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[发明专利]硅通孔晶片的抛光方法和用于该方法的抛光组合物-CN201010287641.1有效
发明人：李康华;刘文政 -专利权人： 长兴开发科技股份有限公司
申请日： 2010-09-17 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及硅通孔晶片的抛光方法和用于该方法的抛光组合物。所述方法包括：使用包含有机碱性化合物、选自亚氯酸钠和/或溴酸钾的氧化剂、多个二氧化硅研磨颗粒和溶剂的抛光组合物对硅通孔晶片的表面进行抛光处理，以使硅通孔晶片上的硅和导电材料各自以一移除速率被移除。通过本发明的方法，可使得硅通孔晶片上的硅和导电材料分别以较高的抛光速率被抛光，从而大幅减少抛光硅通孔晶片所需的工时成本。本发明还涉及上述方法所使用的抛光组合物。
硅通孔晶片抛光方法用于组合

[发明专利]用于移除锯痕的化学机械研磨组合物-CN200910143051.9有效
发明人：谢崇伟;李康华;刘文政 -专利权人： 长兴开发科技股份有限公司
申请日： 2009-05-25 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种移除锯痕的化学机械研磨浆液，其包含磨料、胺化物、研磨促进剂以及溶剂。本发明还涉及将上述化学机械研磨浆液用于移除半导体晶片表面锯痕的方法。
用于化学机械研磨组合

[发明专利]化学机械研磨组合物和方法-CN200810171864.4无效
发明人：赖欣宜;李康华;刘文政 -专利权人： 长兴开发科技股份有限公司
申请日： 2008-11-12 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片薄化用的化学机械研磨浆液，其包含氧化硅磨料、碱性化合物、表面活性剂以及溶剂。本发明还涉及将上述化学机械研磨浆液用于研磨半导体晶片的晶背，且优选用于超薄半导体晶片制程中的方法。
化学机械研磨组合方法

[发明专利]硅贯通电极晶圆的研磨方法与其所使用的研磨组成物-CN200810135107.1无效
发明人：赖欣宜;刘文政;李康华 -专利权人： 长兴开发科技股份有限公司
申请日： 2008-07-30 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本发明涉及硅贯通电极晶圆的研磨方法与其所使用的研磨组成物。该研磨硅贯通电极晶圆的研磨方法，包含：使一研磨组成物对一硅贯通电极晶圆的一研磨面进行一研磨处理；其特征在于：该研磨组成物包括有一碱性化合物、一溶剂、氧化硅研磨粒子，与一氧化剂，且该研磨组成物具有一流速，该硅贯通电极晶圆被施以一研磨压力地与一研磨垫接触，且在该研磨处理进行中时，该研磨垫与该硅贯通电极晶圆分别具有一转速；本发明也有关于上述方法所使用的研磨组成物，其可随组成与研磨处理进行中的各项机台操作参数，而相对地对硅、金属的研磨速率或研磨选择性有所变化，于是使用者可在研磨处理进行中机动地改变上述组成或参数，进而高效益地完成晶圆研磨。
贯通电极研磨方法与其使用组成

[发明专利]水性清洗组合物-CN200810000429.5有效
发明人：庄宗宪;刘文政;陈建清 -专利权人： 长兴开发科技股份有限公司
申请日： 2008-01-10 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： C11D7/32 文献下载
摘要：一种水性清洗组合物，用于集成电路铜制程中化学机械平坦化制程中或其后续清洗程序，其包含0.1wt％-20wt％的一胺基甲烷、0.05wt％-20wt％的一季铵化合物及水；当用于半导体平坦化制程中或其后续的清洗程序时，本发明的水性清洗组合物可有效地去除污染物及降低晶圆表面的缺陷数，并可维持较佳的晶圆表面粗糙度。
水性清洗组合

[发明专利]半导体铜加工用水相清洗组合物-CN200710138062.9有效
发明人：陈建清;刘文政;庄宗宪;陈瑞清 -专利权人： 长兴开发科技股份有限公司
申请日： 2007-08-08 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： C11D7/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种在集成电路铜加工中的化学机械平坦化中或化学机械平坦化后使用的水相清洗组合物，其包含0.05－20重量％的含氮杂环有机碱、0.05－50重量％的醇胺、0.01－10重量％的氢氧化四级铵和水。当在半导体平坦化过程中或其后使用时，本发明的清洗组合物可有效地从晶片的表面去除残余污染物，并同时赋予晶片表面较佳的表面粗糙度。
半导体工用清洗组合

[发明专利]化学机械研磨浆液与化学机械平坦化方法-CN200710166031.4有效
发明人：侯惠芳;刘文政;陈彦良;陈瑞清 -专利权人： 长兴开发科技股份有限公司
申请日： 2007-10-30 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：一种化学机械研磨浆液，特别涉及一种可将一片图案晶圆上的铜磨除掉的化学机械研磨浆液，包含一种酸、一种界面活性剂、一种水性介质，及数颗经一种表面电性改质剂进行表面改质并含钾的二氧化硅研磨粒子，通过研磨粒子的构造，该研磨浆液可比一般业界所采用的，更能避免所研磨的图案晶圆产生氮化钽阻障层损害、更彻底将覆盖在阻障层上的铜磨除，且研磨后的晶圆表面所形成的凹陷程度也更轻，整体功效佳并极符合业界的需求，另外，也提供一种化学机械平坦化方法，是使一片晶圆与一块研磨垫接触，输送一具有数颗上述二氧化硅研磨粒子的化学机械研磨浆液至该晶圆与研磨垫，并将该晶圆表面至少部分平坦化。
化学机械研磨浆液平坦方法

[发明专利]化学机械研磨组合物-CN200610066640.8无效
发明人：侯惠芳;刘文政;陈宝丞;陈彦良;陈瑞清 -专利权人： 长兴开发科技股份有限公司
申请日： 2006-04-17 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：一种化学机械研磨组合物，其pH范围是介于2至5之间且包含一具有下列组分的混合物：一水性介质、一研磨料、一腐蚀抑制剂、一表面活性剂、二酸类化合物及一金属残留抑制剂，该金属残留抑制剂是选自于由下列化学式所示的化合物所构成的群组：该式(I)、该式(II)、该式(III)、该式(IV)、该式(V)及这些化合物的组合，其中，该式(II)～(V)的结构及各个取代基的定义是如说明书及权利要求书所界定。将本发明的化学机械研磨组合物用于研磨半导体晶圆表面时，可获得不错的金属研磨速率、有效降低金属凹陷以及降低该晶圆表面的金属残留。
化学机械研磨组合

[发明专利]用于清洗化学机械平坦化的研磨垫的水性清洗组合物-CN200610058531.1无效
发明人：侯惠芳;刘文政;陈彦良;陈瑞清 -专利权人： 长兴开发科技股份有限公司
申请日： 2006-03-14 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： C11D7/26 文献下载
摘要：本发明是一种用于化学机械平坦化的研磨垫的水性清洗组合物，其具有一介于7至14之间的pH值并包含一以该组合物的总重计含量为0.1～20重量％的有机二质子酸、一以该组合物的总重计含量为0.1～20重量％且在水性介质下可解离出四级胺离子的有机碱，以及一与该有机二质子酸及有机碱合计含量为100重量％的水性介质，该水性清洗组合物不具腐蚀性与挥发性，配制方式简单，清洁效果佳而可倍增研磨垫的使用寿命，有助于业者降低耗材，设备，工时等各项成本，极富商业潜力。
用于清洗化学机械平坦研磨水性组合

[发明专利]水相碱性光阻清洗组合物及其使用方法-CN200510115307.7有效
发明人：蔡旺亨;刘文政;陈建清 -专利权人： 长兴开发科技股份有限公司
申请日： 2005-11-14 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： C11D3/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种水相碱性光阻清洗组合物，其包括，以组合物总重量计，1－50重量％的至少一种碱性化合物；0.1－20重量％的至少一种二胺类化合物及30－98.9重量％的水，且组合物的pH值大于12。本发明的光阻清洗组合物，可依照实际制程需求于使用前予以升温及/或稀释。另外，由于未包含有机溶剂，因此能安全的在一般操作环境下使用。
碱性清洗组合及其使用方法

[发明专利]甩动式混合均匀装置-CN200510102626.4无效
发明人：李家浩 -专利权人： 长兴开发科技股份有限公司
申请日： 2005-09-12 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：一种甩动式混合均匀装置，包含一个枢转单元、一个组装于枢转单元上的甩动箱单元、及一个与该甩动箱单元组接的驱动单元。该甩动箱单元是可以该枢转单元为支点枢转地组装于该枢转单元侧边，该驱动单元是连接于甩动箱单元一侧并可驱使甩动箱单元以枢转单元为支点地相对枢转单元于一回正位置与一倾摆位置间往复枢摆甩动。通过甩动箱的甩动设计，可使倒立放置于甩动箱中的容器内的研磨浆可冲击打散沉积的高粘稠度研磨微粒。
甩动混合均匀装置

[发明专利]用于半导体铜制程的水相清洗组合物-CN200510072136.4有效
发明人：陈建清;刘文政;薛景全;霍登彦 -专利权人： 长兴开发科技股份有限公司
申请日： 2005-05-20 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： C11D7/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于集成电路处理中化学机械平坦化后的含铜导线晶圆的水相清洗组合物，其包括0.1－15重量％含氮杂环类有机碱、0.1－35重量％醇胺和水。与经化学机械平坦化后的含铜半导体晶圆接触一段有效时间后，本发明的水相清洗组合物可以有效地去除残留在晶圆表面上的污染物，同时维持含铜半导体晶圆优选的表面粗糙度。
用于半导体铜制清洗组合

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