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[发明专利]半导体发光元件及其制法-CN200810187393.6有效
发明人：李承士;殷寿志;谢馨仪;林神江 -专利权人：佰鸿工业股份有限公司
申请日： 2008-12-31 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种半导体发光元件，包含：一半导体晶片及一受激发光层。受激发光层覆盖于半导体晶片上，受激发光层对应半导体晶片的发光强度较强区域的厚度较厚，对应发光强度较弱区域厚度较薄，受激发光层对应于发光强度较强区域的厚度与对应于发光强度较弱区域的厚度比大于1而小于5。其制法，包含：a)提供一半导体晶片，并量测其出光强度分布；b)依据该半导体晶片的出光强度分布决定一受激发光层的形状，使受激发光层对应半导体晶片的发光强度较强区域的厚度较厚，对应发光强度较弱区域厚度较薄，以使各出光角度色温均匀，并制作一具有预定形状的治具；c)借由治具于半导体晶片上形成一受激发光层。目的在于借由受激发光层的形状补偿晶片发光强度不均的缺点，达到色度均匀。
半导体发光元件及其制法

[发明专利]一种8英寸铌酸锂晶片的制备方法-CN201911044426.6有效
发明人：李春忠;吴皓;朱莉 -专利权人：德清晶辉光电科技股份有限公司;杭州雨晶电子科技有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及光电子材料技术领域，公开了一种8英寸铌酸锂晶片的制备方法，包括如下步骤：（1）切割及一次腐蚀：将8英寸铌酸锂晶体切割成晶片后放入腐蚀液中进行一次腐蚀；（2）还原黑化；（3）减薄及二次腐蚀：将还原黑化后的晶片双面减薄，清洗干净后再放入腐蚀液中进行二次腐蚀；（4）抛光；（5）三次腐蚀：将抛光后的晶片放入腐蚀液中进行三次腐蚀，清洗后得所述8英寸铌酸锂晶片。本发明采用三次腐蚀法解决了铌酸锂晶片内部应力变形严重及因此产生的晶片生产过程中容易碎裂的问题；抛光过程中采用多孔陶瓷盘吸附，解决了传统的贴蜡工艺引起的TTV不易控制的问题；加工过程中不用粘合剂，不接触有机物，晶片比较容易清洗。
一种英寸铌酸锂晶片制备方法

[发明专利]化学机械研磨组合物和方法-CN200810171864.4无效
发明人：赖欣宜;李康华;刘文政 -专利权人：长兴开发科技股份有限公司
申请日： 2008-11-12 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片薄化用的化学机械研磨浆液，其包含氧化硅磨料、碱性化合物、表面活性剂以及溶剂。本发明还涉及将上述化学机械研磨浆液用于研磨半导体晶片的晶背，且优选用于超薄半导体晶片制程中的方法。
化学机械研磨组合方法

[发明专利]用于提供半导体晶片调平边缘的装置、系统和方法-CN202080098226.3在审
发明人： J·鲍斯布姆 -专利权人：捷普有限公司
申请日： 2020-02-17 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：一种晶片调平边缘和用于安装晶片调平边缘的装置、系统和方法。用于半导体晶片的调平边缘可以包括：薄的、基本刚性的接收环，所述刚性的接收环适于接收半导体晶片的圆周边缘；以及基本柔性的容纳环，所述容纳环与所述刚性的接收环可移除地关联。因此，所述刚性的接收环赋予半导体晶片的圆周形状刚性，并且所述容纳环将半导体晶片保持在所述刚性的接收环内。
用于提供半导体晶片边缘装置系统方法

[发明专利]硅晶片及其制造方法-CN201580029564.0有效
发明人：工藤智司;中村浩三;村中寿行;松田脩平;金大基;平木敬一郎 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2015-04-10 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：该制造方法包括：薄切含有硼作为受体的单晶硅以得到未热处理硅晶片的工序；对于未热处理硅晶片求出硼浓度的工序；对于未热处理硅晶片求出氧供体浓度的工序；和基于求出硼浓度的工序中求出的硼浓度和求出氧供体浓度的工序中求出的氧供体浓度，判断是否对未热处理硅晶片实施在300℃以上的温度下的热处理。由此，可得到晶片上的偏在LPD减少的晶片。
晶片及其制造方法

[发明专利]一种低损伤晶片减薄工艺-CN201611183350.1在审
发明人：马学亮;陈平;张华;王永存 -专利权人：上海电机学院
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种低损伤晶片减薄工艺，所述PMNT晶片表面分别标记为表面1与表面2，其工艺流程为PMNT晶片表面1的处理；PMNT晶片表面2的处理；PMNT晶片表面1与PMNT表面2的低损伤处理；清洗清洗去除氢氟酸缓冲液；所述PMNT晶片表面1与PMNT晶片表面2的低损伤处理的具体步骤为采用氢氟酸缓冲液对PMNT晶片的表面1与表面2进行湿法腐蚀以去除缺陷和损伤，时间控制在于10min±30s。
一种损伤晶片工艺

[发明专利]用于生产薄晶片的方法-CN201910826854.8在审
发明人：安田浩之;菅生道博 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：用于生产薄晶片的方法包括：通过用光从晶片层合体的支持体侧照射晶片层合体而将支持体从晶片层合体分离，所述晶片层合体包括支持体、在支持体上形成的粘合剂层和以其表面层合的包括朝向粘合剂层的电路平面的晶片；和在分离之后通过剥离将晶片上残留的树脂层从晶片去除
用于生产晶片方法

[发明专利]具有低衬底损耗的集成螺旋电感器的制造方法-CN201980072141.5在审
发明人：卡斯滕·施密特;格哈德·施皮茨尔施佩格 -专利权人：拉芳德利责任有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：在完成正面CMOS制造工艺之后，将硅晶片以正面永久地接合到载体晶片上。载体晶片是高电阻率的硅晶片，或电介质晶片，或陶瓷材料的晶片。从背面减薄器件晶片的硅衬底，使得剩余的硅的厚度仅为几微米。在介电材料之上的晶片背面上形成螺旋电感器线圈。电感器线圈通过硅通孔而连接到正面的CMOS电路。
具有衬底损耗集成螺旋电感器制造方法

[发明专利]晶片吸附台-CN201610751500.8有效
发明人：秋山肇;冈田章;山下钦也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-11-05 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种能够以低成本在不使晶片变形的情况下以充分的吸附压力将晶片吸附于台的晶片吸附台。本申请发明的晶片吸附台是在内部具有空间的晶片吸附台，具备：装载面，装载晶片；多孔质部，以表面露出于该装载面、背面与该空间相接的方式形成在该晶片吸附台内；以及连结部，与该空间连接并且延伸至该晶片吸附台外部而且，该多孔质部的特征在于越是远离该连结部的部分形成得越薄。
晶片吸附

[发明专利]提升晶片研磨后平整度的方法及研磨机-CN202111058165.0有效
发明人：徐良;余雅俊;占俊杰;陈素春 -专利权人：浙江富芯微电子科技有限公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本发明提供了一种提升晶片研磨后平整度的方法及研磨机，该提升晶片研磨后平整度的方法包括以下步骤：(1)对晶片表面损伤进行加深处理，形成损伤层；(2)对损伤加深处理后的所述晶片进行退火处理；(3)对退火处理后的所述晶片进行双面研磨，以去除所述损伤层；(4)对双面研磨后的所述晶片进行减薄处理。本发明中的方法能够提升晶片平整度，改善因切割能力不足导致的晶片不平整，同时提升抛光后晶片面型的一致性。
提升晶片研磨平整方法研磨机

[实用新型]晶片倒角固定座-CN201020582990.1有效
发明人：施洋波 -专利权人：浙江水晶光电科技股份有限公司
申请日： 2010-10-29 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： B24B9/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶片倒角固定座，解决了现有对晶片进行倒角作业时，不便对薄而脆的晶片进行固定，易使晶片破损的缺陷，所采取的技术措施：一种晶片倒角固定座，包括底座和连接在底座上的支撑柱，其特征在于，所述支撑柱内具有空腔
晶片倒角固定

[发明专利]不连续薄半导体晶片表面特征-CN201080019777.2有效
发明人：阿尔温德·钱德拉舍卡朗 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2010-05-07 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：半导体晶片具有半导体衬底和所述衬底上的膜。所述衬底和/或所述膜具有形成不连续表面的至少一条蚀刻线，所述不连续表面减小所述晶片中的残余应力。当所述晶片较薄时，减小所述半导体晶片中的残余应力减少了所述晶片的翘曲。另外，可使用隔离插塞来填充所述蚀刻线的一部分，以防止层的短接。
连续半导体晶片表面特征

[发明专利]使用蚀刻引线框的重新分布焊盘-CN200580037057.8有效
发明人： M·帕维埃 -专利权人：国际整流器公司
申请日： 2005-09-22 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种半导体封装，该封装具有固定在导电主体的浅开口中的薄形半导体晶片。在所述晶片底部的晶片电极通过重新分布触点而镀覆，所述触点与晶片底部触点和填充晶片和开口之间的环形间隙的绝缘体重合。
使用蚀刻引线重新分布

[发明专利]薄化晶片的方法-CN201010239947.X有效
发明人：杨固峰;吴文进;吕新贤;余佳霖;史祝嵩;许富崎;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-07-26 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明揭示一种薄化晶片的方法。于一实施例中，提供一晶片，其具有多个半导体芯片。此晶片具有第一面和第二面，其中各个芯片包括一组穿硅导孔。各穿硅导孔实质上被衬垫层和阻障层封住。提供晶片承载体贴附于所述晶片的第二面。将晶片的第一面薄化至预定的厚度，接着形成凹入以部分地显露出衬垫层、阻障层和自晶片凸出的部分穿硅导孔。将隔离层沉积于晶片的第一面和衬垫层、阻障层、和穿硅导孔的顶部上。接着，沉积绝缘层于隔离层上。接着将绝缘层平坦化，露出穿硅导孔的顶部。将介电层沉积于晶片的第一面上。
晶片方法

[发明专利]SiC晶片的加工方法-CN201710251909.8有效
发明人：铃木克彦 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：提供SiC晶片的加工方法，能够减少磨削磨具的磨损量。一种SiC晶片的加工方法，包含如下工序：剥离面形成工序，对晶片照射对于SiC具有透过性的波长的激光光线从而在与器件区域对应的区域形成剥离面；器件形成工序，在第1面的器件区域形成由交叉的多条分割预定线划分的多个器件；以及环状槽形成工序，在对应于器件区域与外周剩余区域之间的边界部的部分从第2面侧形成环状槽；以及薄化工序，以剥离面为界面将位于环状槽的内侧的部分从晶片剥离，从而使器件区域薄化，并且形成环状加强部。
sic 晶片加工方法