有效节约成本、有利于整体运营费控，对实际生产具有参考价值
硅片单面加工模拟方法电子设备存储介质

[发明专利]一种晶圆硅片机械减薄装置-CN202210929906.6在审
发明人：何建军;沈桂英;赵有文 -专利权人：南通富电半导体材料科技有限公司;如皋市化合物半导体产业研究所
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： B24B37/11 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆硅片加工技术领域，具体涉及一种晶圆硅片机械减薄装置。提供一种便于调整晶圆硅片减薄的位置，且可防止晶圆硅片产生翘曲的晶圆硅片机械减薄装置。一种晶圆硅片机械减薄装置，包括有固定机构和限位机构，操作架上部设有用于对晶圆硅片进行固定的固定机构，操作架左部设有用于对第一滑动架进行限位的限位机构，底座内部设有用于夹取晶圆硅片的取料机构。通过两个不同高度的研磨轮分别与晶圆硅片的内圈和外圈研磨，进而使晶圆硅片外圈经研磨后会形成一圈太鼓环，能够防止晶圆硅片在减薄的过程中发生翘曲的情况；通过控制操作架转动能够调整对晶圆硅片减薄的位置时，进而使研磨轮达到对晶圆硅片精准减薄的效果
一种硅片机械装置

[实用新型]一种用于加工薄硅片的加工件-CN202021632105.6有效
发明人：陈峰;洪章源 -专利权人：厦门陆远科技有限公司
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于加工薄硅片的加工件，涉及硅片加工领域，包括辅助片和用于加工成薄硅片的第一硅片，第一硅片的第一端面通过双面胶或蜡层可拆卸地固定贴合于辅助片。作为优选，辅助片为第二硅片。本实用新型的有益效果：该加工件包括相互贴合的辅助片和用于加工成薄硅片的第一硅片，辅助片来保证加工件的整体厚度和强度，从而允许抛光机台或者其他研磨装置对该加工件加工时将第一硅片研磨的更加薄，保证第一硅片在加工过程中不会因厚度减薄而容易发生崩裂
一种用于加工硅片工件

[发明专利]一种降低芯片减薄碎片率的硅片倒角结构及方法-CN201810919488.6在审
发明人：薛维平;关世瑛 -专利权人：上海芯石微电子有限公司
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：很多用于小体积封装的半导体芯片，需要减薄到一定厚度，才能放入封装体内，当厚度低于150微米的时候，碎片率会大幅度提升，对减薄设备、工艺等提出更高要求，常规减薄方法使用的硅片，其倒角为椭圆倒角或者圆形倒角，这种倒角的硅片在减薄的过程中，容易造成硅片边缘较薄，进而崩边，硅片一旦崩边，在接下来的工艺中极其容易造成整片破碎，本发明改善硅片减薄过程，利用圆角矩形倒角的硅片制造芯片，减薄过程中，硅片边缘始终和金刚砂轮垂直，采用此方法，同等设备工艺条件下，减薄厚度150微米时可以降低碎片率50%以上，当减薄至100微米时，更是可以降低碎片率70%以上。
减薄碎片率硅片倒角硅片边缘崩边封装半导体芯片倒角结构方法使用硅片减薄硅片制造减薄设备金刚砂轮设备工艺芯片减薄圆角矩形圆形倒角椭圆放入整片破碎垂直体内芯片

[发明专利]一种薄硅片的制作方法-CN202010789873.0在审
发明人：陈峰;陈振泉 -专利权人：厦门陆远科技有限公司
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄硅片的制作方法，涉及硅片加工领域，包括以下步骤：用抛光机台对硅片的第一面先进行抛光；对硅片进行清洗检查；在硅片的第一面贴上保护膜；对硅片的第二面进行研磨减薄；清除硅片上的保护膜；用贴蜡机将硅片的第一面贴至辅助硅片上，形成复合硅片；再对复合硅片上硅片的第二面进行抛光、清洗检验、脱蜡处理和清洗甩干。本发明的有益效果：本发明从抛光机台，抛光液，清洗方法，使用辅助硅片、蜡、uv蓝膜等多方面进行制造工艺的全面改进，可以生产出更薄的硅片，并且提高薄硅片的质量，加快生成速度，降低生产成本。
一种硅片制作方法

[发明专利]一种FS‑IGBT的制备方法-CN201510037235.2有效
发明人：张金平;陈钱;李丹;郭绪阳;朱章丹;李泽宏;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-01-26 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供一种在厚硅片上制备FS‑IGBT的方法，用以解决中低压FS‑IGBT制备过程中，薄硅片带来的制备工艺复杂、难度大，硅片翘曲、变形、碎片，硅片的大小受到限制、良品率低、成本高，难以实现产业化的问题，以及在后续晶圆的划片和芯片的封装中由于薄硅片带来的巨大技术挑战。选取轻掺杂的FZ硅作为第一硅片、和重掺杂的CZ硅或FZ硅作为第二硅片，首先在第一硅片的背面制作N型FS层、P型透明集电区，再将第一、二硅片键合，然后减薄第一硅片、制作正面结构，最后减薄第二硅片、再通过刻蚀
一种 fs igbt 制备方法

[发明专利]适用于IGBT薄型硅片的背面杂质激活方法-CN201310090771.X有效
发明人：郑刚;施向东 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-03-20 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于IGBT薄型硅片的背面杂质激活方法，步骤包括1）将IGBT薄型硅片传送入快速灯退火腔室，并使硅片背面注入掺杂区朝向加热灯的照射面；2）调整加热灯阵列控制程式，使加热灯只能单向照射硅片背面；3）设置加热灯输出功率，并开启加热灯，使硅片背面迅速升温；4）当硅片温度达到设定的退火温度后，关闭加热灯，保温1～2秒，然后急速冷却硅片。本发明利用单向灯阵列加热退火方式，在不影响IGBT薄型硅片正面铝线以及不增加设备投资的基础上，提高了IGBT薄型硅片背面杂质的激活率。
适用于 igbt 硅片背面杂质激活方法

[发明专利]一种基于金属纳米粒子催化的硅片减薄方法-CN201110251150.6有效
发明人：李美成;白帆;任霄峰;余航 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2011-08-29 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明公开了属于微电子技术领域的一种基于金属纳米粒子催化的硅片减薄方法。本发明采用(100)或(111)硅片，利用丙酮、CP4-A溶液和氢氟酸常温预处理得到清洁的硅表面。配制硝酸银、双氧水、氢氟酸均匀混合的减薄液并放入水浴中预热，把硅片浸入减薄液，通过控制反应时间、温度与溶液配比可获得所需厚度的超薄硅片。本发明首次利用金属纳米粒子催化特性进行硅片均匀腐蚀，利用单步法简化硅片减薄的工艺过程，并保持了近常温、常压下湿法腐蚀的特征，获得厚度小于50μm的超薄硅片，拓宽了金属纳米粒子催化硅刻蚀的应用范畴，为硅片减薄工艺提供新的思路和技术手段
一种基于金属纳米粒子催化硅片方法

[发明专利]柔性硅片的制备方法-CN201810517102.9有效
发明人：冯雪;蒋晔;陈颖;付浩然;张柏诚;刘兰兰 -专利权人：浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及柔性硅片的制备方法，包括步骤：提供一硅片，所述硅片包括第一表面、与所述第一表面相背的第二表面、以及位于所述硅片周侧的侧面；在所述硅片的所述侧面上形成抗刻蚀层；在所述硅片的所述第一表面上和所述第二表面上刻蚀形成微结构；采用反应离子刻蚀技术刻蚀形成有所述微结构的硅片，减薄所述硅片；去除所述微结构和所述抗刻蚀层，得到柔性硅片。本发明柔性硅片的制备方法能够实现全面积减薄，且减薄效率高，成品率高。
柔性硅片制备方法

[发明专利]柔性硅片的制备方法-CN201810517115.6有效
发明人：冯雪;蒋晔;陈颖;付浩然;张柏诚;刘兰兰 -专利权人：浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及柔性硅片的制备方法，包括步骤：提供一硅片，所述硅片包括第一表面、与所述第一表面相背的第二表面、以及位于所述硅片周侧的侧面；在所述硅片的所述第一表面和所述侧面上形成抗刻蚀层；在所述硅片的所述第二表面上刻蚀形成微结构；采用反应离子刻蚀技术刻蚀形成有所述微结构的硅片，减薄所述硅片；去除所述微结构和所述抗刻蚀层，得到柔性硅片。本发明柔性硅片的制备方法能够实现全面积减薄，且减薄效率高，成品率高。
柔性硅片制备方法

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